公开(公告)号：CN116918201A

公开(公告)日：2023-10-20

申请号：CN202280015688.3

申请日：2022-01-12

Applicant: 索尼集团公司

Inventor： 渡边知雅 ,  中岛博 ,  田中雅之 ,  横关弥树博

IPC: H01S5/183

Abstract: 本发明的目的是提供一种能够实现衍射损耗进一步减小、散热效果进一步增强、产量进一步增强并且可靠性进一步增强的表面发射激光器。本发明提供一种表面发射激光器，包括基板和形成在基板上的垂直谐振器结构。垂直谐振器结构包含从由In、Ga、Al、N、As和P构成的组中选择的至少一个元素。垂直谐振器结构至少还包括有源层、上部DBR层和下部DBR层。上部DBR层和下部DBR层以将有源层夹在上部DBR层和下部DBR层之间的形式形成。下部DBR层包含至少一层包含由非III‑V族半导体形成的透明导电材料的透明导电层。

公开(公告)号：CN116195148A

公开(公告)日：2023-05-30

申请号：CN202180061112.6

申请日：2021-06-30

Applicant: 索尼集团公司

Inventor： 中岛博 ,  滨口达史 ,  田中雅之 ,  林贤太郎 ,  幸田伦太郎

IPC: H01S5/40

Abstract: 一种半导体激光元件，具有：谐振器结构，包括第一化合物半导体层、活性层以及第二化合物半导体层堆叠的堆叠结构；以及第一光反射层和第二光反射层，沿谐振器结构的谐振方向设置在两端；以及当振荡波长被设置为λ时，第一光反射层和第二光反射层中的每个包括折射率周期结构，该折射率周期结构以堆叠方式包括多个薄膜，每个薄膜具有k0(λ/4)的光学膜厚度，以及相移层，设置在所述第一光反射层和/或所述第二光反射层中的至少一个光反射层内。

公开(公告)号：CN117882256A

公开(公告)日：2024-04-12

申请号：CN202280056740.X

申请日：2022-03-09

Applicant: 索尼集团公司

Inventor： 横关弥树博 ,  中岛博 ,  笠原大尔 ,  塩见治典 ,  渡边知雅 ,  田中雅之

IPC: H01S5/183 ,  H01S5/042 ,  H01S5/187

Abstract: 该表面发光元件包括：由第一晶体材料形成的半导体层；反射层，形成在半导体层上、由晶格常数或晶体结构不同于第一晶体材料的第二晶体材料形成并且具有台面形状；以及光收缩区域，形成在反射层的一部分中并且控制光限制。

公开(公告)号：CN116057798A

公开(公告)日：2023-05-02

申请号：CN202180057597.1

申请日：2021-08-17

Applicant: 索尼集团公司

Inventor： 渡边知雅 ,  横关弥树博 ,  中岛博 ,  笠原大尔

IPC: H01S5/183

Abstract: [问题]为了提供一种具有高生产性并且适于高输出的垂直腔面发射激光器元件，以及一种用于制造垂直腔面发射激光器元件的方法。[解决方案]该垂直腔面发射激光器元件包括第一DBR、第二BR、有源层和隧道结层。第一DBR反射特定的波长的光。第二DBR反射该波长的光。有源层布置在第一DBR与第二DBR之间。隧道结层布置在第一DBR与有源层之间，并形成隧道结。第一DBR与第二DBR之间的每一层包括：内周区域，当从垂直于层表面的方向观察时，内周区域在内周侧上；以及外周区域，围绕内周区域。隧道结层的外周区域具有被注入其中的离子，具有比隧道结层的内周区域更低的载流子浓度，并且具有更大的电阻。

公开(公告)号：CN118575379A

公开(公告)日：2024-08-30

申请号：CN202280089634.1

申请日：2022-10-13

Applicant: 索尼集团公司

Inventor： 中岛博 ,  佐藤进 ,  横关弥树博

IPC: H01S5/183

Abstract: 本技术提供了一种表面发射激光器，其能够就反射器整体而言补偿包括在反射器中的多层膜反射器的基于材料体系的缺陷。根据本技术的表面发射激光器包括：第一结构(ST1)，包括第一反射器(R1)；第二结构(ST2)，包括第二反射器(R2)；以及有源层(204)，设置在第一结构(ST1)与第二结构(ST2)之间。第一反射器(R1)具有层叠的第一多层膜反射器(102)和第二多层膜反射器(202)。第一多层膜反射器(102)由第一材料体系构成，并且第二多层膜反射器(202)由与第一材料体系不同的第二材料体系构成。根据本技术，可以提供一种能够就反射器整体而言补偿包括在反射器中的多层膜反射器的基于材料体系的缺陷的表面发射激光器。

公开(公告)号：CN117795797A

公开(公告)日：2024-03-29

申请号：CN202280054609.X

申请日：2022-03-03

Applicant: 索尼集团公司

Inventor： 笠原大尔 ,  中岛博 ,  塩见治典 ,  田中雅之 ,  渡边知雅 ,  鹰箸雅司 ,  横关弥树博

IPC: H01S5/183 ,  H01S5/343

Abstract: 根据本公开的一个实施方式的表面发光元件设置有：第一反射层；第一导电类型的第一半导体层，所述第一半导体堆叠置在所述第一反射层上；叠加在所述第一半导体层上的有源层；与所述第一导电类型相反的第二导电类型的第二半导体层，所述第二半导体堆叠置在所述有源层上；重叠在所述第二半导体层上的隧道结层；第一导电类型的第三半导体层，所述第三半导体堆叠置在所述隧道结层上；第二反射层，在与所述第一反射层相反的一侧上重叠在所述第三半导体层上；介电层，其通过非选择性氧化形成在第二半导体层和第三半导体层之间或者第三半导体层和第二反射层之间，并且具有在厚度方向上穿透的开口；以及第四半导体层，在所述开口中叠置在所述第二半导体层或所述第三半导体层上，并且借助于所述第二半导体层或所述第三半导体层的选择性生长来形成所述第四半导体层。

公开(公告)号：CN117616650A

公开(公告)日：2024-02-27

申请号：CN202280047190.5

申请日：2022-02-07

Applicant: 索尼集团公司

Inventor： 中岛博 ,  横关弥树博 ,  渡边知雅 ,  笠原大尔

IPC: H01S5/183 ,  H01S5/343

Abstract: 提供了一种垂直面发射半导体激光器和制造面发射激光器的方法，利用该方法，可以抑制基板具体是GaAs基板的翘曲，并且通过提高面内均匀性可以改善产量和元件特性。所述垂直面发射半导体激光器按顺序包括基板、至少由第一DBR层组成的第一半导体堆叠结构、至少由第一导电类型半导体层、第二导电类型半导体层、以及设置在所述第一导电类型半导体层与所述第二导电类型半导体层之间的半导体有源层组成的第二半导体堆叠结构，以及第二DBR层，其中：所述第一半导体堆叠结构至少包括晶格常数大于所述GaAs基板的晶格常数的第1‑1半导体层，以及晶格常数小于所述GaAs基板的晶格常数的第1‑2半导体层；并且所述第二半导体堆叠结构至少包括InP。

公开(公告)号：CN116868459A

公开(公告)日：2023-10-10

申请号：CN202280016795.8

申请日：2022-01-21

Applicant: 索尼集团公司

Inventor： 横关弥树博 ,  中岛博 ,  渡边知雅 ,  塩见治典

IPC: H01S5/183

Abstract: 本技术提供了一种能够改善掩埋层的表面的平坦度同时降低掩埋层中的光的衍射损耗的表面发射激光器。根据本技术的表面发射激光器包括：第一结构，包括第一多层膜反射器；第二结构，包括第二多层膜反射器；以及谐振器，设置在第一结构与第二结构之间，其中，谐振器包括：有源层；隧道结层，设置在第一结构与有源层之间并且具有台面和与台面相邻的相邻区域；以及掩埋层，掩埋台面的周边和相邻区域的周边，并且台面与相邻区域之间的间隔小于或等于30μm。