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公开(公告)号：CN113544863B
公开(公告)日：2025-01-17
申请号：CN202080018807.1
申请日：2020-02-21
Applicant: 索尼集团公司
IPC: H10H20/824 , H10H20/825 , H10H20/841 , H01S5/183 , H01S5/343
Abstract: 一种发光元件包括：层压结构体(20)，其中层压有第一化合物半导体层(21)、活性层(23)和第二化合物半导体层(22)；第一电极(31)，电连接到第一化合物半导体层(21)；以及第二电极(32)和第二光反射层(42)，形成在第二化合物半导体层(22)上。在第一化合物半导体层(21)的第一表面上形成突出部(43)，至少在突出部(43)上形成平滑层(44)，突出部(43)和平滑层(44)构成凹面镜部分，在平滑层(44)的至少部分上形成第一光反射层(41)，并且第二光反射层(42)具有平坦形状。
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公开(公告)号：CN114946093A
公开(公告)日：2022-08-26
申请号：CN202080093129.5
申请日：2020-12-10
Applicant: 索尼集团公司
Abstract: 本公开的用于制造发光元件的方法是用于制造如下发光元件的方法，该发光元件包括：堆叠结构体20，在该堆叠结构体20中，堆叠有第一化合物半导体层、有源层23和第二化合物半导体层22；第一光反射层41；以及具有平坦形状的第二光反射层42。定位在第一化合物半导体层21的第一表面侧上的基部表面90包括在远离有源层23的方向上突起的突起部91。突起部91的截面形状由平滑曲线构成。用于制造发光元件的方法包括：在待形成突起部91的基部表面上形成第一牺牲层81；在整个表面上形成第二牺牲层82；并且然后使用第二牺牲层82和第一牺牲层81作为蚀刻掩模以从基部表面91向其内部执行蚀刻。
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公开(公告)号：CN116195148A
公开(公告)日：2023-05-30
申请号：CN202180061112.6
申请日：2021-06-30
Applicant: 索尼集团公司
IPC: H01S5/40
Abstract: 一种半导体激光元件，具有：谐振器结构，包括第一化合物半导体层、活性层以及第二化合物半导体层堆叠的堆叠结构；以及第一光反射层和第二光反射层，沿谐振器结构的谐振方向设置在两端；以及当振荡波长被设置为λ时，第一光反射层和第二光反射层中的每个包括折射率周期结构，该折射率周期结构以堆叠方式包括多个薄膜，每个薄膜具有k0(λ/4)的光学膜厚度，以及相移层，设置在所述第一光反射层和/或所述第二光反射层中的至少一个光反射层内。
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公开(公告)号：CN115298917A
公开(公告)日：2022-11-04
申请号：CN202180022292.7
申请日：2021-02-22
Applicant: 索尼集团公司
IPC: H01S5/183
Abstract: 根据本公开的发光元件包括：层压结构20，其中层压第一化合物半导体层21、活性层23和第二化合物半导体层22；第一光反射层41，形成在第一化合物半导体层21的第一表面侧上；第二光反射层42，形成在第二化合物半导体层22的第二表面侧上；第一电极31，电连接至第一化合物半导体层21；以及第二电极32，电连接至第二化合物半导体层22；发光元件设置有控制电流到活性层23的电流限制区域52。当穿过由电流限制区域52包围的电流注入区域51的中心的层压结构20的厚度方向上的轴被定义为Z轴，与Z轴正交的方向被定义为X方向，并且与X方向和Z轴正交的方向被定义为Y方向时，电流注入区域51具有纵向方向在Y方向上延伸的细长平面形状。
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公开(公告)号：CN119301832A
公开(公告)日：2025-01-10
申请号：CN202380029721.2
申请日：2023-03-06
Applicant: 索尼集团公司
Inventor： 贾里德·亚历山大·卡恩斯 , 滨口达史 , 林贤太郎 , 幸田伦太郎
Abstract: 本公开提供了新的和创新的VCSEL器件和系统。在示例中，VCSEL器件包括具有VCSEL的曲面镜面以及各向异性的曲面镜面的曲率半径(ROC)的腔镜，其中所述ROC包括四个方向，这四个方向是+x、+y、‑x、‑y，在至少一个方向上，所述ROC在大于所述VCSEL的腔长且小于标准波束宽度(ROCUL)的预定义ROC值的范围内，并且在至少一个其他方向上，所述ROC在所述范围之外。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117999715A
公开(公告)日：2024-05-07
申请号：CN202280064520.1
申请日：2022-02-18
Applicant: 索尼集团公司
Inventor： 滨口达史 , 幸田伦太郎 , 贾里德·亚历山大·卡恩斯 , 林贤太郎
Abstract: 提供了一种表面发光元件，能够实现简化的配置并且其中发光波长不受制造期间使用的基板的约束。根据本技术的表面发光元件包括至少一个发光元件部，其包括至少一个有机半导体层和设置在有机半导体层的一侧上的凹面镜。利用根据本技术的表面发光元件，可以提供一种能够实现简化配置并且其中发光波长不受制造期间使用的基板约束的表面发光元件。
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公开(公告)号：CN114982079A
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202080093169.X
申请日：2020-12-07
Applicant: 索尼集团公司
IPC: H01S5/183
Abstract: 该发光元件(10A)设置有：堆叠结构(20)，在堆叠结构中堆叠了具有第一表面(21a)和第二表面(21b)的第一化合物半导体层(21)、有源层(23)、以及具有第一表面(22a)和第二表面(22b)的第二化合物半导体层(22)；第一光反射层(41)，形成在第一化合物半导体层(21)的第一表面(21a)侧并且在远离有源层(23)的方向上具有突出的形状；以及第二光反射层(42)，形成在第二化合物半导体层(22)的第二表面(22b)侧并且具有平坦形状。形成了在堆叠结构(20)的堆叠方向上延伸的分隔壁(24)以围绕第一光反射层(41)。
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公开(公告)号：CN116868458A
公开(公告)日：2023-10-10
申请号：CN202280015205.X
申请日：2022-01-11
Applicant: 索尼集团公司
IPC: H01S5/183
Abstract: [问题]提供：具有凹面镜结构并且表现出优异的光学特性的激光元件；激光元件阵列；以及激光元件的制造方法。[解决方案]根据本技术的激光元件配备有第一光反射层、第二光反射层以及层压体。层压体包括有源层，并且具有设置在第一光反射层一侧的第一表面上的透镜。在透镜中，纵向方向被定义为第一方向并且短边方向被定义为第二方向。透镜具有朝向第一光反射层突出的透镜形状。透镜在第一方向上的中心部分具有作为沿第二方向最短宽度的第一宽度，并且透镜在第一方向上的非中心部分具有作为沿第二方向最大宽度的第二宽度。透镜的高度恒定，或者中心部分处的高度大于端部的高度。透镜在第二方向上的顶部具有恒定的曲率半径。第一光反射层层压在第一表面上，并且在透镜上形成具有凹面形状的凹面镜。
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公开(公告)号：CN116802949A
公开(公告)日：2023-09-22
申请号：CN202280013377.3
申请日：2022-01-11
Applicant: 索尼集团公司
IPC: H01S5/183
Abstract: 本发明解决了提供具有凹面镜型结构并展现出优异的偏振可控性的垂直腔面发射激光元件的问题。根据本技术的垂直腔面发射激光元件设置有第一光反射层、第二光反射层以及层叠体。该层叠体包括第一半导体层、第二半导体层和有源层，并且布置在第一光反射层和第二光反射层之间。所述层叠体具有用于限制电流并且形成电流集中的电流注入区域的电流限制结构。第一光反射层具有凹面镜，凹面镜在层叠体一侧上具有凹面并且在背对层叠体的一侧上具有凸面。当将从发射光的光轴方向观察到的电流注入区域的平面图形定义为第一图形并且将从光轴方向观察到的表示凹面镜离有源层的高度的等高线的平面图形定义为第二图形时，第一图形与第二图形不相似。
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公开(公告)号：CN118947031A
公开(公告)日：2024-11-12
申请号：CN202380032113.7
申请日：2023-03-06
Applicant: 索尼集团公司
Inventor： 牧野智大 , 滨口达史 , 贾里德·亚历山大·卡恩斯 , 林贤太郎 , 伊藤舞子
IPC: H01S5/183
Abstract: 提供了一种能够抑制结构复杂化并控制偏振方向的表面发射激光器。根据本技术的表面发射激光器包括：谐振器，包括堆叠的第一结构和第二结构；以及有源层，布置在第一结构与第二结构之间，其中，第一结构和/或第二结构设置有应力施加结构，应力施加结构将有源层在面内方向上变形的应力施加至有源层。根据本技术的表面发射激光器，可以提供能够抑制结构复杂化并且控制偏振方向的表面发射激光器。
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