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公开(公告)号:CN112585770A
公开(公告)日:2021-03-30
申请号:CN201980038532.5
申请日:2019-04-04
Applicant: 纳米技术有限公司 , 九州有机光材股份有限公司
Abstract: 本文描述了用于电致发光显示装置的发射层。发射层可以包含双掺杂剂体系,该双掺杂剂体系具有多个量子点(QD)和多个表现出热活化延迟荧光(TADF)的分子。在一些情况下,QD和TADF分子中的一种或二者可以设置于主体基质中。在一些情况下,QD和TADF分子可以设置于不同的主体基质中。在一些情况下,电致发光显示装置可以包括发射层和与发射层相邻的层,该发射层包含多个量子点(QD),该相邻层包含多个表现出热活化延迟荧光(TADF)的分子。
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公开(公告)号:CN104813482B
公开(公告)日:2017-12-19
申请号:CN201380058658.1
申请日:2013-11-08
Applicant: 纳米技术有限公司
IPC: H01L31/0224 , H01L31/0392 , H01L31/0749
CPC classification number: H01L31/0352 , H01L31/022425 , H01L31/03923 , H01L31/0749 , H01L31/18 , Y02E10/541
Abstract: 描述了光伏(PV)器件和制造其的基于溶液的方法。PV器件包括在钼基材上形成的CIGS型吸收剂层。钼基材包括紧邻吸收剂层的低密度钼层。已经发现紧邻吸收剂层的低密度钼的存在促进了吸收剂层中CIGS型半导体材料的大晶粒的生长。
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公开(公告)号:CN104813482A
公开(公告)日:2015-07-29
申请号:CN201380058658.1
申请日:2013-11-08
Applicant: 纳米技术有限公司
IPC: H01L31/0224 , H01L31/0392 , H01L31/0749
CPC classification number: H01L31/0352 , H01L31/022425 , H01L31/03923 , H01L31/0749 , H01L31/18 , Y02E10/541
Abstract: 描述了光伏(PV)器件和制造其的基于溶液的方法。PV器件包括在钼基材上形成的CIGS型吸收剂层。钼基材包括紧邻吸收剂层的低密度钼层。已经发现紧邻吸收剂层的低密度钼的存在促进了吸收剂层中CIGS型半导体材料的大晶粒的生长。
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公开(公告)号:CN112585239A
公开(公告)日:2021-03-30
申请号:CN201980038516.6
申请日:2019-04-04
Applicant: 纳米技术有限公司 , 九州有机光材股份有限公司
Abstract: 顶发射(TE)型印刷显示器的发射层包含被夹入到介于反射性底电极和透明或半透明的顶电极之间的微腔中的可溶液加工纳米晶体量子点、热活化延迟荧光分子与合适的主体材料以及电子和空穴电荷传输材料二者的组合。电极可以是反射性金属,并且发射层和电荷传输层的厚度可以根据所需共振波长以及顶半透明电极的厚度进行调节以优化共振条件并且使光输出最大化。
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公开(公告)号:CN112236498A
公开(公告)日:2021-01-15
申请号:CN201980038269.X
申请日:2019-04-05
Applicant: 纳米技术有限公司
Abstract: 电致发光装置比如电致发光显示装置的发射层包括主体基质和分散于主体基质中的双掺杂剂体系。双掺杂剂体系具有荧光发射体掺杂剂和发射供体辅助掺杂剂。发射供体辅助掺杂剂可以是荧光供体辅助掺杂剂或磷光供体辅助掺杂剂。荧光发射体掺杂剂与发射供体辅助掺杂剂之间的物理距离可以通过与荧光发射体掺杂剂的表面结合的多种封端配体来控制。
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