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公开(公告)号：CN105899462A
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：CN201480072862.3
申请日：2014-11-13
Applicant: 纳米技术有限公司
IPC: C01G15/00 , B82Y30/00 , C01B19/00 , H01L31/00 , H01L31/032 , H01L31/0352 , H01L31/0749 , H01L31/0445
CPC classification number: H01L31/0322 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B19/002 , C01G15/006 , C01P2002/72 , C01P2004/03 , C01P2006/40 , H01L31/0203 , H01L31/03923 , H01L31/075 , Y02E10/541
Abstract: 一种用于制备铜铟镓二硒化物/二硫化物(CIGS)纳米粒子的方法，其利用富铜化学计量法。将富铜CIGS纳米粒子用有机硫族元素配体覆盖，使得纳米粒子适合在有机溶剂中处理。可以将纳米粒子沉积在衬底上并在富硫族元素气氛中热处理以促使过量的铜向硒化铜或硫化铜的转化，所述硒化铜或硫化铜可以充当烧结助熔剂以促进液相烧结并因此促进大晶粒的生长。如此制备的纳米粒子可用于制造基于CIGS的光伏器件。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108840312A
公开(公告)日：2018-11-20
申请号：CN201810528285.4
申请日：2014-11-13
Applicant: 纳米技术有限公司
IPC: C01B19/00 , C01G15/00 , H01L31/0203 , H01L31/032 , H01L31/0392 , H01L31/075 , B82Y30/00 , B82Y40/00
CPC classification number: H01L31/0322 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B19/002 , C01G15/006 , C01P2002/72 , C01P2004/03 , C01P2006/40 , H01L31/0203 , H01L31/03923 , H01L31/075 , Y02E10/541
Abstract: 一种用于制备铜铟（镓）二硒化物/二硫化物(CIGS)纳米粒子的方法，其利用富铜化学计量法。将富铜CIGS纳米粒子用有机硫族元素配体覆盖，使得纳米粒子适合在有机溶剂中处理。可以将纳米粒子沉积在衬底上并在富硫族元素气氛中热处理以促使过量的铜向硒化铜或硫化铜的转化，所述硒化铜或硫化铜可以充当烧结助熔剂以促进液相烧结并因此促进大晶粒的生长。如此制备的纳米粒子可用于制造基于CIGS的光伏器件。
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公开(公告)号：CN105899462B
公开(公告)日：2018-06-22
申请号：CN201480072862.3
申请日：2014-11-13
Applicant: 纳米技术有限公司
IPC: C01G15/00 , B82Y30/00 , C01B19/00 , H01L31/00 , H01L31/032 , H01L31/0352 , H01L31/0749 , H01L31/0445
CPC classification number: H01L31/0322 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B19/002 , C01G15/006 , C01P2002/72 , C01P2004/03 , C01P2006/40 , H01L31/0203 , H01L31/03923 , H01L31/075 , Y02E10/541
Abstract: 一种用于制备铜铟镓二硒化物/二硫化物(CIGS)纳米粒子的方法，其利用富铜化学计量法。将富铜CIGS纳米粒子用有机硫族元素配体覆盖，使得纳米粒子适合在有机溶剂中处理。可以将纳米粒子沉积在衬底上并在富硫族元素气氛中热处理以促使过量的铜向硒化铜或硫化铜的转化，所述硒化铜或硫化铜可以充当烧结助熔剂以促进液相烧结并因此促进大晶粒的生长。如此制备的纳米粒子可用于制造基于CIGS的光伏器件。
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公开(公告)号：CN104813482B
公开(公告)日：2017-12-19
申请号：CN201380058658.1
申请日：2013-11-08
Applicant: 纳米技术有限公司
IPC: H01L31/0224 , H01L31/0392 , H01L31/0749
CPC classification number: H01L31/0352 , H01L31/022425 , H01L31/03923 , H01L31/0749 , H01L31/18 , Y02E10/541
Abstract: 描述了光伏(PV)器件和制造其的基于溶液的方法。PV器件包括在钼基材上形成的CIGS型吸收剂层。钼基材包括紧邻吸收剂层的低密度钼层。已经发现紧邻吸收剂层的低密度钼的存在促进了吸收剂层中CIGS型半导体材料的大晶粒的生长。
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公开(公告)号：CN105940500A
公开(公告)日：2016-09-14
申请号：CN201580006021.7
申请日：2015-01-30
Applicant: 纳米技术有限公司
IPC: H01L31/032
CPC classification number: H01L31/0322 , H01L21/02568 , H01L21/02601 , H01L21/02628 , H01L31/1864 , Y02E10/541 , Y02P70/521
Abstract: 用于使用CIGS纳米粒子在基板上制备CIGS吸收层的方法包括一个或多个退火步骤，所述退火步骤包括加热一个或多个CIGS纳米粒子膜以将膜干燥并且可以将CIGS纳米粒子熔合在一起以形成CIGS晶体。通常，至少最终退火步骤将会引起粒子熔合以形成CIGS晶体。已经发现反应性气体退火有助于所得CIGS吸收层中较大颗粒的生长并且引起那些层的提高的光伏性能。怀疑CIGS纳米粒子中碳的存在妨碍了晶粒生长并且限制了在退火时可以在CIGS膜中得到的晶体的尺寸。已经发现将CIGS纳米粒子膜暴露于含有硫的反应性气氛可以降低膜中碳的量，引起在退火时较大CIGS晶体的生长。
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公开(公告)号：CN104813482A
公开(公告)日：2015-07-29
申请号：CN201380058658.1
申请日：2013-11-08
Applicant: 纳米技术有限公司
IPC: H01L31/0224 , H01L31/0392 , H01L31/0749
CPC classification number: H01L31/0352 , H01L31/022425 , H01L31/03923 , H01L31/0749 , H01L31/18 , Y02E10/541
Abstract: 描述了光伏(PV)器件和制造其的基于溶液的方法。PV器件包括在钼基材上形成的CIGS型吸收剂层。钼基材包括紧邻吸收剂层的低密度钼层。已经发现紧邻吸收剂层的低密度钼的存在促进了吸收剂层中CIGS型半导体材料的大晶粒的生长。
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