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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107851684A
公开(公告)日：2018-03-27
申请号：CN201680027026.2
申请日：2016-03-10
Applicant: 陶氏环球技术有限责任公司 , 罗门哈斯电子材料有限责任公司 , 伊利诺伊大学评议会
Abstract: 在一个方面中，提供结构，所述结构包括：(a)多个一维周期性层，其中所述层中的至少两个具有足以提供有效对比度的折射率差异；以及(b)实际上相对于所述折射率差异界面定位的一种或多种发光纳米结构材料，其中所述结构提供偏振输出发射。
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公开(公告)号：CN105589299A
公开(公告)日：2016-05-18
申请号：CN201510742670.5
申请日：2015-11-05
Applicant: 罗门哈斯电子材料有限责任公司 , 陶氏环球技术有限责任公司
IPC: G03F7/16
CPC classification number: H01L21/0273 , H01L21/0271 , H01L21/0332 , H01L21/0337 , H01L21/31138 , G03F7/16
Abstract: 在优选方面，提供用于形成浮雕图像的方法，其包括：a)提供包含在待图案化的层上的经图案化掩模的半导体衬底；b)在所述掩模上涂覆第一组合物的层，其中所述组合物包括聚合物且将所述层涂布于所述掩模的侧壁上；c)按邻近所述掩模的所述经涂布侧壁的量在所述半导体衬底上涂覆第二组合物的层；和d)从所述掩模的所述侧壁去除所述第一组合物，由此暴露待图案化的所述层且在所述掩模侧壁与所述第二组合物层之间形成间隙以提供浮雕图像。所述方法在半导体装置制造中发现有特定适用性。
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公开(公告)号：CN107827076B
公开(公告)日：2022-04-08
申请号：CN201611247013.4
申请日：2016-12-29
Applicant: 陶氏环球技术有限责任公司 , 罗门哈斯电子材料有限责任公司 , 伊利诺伊大学评议会
Abstract: 在一个方面，提供包含光子晶体的结构，所述光子晶体包含介电层，所述介电层在其中包含一种或多种发光纳米结构材料。在另一方面，提供包含介电层的结构，所述介电层在所述介电层内的不同深度处包含第一和第二组发光纳米结构材料。
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公开(公告)号：CN107827076A
公开(公告)日：2018-03-23
申请号：CN201611247013.4
申请日：2016-12-29
Applicant: 陶氏环球技术有限责任公司 , 罗门哈斯电子材料有限责任公司 , 伊利诺伊大学评议会
CPC classification number: G02B1/005 , B82Y20/00 , B82Y40/00 , C09K11/02 , C09K11/025 , C09K11/883 , F21K9/64 , H01L33/502 , H01L33/505 , H01L2933/0083 , Y10S977/774 , Y10S977/892 , Y10S977/95 , B81B1/00 , B81C1/00349 , B82Y30/00
Abstract: 在一个方面，提供包含光子晶体的结构，所述光子晶体包含介电层，所述介电层在其中包含一种或多种发光纳米结构材料。在另一方面，提供包含介电层的结构，所述介电层在所述介电层内的不同深度处包含第一和第二组发光纳米结构材料。
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公开(公告)号：CN107851684B
公开(公告)日：2020-03-24
申请号：CN201680027026.2
申请日：2016-03-10
Applicant: 陶氏环球技术有限责任公司 , 罗门哈斯电子材料有限责任公司 , 伊利诺伊大学评议会
Abstract: 在一个方面中，提供结构，所述结构包括：(a)多个一维周期性层，其中所述层中的至少两个具有足以提供有效对比度的折射率差异；以及(b)实际上相对于所述折射率差异界面定位的一种或多种发光纳米结构材料，其中所述结构提供偏振输出发射。
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