公开(公告)号：CN113284844A

公开(公告)日：2021-08-20

申请号：CN202110116481.2

申请日：2021-01-28

Applicant: 美光科技公司

Inventor： 王淼鑫 ,  D·A·戴寇克 ,  郭杰贤 ,  曾启文 ,  C·G·埃莫 ,  卢永耀

IPC: H01L21/768 ,  H01L27/11551 ,  H01L27/11578

Abstract: 本申请涉及用于制造具有到导电楼梯梯级的接触件的微电子装置的方法及相关装置和系统。用于形成微电子装置的方法包含在堆叠结构中形成楼梯结构，所述堆叠结构具有布置在层中的绝缘和导电材料的竖直交替序列。梯级在层的横向端处。不同的纵横比的接触开口形成在邻近楼梯结构的填充材料中，其中一些开口终止于填充材料中并且其它开口暴露堆叠结构的上部层的导电材料的部分。额外的导电材料选择性地形成在导电材料的暴露部分上。最初终止于填充材料中的接触开口经延伸以暴露下部高程的导电材料的部分。形成接触件，其中一些接触件延伸到额外的导电材料且其它接触件延伸到下部高程的层的导电材料。还公开并入此类楼梯结构和接触件的微电子装置和系统。