公开(公告)号：CN115497950A

公开(公告)日：2022-12-20

申请号：CN202211246360.0

申请日：2020-08-13

Applicant: 美光科技公司

Inventor： 张晓松 ,  Y·J·胡 ,  D·A·奎利 ,  M·Z·胡斯艾因 ,  M·J·欧文 ,  D·比林斯利 ,  S·拉玛罗杰 ,  R·J·汉森 ,  王淼鑫 ,  K·W·洲

IPC: H01L27/11551 ,  H01L27/11578 ,  H01L21/768

Abstract: 本申请涉及包括包含触点通孔及导电线的结构的设备和相关方法。所述设备包括结构，所述结构包含上覆于下部绝缘材料的上部绝缘材料、下伏于所述下部绝缘材料的导电元件，及包括金属线及触点的导电材料。所述导电材料从所述上部绝缘材料的上部表面延伸到所述导电元件的上部表面。所述结构还包括邻近所述金属线的衬里材料。在所述触点外部的所述金属线的所述导电材料的最上表面的宽度相对小于所述触点的所述导电材料的最上表面的宽度。

公开(公告)号：CN117957929A

公开(公告)日：2024-04-30

申请号：CN202280063257.4

申请日：2022-08-30

Applicant: 美光科技公司

Inventor： 赵博 ,  M·J·金 ,  J·里斯 ,  M·J·戈斯曼 ,  S·K·瓦迪韦尔 ,  M·J·巴克利 ,  徐丽芳 ,  J·D·彼得松 ,  M·帕克 ,  A·L·奥尔森 ,  D·A·奎利 ,  张晓松 ,  J·B·德胡特 ,  Z·F·尤 ,  K·S·周 ,  T·M·Q·陈 ,  王淼鑫

IPC: H10B41/20 ,  H10B41/35 ,  H10B43/20 ,  H10B43/35

Abstract: 一种微电子装置包含：堆叠结构，其包含布置成层级的导电结构与绝缘结构的竖直交替序列、竖直延伸到所述堆叠结构中且在所述堆叠结构的两个内部侧壁之间界定的电介质填充开口；体育场结构，其在所述堆叠结构内且包括由所述层级中的至少一些的水平端界定的台阶；第一凸缘，其从所述体育场结构的所述台阶中的第一最上台阶向上延伸且与所述堆叠结构的所述两个内部侧壁中的第一内部侧壁对接；及第二凸缘，其从所述体育场结构的所述台阶中的第二相对最上台阶向上延伸且与所述两个内部侧壁的第二相对内部侧壁对接。

公开(公告)号：CN113284844A

公开(公告)日：2021-08-20

申请号：CN202110116481.2

申请日：2021-01-28

Applicant: 美光科技公司

Inventor： 王淼鑫 ,  D·A·戴寇克 ,  郭杰贤 ,  曾启文 ,  C·G·埃莫 ,  卢永耀

IPC: H01L21/768 ,  H01L27/11551 ,  H01L27/11578

Abstract: 本申请涉及用于制造具有到导电楼梯梯级的接触件的微电子装置的方法及相关装置和系统。用于形成微电子装置的方法包含在堆叠结构中形成楼梯结构，所述堆叠结构具有布置在层中的绝缘和导电材料的竖直交替序列。梯级在层的横向端处。不同的纵横比的接触开口形成在邻近楼梯结构的填充材料中，其中一些开口终止于填充材料中并且其它开口暴露堆叠结构的上部层的导电材料的部分。额外的导电材料选择性地形成在导电材料的暴露部分上。最初终止于填充材料中的接触开口经延伸以暴露下部高程的导电材料的部分。形成接触件，其中一些接触件延伸到额外的导电材料且其它接触件延伸到下部高程的层的导电材料。还公开并入此类楼梯结构和接触件的微电子装置和系统。

公开(公告)号：CN112397520A

公开(公告)日：2021-02-23

申请号：CN202010810979.4

申请日：2020-08-13

Applicant: 美光科技公司

Inventor： 张晓松 ,  Y·J·胡 ,  D·A·奎利 ,  M·Z·胡斯艾因 ,  M·J·欧文 ,  D·比林斯利 ,  S·拉玛罗杰 ,  R·J·汉森 ,  王淼鑫 ,  K·W·洲

IPC: H01L27/11551 ,  H01L27/11578 ,  H01L21/768

Abstract: 本申请涉及一种包括包含触点通孔及导电线的结构的设备、相关方法及存储器装置。所述设备包括结构，所述结构包含上覆于下部绝缘材料的上部绝缘材料、下伏于所述下部绝缘材料的导电元件，及包括金属线及触点的导电材料。所述导电材料从所述上部绝缘材料的上部表面延伸到所述导电元件的上部表面。所述结构还包括邻近所述金属线的衬里材料。在所述触点外部的所述金属线的所述导电材料的最上表面的宽度相对小于所述触点的所述导电材料的最上表面的宽度。

公开(公告)号：CN112397520B

公开(公告)日：2022-10-21

申请号：CN202010810979.4

申请日：2020-08-13

Applicant: 美光科技公司

Inventor： 张晓松 ,  Y·J·胡 ,  D·A·奎利 ,  M·Z·胡斯艾因 ,  M·J·欧文 ,  D·比林斯利 ,  S·拉玛罗杰 ,  R·J·汉森 ,  王淼鑫 ,  K·W·洲

IPC: H01L27/11551 ,  H01L27/11578 ,  H01L21/768

Abstract: 本申请涉及一种包括包含触点通孔及导电线的结构的设备、相关方法及存储器装置。所述设备包括结构，所述结构包含上覆于下部绝缘材料的上部绝缘材料、下伏于所述下部绝缘材料的导电元件，及包括金属线及触点的导电材料。所述导电材料从所述上部绝缘材料的上部表面延伸到所述导电元件的上部表面。所述结构还包括邻近所述金属线的衬里材料。在所述触点外部的所述金属线的所述导电材料的最上表面的宽度相对小于所述触点的所述导电材料的最上表面的宽度。