公开(公告)号：CN115036314A

公开(公告)日：2022-09-09

申请号：CN202111492144.X

申请日：2021-12-08

Applicant: 美光科技公司

Inventor： G·杨 ,  V·奈尔 ,  D·D·史莱伦 ,  A·潘戴 ,  李康乐 ,  解志强 ,  S·博尔萨里 ,  M·K·阿赫塔尔 ,  李时雨

IPC: H01L27/108 ,  H01L21/8242

Abstract: 本申请涉及一种进行电容器连接再分布的集成存储器，以及形成所述集成存储器的方法。一些实施例包含集成组件，其具有在多对电容器接触区之间的数字线接触区。所述电容器接触区布置有呈大体上矩形配置的六个邻近电容器接触区。导电插塞与所述电容器接触区耦合。导电再分布材料与所述导电插塞耦合。所述导电再分布材料的上表面布置成大体上密排六方配置。数字线在所述数字线接触区上方。绝缘区在所述数字线与所述导电插塞之间。所述绝缘区含有空隙和/或低k介电材料。电容器与所述导电再分布材料的所述上表面耦合。

公开(公告)号：CN113013165A

公开(公告)日：2021-06-22

申请号：CN202011211016.9

申请日：2020-11-03

Applicant: 美光科技公司

Inventor： 胡申 ,  刘鸿威 ,  李晓 ,  解志强 ,  C·施塔勒 ,  J·B·赫尔 ,  A·A·卡恩德卡尔 ,  T·A·菲古拉

IPC: H01L27/108 ,  H01L21/8242

Abstract: 本申请案涉及半导体结构形成。实例设备包含形成衬底材料的工作表面。所述实例设备包含形成于所述衬底材料的所述工作表面上的两个半导体结构之间的沟槽。所述实例设备进一步包含形成于与分离第一源极/漏极区域与第二源极/漏极区域的沟道区域对置的所述半导体结构的相邻侧壁上的存取线。所述实例设备进一步包含形成于所述半导体结构的所述侧壁的一部分之上的时控形成抑制剂材料。所述实例设备进一步包含形成于所述半导体结构之上以围封所述存取线之间的非实心空间的电介质材料。

公开(公告)号：CN110556382B

公开(公告)日：2024-03-08

申请号：CN201910450899.X

申请日：2019-05-28

Applicant: 美光科技公司

Inventor： 解志强 ,  C·M·卡尔森 ,  J·B·德胡特 ,  A·A·汉德卡 ,  G·莱特 ,  R·迈耶 ,  K·R·帕雷克 ,  D·帕夫洛珀罗斯 ,  K·舍罗特瑞

IPC: H10B41/35 ,  H10B41/27 ,  H10B43/35 ,  H10B43/27

公开(公告)号：CN110556382A

公开(公告)日：2019-12-10

申请号：CN201910450899.X

申请日：2019-05-28

Applicant: 美光科技公司

Inventor： 解志强 ,  C·M·卡尔森 ,  J·B·德胡特 ,  A·A·汉德卡 ,  G·莱特 ,  R·迈耶 ,  K·R·帕雷克 ,  D·帕夫洛珀罗斯 ,  K·舍罗特瑞

IPC: H01L27/11524 ,  H01L27/11556 ,  H01L27/1157 ,  H01L27/11582

Abstract: 本申请涉及竖向延伸的存储器单元串的阵列和形成竖向延伸的存储器单元串的阵列的方法。一种竖向延伸的存储器单元串的阵列包括交替的绝缘层与字线层的竖直堆叠。所述字线层具有对应于个别存储器单元的控制栅极区的末端。所述控制栅极区个别地包括所述字线层中的个别字线层中的字线的部分。所述个别存储器单元的电荷阻挡区竖向地沿着所述个别控制栅极区延伸。所述个别存储器单元的电荷存储材料竖向地沿着所述电荷阻挡区中的个别电荷阻挡区延伸。沟道材料竖向地沿着所述竖直堆叠延伸。绝缘电荷传递材料横向地位于所述沟道材料与所述电荷存储材料之间。竖向延伸的壁横向地分离所述字线中的横向紧邻的字线。所述壁包括横向外部绝缘材料和横向地横跨所述横向外部绝缘材料之间的含硅材料。所述含硅材料包括至少30原子％的元素形式硅或含硅合金中的至少一种。还公开了其它方面，包含方法。

公开(公告)号：CN111952249A

公开(公告)日：2020-11-17

申请号：CN202010320675.X

申请日：2020-04-22

Applicant: 美光科技公司

Inventor： S·幕克吉 ,  胡申 ,  A·A·卡恩德卡尔 ,  S·H·昌 ,  解志强

IPC: H01L21/8242 ,  H01L21/762

Abstract: 本申请涉及形成半导体结构的方法。描述了与使用混合氧化形成半导体相关的方法、设备和系统。一种实例方法包含在半导体衬底中形成用以创建隔离区的开口。实例方法进一步包含以第一氧化速率将第一电介质沉积到所述隔离区中。实例方法进一步包含以第二氧化速率将第二电介质沉积到所述隔离区中。

公开(公告)号：CN111755383A

公开(公告)日：2020-10-09

申请号：CN202010108314.9

申请日：2020-02-21

Applicant: 美光科技公司

Inventor： A·A·汗埃卡 ,  L·P·海内克 ,  S·博尔萨里 ,  解志强

IPC: H01L21/768

Abstract: 本申请涉及选择性介电沉积。描述了涉及在开口的侧壁上选择性地沉积内衬材料的方法、设备和系统。一种实例方法包含在开口的侧壁和开口的底部表面的介电材料上形成内衬材料，以及使用非选择性蚀刻化学物质去除所述开口的所述侧壁和所述开口的所述底部表面的第一内衬材料。所述实例方法进一步包含在所述开口的所述侧壁的所述介电材料上形成第二内衬材料以避免与所述开口的所述底部表面接触。