公开(公告)号：CN110556382B

公开(公告)日：2024-03-08

申请号：CN201910450899.X

申请日：2019-05-28

Applicant: 美光科技公司

Inventor： 解志强 ,  C·M·卡尔森 ,  J·B·德胡特 ,  A·A·汉德卡 ,  G·莱特 ,  R·迈耶 ,  K·R·帕雷克 ,  D·帕夫洛珀罗斯 ,  K·舍罗特瑞

IPC: H10B41/35 ,  H10B41/27 ,  H10B43/35 ,  H10B43/27

公开(公告)号：CN110556382A

公开(公告)日：2019-12-10

申请号：CN201910450899.X

申请日：2019-05-28

Applicant: 美光科技公司

Inventor： 解志强 ,  C·M·卡尔森 ,  J·B·德胡特 ,  A·A·汉德卡 ,  G·莱特 ,  R·迈耶 ,  K·R·帕雷克 ,  D·帕夫洛珀罗斯 ,  K·舍罗特瑞

IPC: H01L27/11524 ,  H01L27/11556 ,  H01L27/1157 ,  H01L27/11582

Abstract: 本申请涉及竖向延伸的存储器单元串的阵列和形成竖向延伸的存储器单元串的阵列的方法。一种竖向延伸的存储器单元串的阵列包括交替的绝缘层与字线层的竖直堆叠。所述字线层具有对应于个别存储器单元的控制栅极区的末端。所述控制栅极区个别地包括所述字线层中的个别字线层中的字线的部分。所述个别存储器单元的电荷阻挡区竖向地沿着所述个别控制栅极区延伸。所述个别存储器单元的电荷存储材料竖向地沿着所述电荷阻挡区中的个别电荷阻挡区延伸。沟道材料竖向地沿着所述竖直堆叠延伸。绝缘电荷传递材料横向地位于所述沟道材料与所述电荷存储材料之间。竖向延伸的壁横向地分离所述字线中的横向紧邻的字线。所述壁包括横向外部绝缘材料和横向地横跨所述横向外部绝缘材料之间的含硅材料。所述含硅材料包括至少30原子％的元素形式硅或含硅合金中的至少一种。还公开了其它方面，包含方法。