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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112928121A
公开(公告)日：2021-06-08
申请号：CN202011362075.6
申请日：2020-11-27
Applicant: 美光科技公司
IPC: H01L27/1157 , H01L27/11582
Abstract: 本申请案涉及具有三角形横向外围的半导体柱及集成组合件。一些实施例包含一种柱，其含有半导体材料并且其主要沿第一方向延伸。沿正交于所述第一方向的第二方向通过所述柱的横截面通过所述半导体材料且包含经配置为三边形的所述柱的横向外围。一些实施例包含一种具有交替的第一及第二层阶的竖直堆叠的集成组合件。所述第一层阶包含导电结构且所述第二层阶是绝缘的。沟道材料柱延伸通过所述竖直堆叠。所述沟道材料柱中的每一者具有自顶向下横截面，所述横截面包含经配置为具有修圆顶点的等边三角形的三边形的横向外围。
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公开(公告)号：CN112447246B
公开(公告)日：2024-07-05
申请号：CN202010882916.X
申请日：2020-08-28
Applicant: 美光科技公司
IPC: G11C16/34
Abstract: 本申请涉及用于减轻编程干扰的设备和方法。操作存储器的方法和被配置成执行类似方法的存储器可以包含：对串联连接存储器单元串的特定存储器单元执行读出操作；使用于所述串联连接存储器单元串的第二存储器单元的相应存取线放电到第一电压电平；使用于所述特定存储器单元的相应存取线放电到高于所述第一电压电平的第二电压电平；以及使用于所述串联连接存储器单元串的第三存储器单元的相应存取线放电到低于所述第二电压电平并且高于所述第一电压电平的第三电压电平。
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公开(公告)号：CN114303195A
公开(公告)日：2022-04-08
申请号：CN202080059560.8
申请日：2020-08-12
Applicant: 美光科技公司
Abstract: 操作存储器的方法和被配置为执行类似方法的存储器可包含：将正第一电压电平施加到选择性地连接到串联连接的存储器单元串的第一节点，同时将负第二电压电平施加到连接在所述第一节点与所述串联连接的存储器单元串之间的晶体管的控制栅极；以及将施加到所述第一节点的所述电压电平增加到第三电压电平，同时将施加到所述晶体管的所述控制栅极的所述电压电平增加到低于所述第三电压电平且高于所述第一电压电平的第四电压电平。
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公开(公告)号：CN112447246A
公开(公告)日：2021-03-05
申请号：CN202010882916.X
申请日：2020-08-28
Applicant: 美光科技公司
IPC: G11C16/34
Abstract: 本申请涉及用于减轻编程干扰的设备和方法。操作存储器的方法和被配置成执行类似方法的存储器可以包含：对串联连接存储器单元串的特定存储器单元执行读出操作；使用于所述串联连接存储器单元串的第二存储器单元的相应存取线放电到第一电压电平；使用于所述特定存储器单元的相应存取线放电到高于所述第一电压电平的第二电压电平；以及使用于所述串联连接存储器单元串的第三存储器单元的相应存取线放电到低于所述第二电压电平并且高于所述第一电压电平的第三电压电平。
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公开(公告)号：CN111161778A
公开(公告)日：2020-05-15
申请号：CN201911072556.0
申请日：2019-11-05
Applicant: 美光科技公司
Abstract: 本申请涉及非易失性存储器装置的存取线的顺序电压斜降。一些实施例包含设备及操作设备的方法。设备中的一者包含：存储器单元串，其具有第一、第二、第三、第四及第五存储器单元；存取线，其包含分别耦合到第一、第二、第三、第四及第五存储器单元的第一、第二、第三、第四及第五存取线；及模块。第一存储器单元介于第二与第三存储器单元之间。第二存储器单元介于第一与第四存储器单元之间。第三存储器单元介于第一与第五存储器单元之间。模块在存储器操作的第一时间将第一存取线耦合到接地节点、在操作的在第一时间之后的第二时间将第二及第三存取线耦合到接地节点，且在操作的在第二时间之后的第三时间将第四及第五存取线耦合到接地节点。
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