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公开(公告)号：CN113611710B
公开(公告)日：2024-04-16
申请号：CN202110891050.3
申请日：2019-09-06
Applicant: 美光科技公司
Abstract: 本申请案涉及半导体装置、电子系统和相关方法。半导体装置包括：堆叠，其包括电介质结构和导电结构的交替序列；以及沟道结构，其在竖直延伸通过所述堆叠的开口内且包括具有第一带隙的第一半导体材料。所述微电子装置还包括：导电插塞结构，其在所述开口内且与沟道区直接接触；以及能带偏移结构，其在所述开口内且与所述沟道结构和所述导电插塞结构直接物理接触。所述能带偏移结构包括具有不同于所述第一带隙的第二带隙的第二半导体材料。所述微电子装置还包括电耦合到所述导电插塞结构的导电线结构。
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公开(公告)号：CN112928121A
公开(公告)日：2021-06-08
申请号：CN202011362075.6
申请日：2020-11-27
Applicant: 美光科技公司
IPC: H01L27/1157 , H01L27/11582
Abstract: 本申请案涉及具有三角形横向外围的半导体柱及集成组合件。一些实施例包含一种柱，其含有半导体材料并且其主要沿第一方向延伸。沿正交于所述第一方向的第二方向通过所述柱的横截面通过所述半导体材料且包含经配置为三边形的所述柱的横向外围。一些实施例包含一种具有交替的第一及第二层阶的竖直堆叠的集成组合件。所述第一层阶包含导电结构且所述第二层阶是绝缘的。沟道材料柱延伸通过所述竖直堆叠。所述沟道材料柱中的每一者具有自顶向下横截面，所述横截面包含经配置为具有修圆顶点的等边三角形的三边形的横向外围。
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公开(公告)号：CN112447754A
公开(公告)日：2021-03-05
申请号：CN202010460066.4
申请日：2020-05-27
Applicant: 美光科技公司
IPC: H01L27/11568 , H01L27/11573 , H01L27/11521 , H01L27/11526
Abstract: 本申请案涉及集成存储器。一些实施例包含具有存储器单元的组合件，所述存储器单元具有作用区，所述作用区包含一对源极/漏极区之间的主体区。电荷存储材料邻近于所述主体区。导电栅极邻近于所述电荷存储材料。空穴再充电布置经配置以在空穴从所述主体区到所述电荷存储材料的注入期间补充所述主体区内的空穴。所述空穴再充电布置包含异质结构作用区，所述异质结构作用区包括具有与所述主体区不同的组合物的至少一个源极/漏极区，及/或包含将所述主体区与空穴储存区耦合的延伸部。字线与所述导电栅极耦合。第一比较数字线与所述源极/漏极区中的一者耦合，且第二比较数字线与所述源极/漏极区中的另一者耦合。
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公开(公告)号：CN116420438A
公开(公告)日：2023-07-11
申请号：CN202180074790.6
申请日：2021-10-25
Applicant: 美光科技公司
IPC: H10B43/35
Abstract: 一种电子装置包括交替的介电材料与导电材料的堆叠、垂直延伸穿过所述堆叠的支柱区、在所述支柱区内且横向邻近于所述堆叠的所述介电材料及所述导电材料的氧化物材料及横向邻近于所述氧化物材料且在所述支柱区内的存储节点。所述存储节点的电荷约束区与所述堆叠的所述导电材料水平对准。所述电荷约束区在垂直方向上的高度小于所述堆叠的相应横向邻近导电材料在所述垂直方向上的高度。还公开相关方法及系统。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115706150A
公开(公告)日：2023-02-17
申请号：CN202210949317.4
申请日：2022-08-09
Applicant: 美光科技公司
Abstract: 本公开涉及具有分段沟道翅片的选择栅极晶体管。各种应用可包含设计成在存储器擦除操作期间提供增强的栅极诱导漏极泄漏GIDL电流的存储器装置。可通过增强选择栅极晶体管的沟道结构中的电场向存储器单元串提供增强操作。所述沟道结构可实施为用于漏极的分段部分及与栅极相对的部分。所述分段部分包含一或多个翅片及一或多个非导电区域，其中翅片与非导电区域两者从与所述栅极相对的所述部分竖直地延伸。具有所述分段部分的与所述栅极相对的所述部分的边界区域的变体可包含从所述翅片延伸到与所述栅极相对的所述部分的尖角区域或在所述非导电区域下面的圆边界区域。此类选择栅极晶体管可使用单光掩模工艺形成。论述额外装置、系统及方法。
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公开(公告)号：CN114121995A
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN202111017950.1
申请日：2021-08-31
Applicant: 美光科技公司
IPC: H01L27/11575 , H01L27/11582 , G11C16/10
Abstract: 本申请案涉及包含突出到上部导柱部分中的隔离结构的微电子装置，以及相关方法和系统。微电子装置包含堆叠结构，其包括以层次布置的绝缘结构和导电结构的竖直交替序列。一连串导柱延伸穿过所述堆叠结构。至少一个隔离结构延伸穿过所述堆叠结构的上部堆叠部分。所述至少一个隔离结构突出到所述一连串导柱的导柱的相邻列的导柱中。导电触点与所述至少一个隔离结构突出到其中的所述导柱电通信。也公开相关方法和电子系统。
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公开(公告)号：CN110880515B
公开(公告)日：2021-08-24
申请号：CN201910843545.1
申请日：2019-09-06
Applicant: 美光科技公司
IPC: H01L27/1157 , H01L27/11582
Abstract: 本申请案涉及微电子装置、电子系统和相关方法。微电子装置包括：堆叠，其包括电介质结构和导电结构的交替序列；以及沟道结构，其在竖直延伸通过所述堆叠的开口内且包括具有第一带隙的第一半导体材料。所述微电子装置还包括：导电插塞结构，其在所述开口内且与沟道区直接接触；以及能带偏移结构，其在所述开口内且与所述沟道结构和所述导电插塞结构直接物理接触。所述能带偏移结构包括具有不同于所述第一带隙的第二带隙的第二半导体材料。所述微电子装置还包括电耦合到所述导电插塞结构的导电线结构。
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公开(公告)号：CN116058098A
公开(公告)日：2023-05-02
申请号：CN202180049880.X
申请日：2021-07-08
Applicant: 美光科技公司
Abstract: 一些实施例包含一种具有第一层面的集成组合件。所述第一层面具有与第一绝缘层级交替的第一存储器单元层级。第二层面在所述第一层面上方。所述第二层面具有与第二绝缘层级交替的第二存储器单元层级。单元材料柱穿过所述第一层面和所述第二层面。存储器单元沿着所述第一存储器单元层级和所述第二存储器单元层级且包含所述单元材料柱的区。中间层级在所述第一层面与所述第二层面之间。所述中间层级包含邻近所述单元材料柱的缓冲区。所述缓冲区包含不同于第一绝缘材料和第二绝缘材料且不同于第一导电区和第二导电区的组合物。一些实施例包含形成集成组合件的方法。
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公开(公告)号：CN115019845A
公开(公告)日：2022-09-06
申请号：CN202210198079.8
申请日：2022-03-02
Applicant: 美光科技公司
Abstract: 本申请涉及选择栅极栅极诱导漏极泄漏增强。各种应用可包含存储器装置，其设计成在存储器擦除操作期间提供增强型栅极诱导漏极泄漏GIDL电流。在将电压施加到最顶部选择栅极晶体管的所述栅极后，可通过增强所述最顶部选择栅极晶体管的沟道结构中的电场将增强型操作提供到存储器单元串。可通过使用分割式插塞作为接触件将此电场提供到所述最顶部选择栅极晶体管的所述沟道结构，其中所述分割式插塞具有接触所述沟道结构的一或多个导电区和接触所述沟道结构的一或多个非导电区。所述分割式插塞可为数据线与所述沟道结构之间的接触件的部分。论述额外装置、系统和方法。
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