公开(公告)号：CN107251148A

公开(公告)日：2017-10-13

申请号：CN201680008549.2

申请日：2016-01-11

Applicant: 美光科技公司

Inventor： K·M·考尔道 ,  M·米洛耶维奇 ,  D·H·韦尔斯 ,  F·D·吉利

IPC: G11C13/00 ,  G11C11/22 ,  H01L45/00

Abstract: 一种电子装置包含两个导电电极。第一电流路径从所述电极中的一个电极延伸到另一电极且具有0.5eV到3.0eV的主导热活化传导活化能。第二电流路径从所述一个电极延伸到所述另一电极且与所述第一电流路径呈电路并联式。所述第二电流路径对于在300℃与800℃之间、在不超过50℃的温度范围内升温的情况下在导电率方面呈现最小值100倍的增加，且对于在所述50℃的温度范围内降温的情况下在导电率方面呈现最小值100倍的减少。揭示其它实施例。

公开(公告)号：CN100424818C

公开(公告)日：2008-10-08

申请号：CN200480019569.7

申请日：2004-05-04

Applicant: 美光科技公司

Inventor： C·巴斯切里 ,  F·D·吉利 ,  G·S·桑胡

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/334

CPC classification number: H01L27/10855 ,  H01L27/10852 ,  H01L28/40 ,  H01L28/57

Abstract: 本发明包括在阻挡层(48)之上淀积金属氧化物电介质材料(50)的方法。该阻挡层包括金属和碳、硼、和氮中的一种或多种的合成物，该电介质材料的金属氧化物可以包括与阻挡层相同的金属。该电介质材料/阻挡层结构可以结合到电容器中。例如，该电容器可以用在DRAM单元中，该DRAM单元可以用在电子系统中。

公开(公告)号：CN107251148B

公开(公告)日：2020-10-16

申请号：CN201680008549.2

申请日：2016-01-11

Applicant: 美光科技公司

Inventor： K·M·考尔道 ,  M·米洛耶维奇 ,  D·H·韦尔斯 ,  F·D·吉利

IPC: G11C13/00 ,  G11C11/22 ,  H01L45/00

Abstract: 一种电子装置包含两个导电电极。第一电流路径从所述电极中的一个电极延伸到另一电极且具有0.5eV到3.0eV的主导热活化传导活化能。第二电流路径从所述一个电极延伸到所述另一电极且与所述第一电流路径呈电路并联式。所述第二电流路径对于在300℃与800℃之间、在不超过50℃的温度范围内升温的情况下在导电率方面呈现最小值100倍的增加，且对于在所述50℃的温度范围内降温的情况下在导电率方面呈现最小值100倍的减少。揭示其它实施例。