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公开(公告)号：CN112216698B
公开(公告)日：2024-05-24
申请号：CN202010483879.5
申请日：2020-06-01
Applicant: 美光科技公司
IPC: H10B12/00
Abstract: 本申请案涉及半导体装置中的沟道导电。一种实例设备包含第一源极/漏极区域及第二源极/漏极区域，所述第一源极/漏极区域及所述第二源极/漏极区域形成于衬底中以形成所述设备的作用区。所述第一源极/漏极区域与所述第二源极/漏极区域由沟道分离。所述设备包含与所述沟道相对的栅极。感测线耦合到所述第一源极/漏极区域且存储节点耦合到所述第二源极/漏极区域。隔离沟槽邻近于所述作用区。所述沟槽包含具有导电偏置的介电材料，所述导电偏置与所述作用区中的所述沟道的所述导电偏置相反。
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公开(公告)号：CN114121815A
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN202110771933.0
申请日：2021-07-08
Applicant: 美光科技公司
IPC: H01L21/8242 , H01L29/423
Abstract: 本申请的实施例涉及竖直三维存储器三节点存取装置形成中的替代栅极电介质。示例方法包含一种用于形成竖直堆叠的存储器胞元的阵列的方法，所述阵列具有水平定向的存取装置和竖直定向的存取线。所述方法包含沉积介电材料和牺牲半导体材料的交替层以形成竖直堆叠。穿过所述竖直堆叠形成第一竖直开口，以暴露所述牺牲半导体材料的第一区域。选择性地去除所述第一区域以形成第一水平开口，在所述第一水平开口中，替代牺牲栅极介电材料、形成所述三节点存取装置的源极/漏极导电接触材料、沟道导电材料和数位线导电接触材料。
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公开(公告)号：CN114068425A
公开(公告)日：2022-02-18
申请号：CN202110720082.7
申请日：2021-06-28
Applicant: 美光科技公司
IPC: H01L21/8242 , H01L27/108
Abstract: 提供了用于在用于竖直三维(3D)存储器的三节点存取装置形成后的存储节点的系统、方法和设备。示例方法包含一种用于形成竖直堆叠的存储器胞元的阵列的方法，所述阵列具有水平定向的存取装置和竖直定向的存取线。所述方法包含沉积介电材料和牺牲材料的交替层以形成竖直堆叠。穿过所述竖直堆叠形成多个第一竖直开口以在所述竖直堆叠中形成具有侧壁的细长竖直柱列。在所述第一竖直开口中在栅极介电材料上保形地沉积第一导电材料。去除所述第一导电材料的各部分，以沿所述细长竖直柱列的所述侧壁形成多条单独的竖直存取线。穿过所述竖直堆叠形成第二竖直开口以暴露所述牺牲材料的第一区域。
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公开(公告)号：CN116326234A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202180066457.0
申请日：2021-07-08
Applicant: 美光科技公司
IPC: H10B12/00
Abstract: 本发明提供用于水平存取装置的外延单晶硅生长的系统、方法和设备。一个示例方法包含：沉积第一电介质材料、半导体材料和第二电介质材料的层以形成竖直堆叠；形成第一竖直开口以在所述竖直堆叠中形成具有第一竖直侧壁的细长的竖直柱列；以及穿过所述竖直堆叠形成第二竖直开口以暴露第二竖直侧壁。此外，所述示例方法包含：从所述第二竖直开口选择性地去除所述半导体材料的第一部分以形成水平开口，其中所述半导体材料的其余第二部分在所述水平开口的远离所述第二竖直开口的远端；以及在所述水平开口内从所述水平开口的所述远端朝向所述第二竖直开口外延地生长单晶硅，以填充所述水平开口。
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公开(公告)号：CN114068424A
公开(公告)日：2022-02-18
申请号：CN202110654935.1
申请日：2021-06-11
Applicant: 美光科技公司
IPC: H01L21/8242 , H01L27/108
Abstract: 本公开涉及一种用于形成竖直堆叠式存储器单元的阵列的方法，阵列具有水平取向的存取装置和竖直取向的存取线，其包括：在重复迭代中沉积电介质材料和牺牲材料的交替层以形成竖直堆叠，其中牺牲材料的第一部分位于竖直堆叠的、在其中形成通过沟道区域横向分隔开的第一和第二源/漏区域的第一区域中；使用蚀刻剂工艺形成第一竖直开口，暴露出竖直堆叠中与牺牲材料的第一部分相邻的竖直侧壁；选择性地蚀刻牺牲材料的第一部分以形成第一水平开口，从而去除第一区域中从第一竖直开口向后第一水平距离的牺牲材料；以及在第一水平开口中沉积第一和第二源/漏材料和沟道材料，以在竖直堆叠式存储器单元的阵列之中形成用于存储器单元的三节点存取装置。
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公开(公告)号：CN114203639A
公开(公告)日：2022-03-18
申请号：CN202110994278.5
申请日：2021-08-27
Applicant: 美光科技公司
IPC: H01L21/8242 , H01L27/108
Abstract: 本公开涉及关于垂直3D存储器的三节点存取装置形成的栅极电介质修复，提供一种用于形成具有水平定向的存取装置及垂直定向的存取线的垂直堆叠的存储器单元阵列的方法，其包含沉积电介质材料及牺牲材料的交替层以形成垂直堆叠。形成多个第一垂直开口以在该垂直堆叠中形成伸长垂直立柱。在该多个第一垂直开口中保形地沉积栅极电介质，并在其上形成导电材料。移除该导电材料的部分以形成多个存取线。修复该栅极电介质的第一侧。形成第二垂直开口以暴露邻近该牺牲材料的第一区的侧壁。选择性移除该第一区中的该牺牲材料以形成第一水平开口。修复该栅极电介质的第二侧。在该第一水平开口中沉积第一源极/漏极区、沟道区及第二源极/漏极区。
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公开(公告)号：CN114068427A
公开(公告)日：2022-02-18
申请号：CN202110778253.1
申请日：2021-07-09
Applicant: 美光科技公司
IPC: H01L21/8242 , H01L27/108 , H01L29/10
Abstract: 本申请涉及竖直三维3D存储器的三节点存取装置中的沟道集成。实例方法包含一种用于形成具有水平定向的存取装置和竖直定向的存取线的竖直堆叠存储器单元阵列的方法。所述方法包含在重复迭代中沉积电介质材料和牺牲材料的交替层以形成竖直堆叠。蚀刻过程用于形成暴露所述竖直堆叠中邻近于第一区的竖直侧壁的第一竖直开口。选择性地蚀刻所述第一区以形成从所述第一竖直开口向后第一水平距离的去除所述牺牲材料的第一水平开口。第一源极/漏极材料、具有背沟道钝化的替换沟道材料和第二源极/漏极材料沉积在所述第一水平开口中以形成所述竖直堆叠存储器单元阵列当中的存储器单元的所述三节点存取装置。
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公开(公告)号：CN111540667A
公开(公告)日：2020-08-14
申请号：CN201911348438.8
申请日：2019-12-24
Applicant: 美光科技公司
IPC: H01L21/02 , H01L27/108
Abstract: 描述涉及在衬底材料上形成锗Ge原子层的方法、设备和系统。实例方法包含：将还原剂引入到半导体处理腔室中，所述半导体处理腔室容纳具有高纵横比的衬底材料；以及将锗脒基前体引入到所述半导体处理腔室中。所述实例方法进一步包含由于所述还原剂与所述锗脒基前体的反应而在所述衬底材料上形成锗原子层。
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公开(公告)号：CN114121815B
公开(公告)日：2022-10-21
申请号：CN202110771933.0
申请日：2021-07-08
Applicant: 美光科技公司
IPC: H01L21/8242 , H01L29/423
Abstract: 本申请的实施例涉及竖直三维存储器三节点存取装置形成中的替代栅极电介质。示例方法包含一种用于形成竖直堆叠的存储器胞元的阵列的方法，所述阵列具有水平定向的存取装置和竖直定向的存取线。所述方法包含沉积介电材料和牺牲半导体材料的交替层以形成竖直堆叠。穿过所述竖直堆叠形成第一竖直开口，以暴露所述牺牲半导体材料的第一区域。选择性地去除所述第一区域以形成第一水平开口，在所述第一水平开口中，替代牺牲栅极介电材料、形成所述三节点存取装置的源极/漏极导电接触材料、沟道导电材料和数位线导电接触材料。
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公开(公告)号：CN114068551A
公开(公告)日：2022-02-18
申请号：CN202110724573.9
申请日：2021-06-29
Applicant: 美光科技公司
IPC: H01L27/108
Abstract: 本申请涉及竖直三维3D存储器的三节点存取装置中的源极/漏极集成。实例方法包含用于形成竖直堆叠的存储器单元的阵列的方法，所述阵列具有水平定向的存取装置和竖直定向的存取线。所述方法包含以重复迭代沉积介电材料和牺牲材料的交替层以形成竖直堆叠。使用蚀刻过程来形成第一竖直开口，从而暴露所述竖直堆叠中邻近所述牺牲材料的第一区的竖直侧壁。所述第一区经选择性蚀刻以形成去除所述牺牲材料且与所述第一竖直开口相隔第一水平距离的第一水平开口。在所述第一水平开口中沉积多层第一源极/漏极材料、沟道材料和第二源极/漏极材料以形成所述竖直堆叠的存储器单元的阵列当中的存储器单元的三节点存取装置。
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