用于原位差分阻抗平衡误差测量和校正的电路

    公开(公告)号:CN107957542A

    公开(公告)日:2018-04-24

    申请号:CN201710965824.6

    申请日:2017-10-17

    Inventor: G·芒甘阿罗

    Abstract: 本公开涉及用于原位差分阻抗平衡误差测量和校正的电路。电路用于传感和补偿或减轻不平衡误差,从而恢复差分处理的预期益处。特别地,平衡系统的正分支和负分支之间的阻抗失配通过数字化通过注入合适的共模激励而开发的误差电压来传感。然后通过引入并适当地设置数字控制的阻抗来对失调进行修正,该数字控制阻抗对原始阻抗失配进行计数,从而在行使信号处理链之前原位重新平衡信号路径。

    限制模拟差分电路的老化效应

    公开(公告)号:CN105978564B

    公开(公告)日:2019-07-19

    申请号:CN201610134720.6

    申请日:2016-03-10

    CPC classification number: H03M1/06 G01R31/2642 G01R31/2872 H03M1/12

    Abstract: 本发明涉及限制模拟差分电路的老化效应。例如使用深纳米互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺制造的设备的老化效应可导致电路随着时间显示出不期望的失配累积。为了解决老化效应,M个差分电路的阵列的连接被控制,以限制和系统地减少或反转老化效应。在一个实施例中,控制排列序列被选择以在至少两个不同的时间段强调M个差分电路阵列在相对应力条件下。施加相反的应力条件(优选基本上相等的相对应力条件)可以反向失配累积的方向,并随时间限制失配累积在可接受的限度之内。控制排列序列可以应用到模数转换器的比较的阵列,或折叠模数转换器的差分放大器的阵列。

    随机四元切换
    5.
    发明公开

    公开(公告)号:CN107147391A

    公开(公告)日:2017-09-08

    申请号:CN201710116820.0

    申请日:2017-03-01

    CPC classification number: H03M1/0863 H03M1/0673 H03M1/0678 H03M1/742

    Abstract: 本公开提供了随机四元切换。减少数模转换器中的失真对于电路设计者是一个挑战。对于电流导引数模转换器(DAC),已经使用四元开关方案来去除否则存在于双开关方案中的取决于代码的毛刺。然而,由于电路中的各种损伤,例如晶体管中的失配,即使当实现四元切换方案时,一些码依赖的失真仍然存在。为了解决这个问题,四元切换方案可以随机化以改善动态线性度,同时放宽驱动电路设计和功率约束。有利地,随机化减少了失真的码依赖性,并且使得失真在DAC的输出处看起来更像噪声。

    随机四元切换
    6.
    发明授权

    公开(公告)号:CN107147391B

    公开(公告)日:2021-04-06

    申请号:CN201710116820.0

    申请日:2017-03-01

    Abstract: 本公开提供了随机四元切换。减少数模转换器中的失真对于电路设计者是一个挑战。对于电流导引数模转换器(DAC),已经使用四元开关方案来去除否则存在于双开关方案中的取决于代码的毛刺。然而,由于电路中的各种损伤,例如晶体管中的失配,即使当实现四元切换方案时,一些码依赖的失真仍然存在。为了解决这个问题,四元切换方案可以随机化以改善动态线性度,同时放宽驱动电路设计和功率约束。有利地,随机化减少了失真的码依赖性,并且使得失真在DAC的输出处看起来更像噪声。

    用于原位差分阻抗平衡误差测量和校正的电路

    公开(公告)号:CN107957542B

    公开(公告)日:2021-02-19

    申请号:CN201710965824.6

    申请日:2017-10-17

    Inventor: G·芒甘阿罗

    Abstract: 本公开涉及用于原位差分阻抗平衡误差测量和校正的电路。电路用于传感和补偿或减轻不平衡误差,从而恢复差分处理的预期益处。特别地,平衡系统的正分支和负分支之间的阻抗失配通过数字化通过注入合适的共模激励而开发的误差电压来传感。然后通过引入并适当地设置数字控制的阻抗来对失调进行修正,该数字控制阻抗对原始阻抗失配进行计数,从而在行使信号处理链之前原位重新平衡信号路径。

    限制模拟差分电路的老化效应

    公开(公告)号:CN105978564A

    公开(公告)日:2016-09-28

    申请号:CN201610134720.6

    申请日:2016-03-10

    Abstract: 本发明涉及限制模拟差分电路的老化效应。例如使用深纳米互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺制造的设备的老化效应可导致电路随着时间显示出不期望的失配累积。为了解决老化效应,M个差分电路的阵列的连接被控制,以限制和系统地减少或反转老化效应。在一个实施例中,控制排列序列被选择以在至少两个不同的时间段强调M个差分电路阵列在相对应力条件下。施加相反的应力条件(优选基本上相等的相对应力条件)可以反向失配累积的方向,并随时间限制失配累积在可接受的限度之内。控制排列序列可以应用到模数转换器的比较的阵列,或折叠模数转换器的差分放大器的阵列。

Patent Agency Ranking