三轴磁传感器
    1.
    发明公开

    公开(公告)号:CN103376425A

    公开(公告)日:2013-10-30

    申请号:CN201210120464.7

    申请日:2012-04-23

    Abstract: 本发明涉及一种三轴磁传感器,其包括有衬底层。其中衬底层沿X和Y轴方向上分别设置有第一、第二斜坡,第一、第二斜坡上沿斜坡倾斜的方向上分别设置有第一、第二传感器单元。第一传感器单元和第二传感器单元分别感应水平方向以及竖直方向上的磁信号并输出探测值,从而完成对X、Y及Z轴三个方向上的磁信号的探测。本发明涉及的三轴磁传感器结构简单,成本较低。

    单芯片电流传感器及其制造方法

    公开(公告)号:CN103323643A

    公开(公告)日:2013-09-25

    申请号:CN201210075017.4

    申请日:2012-03-20

    Abstract: 本发明涉及一种单芯片电流传感器及其制造方法,其中单芯片电流传感器是根据被测定电流产生的磁感应强度来检测所述被测定电流,其包括流过所述被测定电流的导体,以及位于导体周围的两个磁传感器,所述导体和两个磁传感器集成在同一芯片上。本发明不仅能够消除外界磁场干扰,提高性能稳定性和灵敏度,还能够提高产品集成度,减小产品体积,降低生产成本。

    单芯片电流传感器及其制造方法

    公开(公告)号:CN103323643B

    公开(公告)日:2016-06-29

    申请号:CN201210075017.4

    申请日:2012-03-20

    Abstract: 本发明涉及一种单芯片电流传感器及其制造方法,其中单芯片电流传感器是根据被测定电流产生的磁感应强度来检测所述被测定电流,其包括流过所述被测定电流的导体,以及位于导体周围的两个磁传感器,所述导体和两个磁传感器集成在同一芯片上。本发明不仅能够消除外界磁场干扰,提高性能稳定性和灵敏度,还能够提高产品集成度,减小产品体积,降低生产成本。

    三轴磁传感器
    4.
    实用新型

    公开(公告)号:CN202548308U

    公开(公告)日:2012-11-21

    申请号:CN201220174616.7

    申请日:2012-04-23

    Abstract: 本实用新型涉及一种三轴磁传感器,其包括有衬底层。其中衬底层沿X和Y轴方向上分别设置有第一、第二斜坡,第一、第二斜坡上沿斜坡倾斜的方向上分别设置有第一、第二传感器单元。第一传感器单元和第二传感器单元分别感应水平方向以及竖直方向上的磁信号并输出探测值,从而完成对X、Y及Z轴三个方向上的磁信号的探测。本实用新型涉及的三轴磁传感器结构简单,成本较低。

    单芯片电流传感器
    5.
    实用新型

    公开(公告)号:CN202548183U

    公开(公告)日:2012-11-21

    申请号:CN201220108185.4

    申请日:2012-03-20

    Abstract: 本实用新型涉及一种单芯片电流传感器,其是根据被测定电流产生的磁感应强度来检测所述被测定电流,其包括流过所述被测定电流的导体,以及位于导体周围的两个磁传感器,所述导体和两个磁传感器集成在同一芯片上。本实用新型不仅能够消除外界磁场干扰,提高性能稳定性和灵敏度,还能够提高产品集成度,减小产品体积,降低生产成本。

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