公开(公告)号：CN105140390A

公开(公告)日：2015-12-09

申请号：CN201510617621.9

申请日：2015-09-24

Applicant: 美新半导体(无锡)有限公司

Inventor： 蒋乐跃 ,  沈佳 ,  顾文斌

IPC: H01L43/12 ,  H01L43/00 ,  H01L43/02

CPC classification number: H01L43/12 ,  H01L43/00 ,  H01L43/02

Abstract: 本发明提供一种AMR传感器及其制造方法。所述制造方法包括：提供一个基底；在施加外部磁场的情况下，在所述基底上沉积磁阻材料形成磁阻层；光刻、刻蚀所述磁阻层使得所述磁阻层形成第一预定义图形；在所述磁阻层上沉积绝缘材料形成绝缘层；光刻、刻蚀所述绝缘层使得所述绝缘层形成第二预定义图形；在所述绝缘层上沉积导电材料形成导电层；光刻、刻蚀所述导电层使得所述导电层形成第三预定义图形。这样，可以避免由于过刻损伤到下层的磁阻层即MRS磁性薄膜材料损伤，提高工艺的稳定性以及可操作性，避免最终器件性能受影响。

公开(公告)号：CN205050876U

公开(公告)日：2016-02-24

申请号：CN201520748582.1

申请日：2015-09-24

Applicant: 美新半导体(无锡)有限公司

Inventor： 蒋乐跃 ,  沈佳 ,  顾文斌

IPC: H01L43/00 ,  H01L43/02

Abstract: 本实用新型提供一种AMR传感器，其包括：基底；形成于基底上的多个磁阻条；形成于每个磁阻条上并填充相邻磁阻条之间的间隙的若干个绝缘条；填充相邻绝缘条之间的间隙的若干个导电条；其中每个磁阻条上设有若干个导电条。这样，可以避免由于过刻损伤到下层的磁阻层即MRS磁性薄膜材料损伤，提高工艺的稳定性以及可操作性，避免最终器件性能受影响。