公开(公告)号：CN110504240A

公开(公告)日：2019-11-26

申请号：CN201810466671.5

申请日：2018-05-16

Applicant: 联华电子股份有限公司

Inventor： 李文深 ,  温晋炀 ,  马瑞吉 ,  陈星星 ,  黄志豪

IPC: H01L23/538 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L21/768

Abstract: 本发明公开一种半导体元件及其制造方法。所述半导体元件包括绝缘层、半导体层、多个隔离结构、晶体管、第一接触窗、多个硅化物层以及保护层。绝缘层具有相对的正面与背面。半导体层配置在绝缘层的正面上。多个隔离结构配置在半导体层中。晶体管配置在半导体层上。第一接触窗配置在晶体管旁，且贯穿多个隔离结构中的一者及其下方的绝缘层。多个硅化物层分别配置在第一接触窗的底面上与晶体管的源极、漏极以及栅极上。保护层配置在第一接触窗与绝缘层之间。

公开(公告)号：CN110504240B

公开(公告)日：2021-08-13

申请号：CN201810466671.5

申请日：2018-05-16

Applicant: 联华电子股份有限公司

Inventor： 李文深 ,  温晋炀 ,  马瑞吉 ,  陈星星 ,  黄志豪

IPC: H01L23/538 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L21/768

Abstract: 本发明公开一种半导体元件及其制造方法。所述半导体元件包括绝缘层、半导体层、多个隔离结构、晶体管、第一接触窗、多个硅化物层以及保护层。绝缘层具有相对的正面与背面。半导体层配置在绝缘层的正面上。多个隔离结构配置在半导体层中。晶体管配置在半导体层上。第一接触窗配置在晶体管旁，且贯穿多个隔离结构中的一者及其下方的绝缘层。多个硅化物层分别配置在第一接触窗的底面上与晶体管的源极、漏极以及栅极上。保护层配置在第一接触窗与绝缘层之间。