公开(公告)号：CN101326613B

公开(公告)日：2010-12-08

申请号：CN200580052258.5

申请日：2005-12-07

Applicant: 艾克塞利斯技术公司 ,  休斯顿大学

Inventor： J·沃尔夫 ,  A·斯里瓦斯塔瓦 ,  I·贝里 ,  P·萨克蒂维尔

IPC: H01J37/32

CPC classification number: H01J37/32192 ,  H01J37/32752 ,  H01J2237/3346

Abstract: 提供了用于从半导体晶片去除光致抗蚀剂或其他有机化合物的系统和方法。非氟化的反应剂气体(O2、H2、H2O、N2等)在石英管内通过中等压力的表面波放电激活。当等离子体射流冲击在基片上时，挥发性反应产物(H2O、CO2或低分子量的碳氢化合物)选择性地从表面去除光致抗蚀剂。中等压力也实现了在晶片上的反应区内提供了有效的热源的高的气体温度，这提高了蚀刻速度且提供了去除植入离子的光致抗蚀剂的实用的方式。

公开(公告)号：CN101326613A

公开(公告)日：2008-12-17

申请号：CN200580052258.5

申请日：2005-12-07

Applicant: 艾克塞利斯技术公司 ,  休斯顿大学

Inventor： J·沃尔夫 ,  A·斯里瓦斯塔瓦 ,  I·贝里 ,  P·萨克蒂维尔

IPC: H01J37/32

CPC classification number: H01J37/32192 ,  H01J37/32752 ,  H01J2237/3346

Abstract: 提供了用于从半导体晶片去除光致抗蚀剂或其他有机化合物的系统和方法。非氟化的反应剂气体(O2、H2、H2O、N2等)在石英管内通过中等压力的表面波放电激活。当等离子体射流冲击在基片上时，挥发性反应产物(H2O、CO2或低分子量的碳氢化合物)选择性地从表面去除光致抗蚀剂。中等压力也实现了在晶片上的反应区内提供了有效的热源的高的气体温度，这提高了蚀刻速度且提供了去除植入离子的光致抗蚀剂的实用的方式。

公开(公告)号：CN101145520A

公开(公告)日：2008-03-19

申请号：CN200710128771.9

申请日：2002-12-02

Applicant: 艾克塞利斯技术公司

Inventor： A·亚诺斯 ,  I·贝里 ,  A·辛诺特 ,  K·斯图尔特

IPC: H01L21/268

CPC classification number: H01L29/66825 ,  H01L21/268 ,  H01L21/28176

Abstract: 一种用于通过光学手段减少集成电路中的电荷累积的过程包括将所述集成电路或者其中部分暴露在宽带辐射源下。该过程有效地减少了在制造集成电路中产生的电荷累积。

公开(公告)号：CN101208770B

公开(公告)日：2010-10-27

申请号：CN200580050233.1

申请日：2005-06-22

Applicant: 艾克塞利斯技术公司

Inventor： C·瓦德弗里德 ,  C·加默 ,  O·埃斯科尔西亚 ,  I·贝里 ,  P·萨克蒂韦尔

IPC: H01L21/00

CPC classification number: H01L21/67115

Abstract: 一种用于处理介电材料诸如低k值介电材料、电容材料、阻挡层及类似物的设备和方法，总体上包括辐射源模组、耦连到辐射源模组的处理腔、和与该处理腔及晶片装卸器成操作性相通的的传送腔模组。可以根据不同类型的介电材料的需要，控制每个模组的气氛环境。该辐射源模组包括反射器、紫外线辐射源、和能透射约150纳米到约300纳米波长的板，以限定密封内部区域，其中该密封内部区域与第一流体源成流体相通。

公开(公告)号：CN100565807C

公开(公告)日：2009-12-02

申请号：CN200710128771.9

申请日：2002-12-02

Applicant: 艾克塞利斯技术公司

Inventor： A·亚诺斯 ,  I·贝里 ,  A·辛诺特 ,  K·斯图尔特

IPC: H01L21/268

CPC classification number: H01L29/66825 ,  H01L21/268 ,  H01L21/28176

Abstract: 一种用于通过光学手段减少集成电路中的电荷累积的过程包括将所述集成电路或者其中部分暴露在宽带辐射源下。该过程有效地减少了在制造集成电路中产生的电荷累积。

公开(公告)号：CN101208770A

公开(公告)日：2008-06-25

申请号：CN200580050233.1

申请日：2005-06-22

Applicant: 艾克塞利斯技术公司

Inventor： C·瓦德弗里德 ,  C·加默 ,  O·埃斯科尔西亚 ,  I·贝里 ,  P·萨克蒂韦尔

IPC: H01L21/00

CPC classification number: H01L21/67115

Abstract: 一种用于处理介电材料诸如低k值介电材料、电容材料、阻挡层及类似物的设备和方法，总体上包括辐射源模组、耦连到辐射源模组的处理腔、和与该处理腔及晶片装卸器成操作性相通的传送腔模组。可以根据不同类型的介电材料的需要，控制每个模组的气氛环境。该辐射源模组包括反射器、紫外线辐射源、和能透射约150纳米到约300纳米波长的板，以限定密封内部区域，其中该密封内部区域与第一流体源成流体相通。

公开(公告)号：CN100530564C

公开(公告)日：2009-08-19

申请号：CN200580046506.5

申请日：2005-11-08

Applicant: 艾克塞利斯技术公司

Inventor： C·沃尔弗里德 ,  O·埃斯科尔恰 ,  I·贝里

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/3105

CPC classification number: H01L21/76825 ,  C23C16/56 ,  H01L21/02107 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02337 ,  H01L21/02348 ,  H01L21/31051 ,  H01L21/31058 ,  H01L21/31695 ,  H01L21/76826

Abstract: 用于密封多孔低k介电膜的方法，通常包括将多孔低k介电膜的表面暴露于紫外(UV)辐射，其强度、时间、波长和环境有效地通过碳化、氧化和/或膜致密，密封该多孔介电表面。该多孔低k介电材料的表面被密封到小于或等于约20纳米的深度，其中该表面在UV暴露之后基本不含孔。

公开(公告)号：CN101099232A

公开(公告)日：2008-01-02

申请号：CN200580046506.5

申请日：2005-11-08

Applicant: 艾克塞利斯技术公司

Inventor： C·沃尔弗里德 ,  O·埃斯科尔恰 ,  I·贝里

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/3105

CPC classification number: H01L21/76825 ,  C23C16/56 ,  H01L21/02107 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02337 ,  H01L21/02348 ,  H01L21/31051 ,  H01L21/31058 ,  H01L21/31695 ,  H01L21/76826

Abstract: 用于密封多孔低k介电膜的方法，通常包括将多孔低k介电膜的表面暴露于紫外(UV)辐射，其强度、时间、波长和环境有效地通过碳化、氧化和/或膜致密，密封该多孔介电表面。该多孔低k介电材料的表面被密封到小于或等于约20纳米的深度，其中该表面在UV暴露之后基本不含孔。

公开(公告)号：CN100336205C

公开(公告)日：2007-09-05

申请号：CN02823776.5

申请日：2002-12-02

Applicant: 艾克塞利斯技术公司

Inventor： A·亚诺斯 ,  I·贝里 ,  A·辛诺特 ,  K·斯图尔特

IPC: H01L21/8247

CPC classification number: H01L29/66825 ,  H01L21/268 ,  H01L21/28176

Abstract: 一种用于通过光学手段减少集成电路中的电荷累积的方法包括将所述集成电路或者其中部分暴露在宽带辐射源下。该过程有效地减少了在制造集成电路中产生的电荷累积。

公开(公告)号：CN1596467A

公开(公告)日：2005-03-16

申请号：CN02823776.5

申请日：2002-12-02

Applicant: 艾克塞利斯技术公司

Inventor： A·亚诺斯 ,  I·贝里 ,  A·辛诺特 ,  K·斯图尔特

IPC: H01L21/8247

CPC classification number: H01L29/66825 ,  H01L21/268 ,  H01L21/28176

Abstract: 一种用于通过光学手段减少集成电路中的电荷累积的过程包括将所述集成电路或者其中部分暴露在宽带辐射源下。该过程有效地减少了在制造集成电路中产生的电荷累积。