经改进的扫描离子注入期间的离子束利用

    公开(公告)号:CN101061563B

    公开(公告)日:2012-01-11

    申请号:CN200580039355.0

    申请日:2005-09-08

    Inventor: M·葛瑞夫 A·芮

    Abstract: 在连续注入工艺中,以产生与工件的尺寸、形状和/或其他尺寸相仿的扫描图案的方式将离子注入工件。当工件往复通过的离子束未明显“过冲”工件时,就可以提高效率和产量。然而,扫描图案可略大于该工件,以在少量“过冲”内适应在往复地反转方向时与该工件的方向、速度和/或加速度相关联的惯性效应。这有助于以比较固定的速度移动工件通过离子束,从而基本上实现更均匀的离子注入。

    用于离子注入器的离子源

    公开(公告)号:CN101167154B

    公开(公告)日:2010-10-13

    申请号:CN200680003793.6

    申请日:2006-01-31

    CPC classification number: H01J37/08 H01J27/08 H01J37/3171

    Abstract: 提供了一种离子注入器,其包括源、工件支撑、和将离子从源传送到离子注入弧光室的传输系统,其中离子注入弧光室包括工件支撑。离子源具有弧光室,用于将引导至弧光室内的源材料离子化,弧光室限定有出口孔洞,以将离子引导至传输系统,弧光室包括弧光室凸缘,其与弧光室相连,并包括第一表面,第一表面限定了从源接受气体的气体入口,还限定了通向弧光室内的气体出口。弧光室支撑包括支撑凸缘,凸缘具有顺应表面,此顺应表面在气体入口区域与弧光室凸缘的第一表面密封接合,弧光室支撑还包括与气体入口对准的贯穿通道。气体供应管线将气体从气体源通过支撑凸缘的贯穿通道,引导至弧光室凸缘的气体入口内。

    靠近连续注入机最后能量过滤器中弯折部的闭环回路剂量控制剂量杯

    公开(公告)号:CN101238539B

    公开(公告)日:2010-10-06

    申请号:CN200580051298.8

    申请日:2005-06-06

    Inventor: R·拉思梅尔

    CPC classification number: H01J37/3171 H01J37/05

    Abstract: 一种离子注入系统(600),具有靠近连续离子注入机的扫描或条带状离子束最后能量弯折定位的剂量杯(634),以用于提供与工件或晶片的剂量相关联的精确离子流测量。该系统包括具有用于产生条带状离子束(602)的离子束源的离子注入机。该系统还包括角能量过滤器(AEF)系统,其配置成通过在最后能量弯折部弯折该离子束以过滤该条带状离子束的能量。该AEF系统还包括与该AEF系统相关联且配置成测量离子束流的AEF剂量杯,该剂量杯基本上紧接着在该最后能量弯折部之后定位。位于该AEF系统下游的终端站(610)由室定义,其中工件紧固在适当位置,以相对于该条带状离子束而移动,以将离子注入于该工件。该AEF剂量杯有利地置于该终端站的上游靠近该最后能量弯折部,从而减轻了由于在该工件上的注入操作造成的气体释出所产生的压力变化。因此,该系统可在这些气体在离子束里产生显著数量的中性粒子之前,提供精确的离子流测量,而通常无须压力补偿。这种剂量测量的测量结果也可用于在出现从该离子源的离子流变化以及从该工件的气体释出时影响该扫描速度,以确保均匀的闭环回路剂量控制。

    用于使工件往复经过离子束的方法

    公开(公告)号:CN101006545B

    公开(公告)日:2010-09-08

    申请号:CN200580011936.3

    申请日:2005-04-05

    Abstract: 提供了一种用于交互传送扫描臂上的工件通过离子束的方法,其中扫描臂可操作为耦合到包括可绕第一轴独立旋转的转子和定子的马达。施加在转子和定子之间的电磁作用力绕第一轴旋转转子并且沿第一扫描路径平移工件通过离子束。感应工件的位置并且控制转子和定子之间的电磁作用力以便反转工件沿第一扫描路径的动作方向,并且其中该控制至少部分基于所感应的工件位置。定子进一步反作用于转子的旋转绕第一轴旋转,特别是在工件的动作方向的反转室,因而作为转子、扫描臂和工件中的一个或多个的旋转的反作用质量。

    偏转加速/减速间隙
    9.
    发明授权

    公开(公告)号:CN1777972B

    公开(公告)日:2010-06-09

    申请号:CN200480010693.7

    申请日:2004-02-20

    CPC classification number: H01J37/3171 H01J37/1472

    Abstract: 披露了一种用于使离子束中的离子加速/减速的加速结构和相关方法。所述结构和相关方法适用于在半导体制造过程中将离子选择性地注入工件或晶片内以对所述晶片区域进行选择性掺杂。除了使离子加速和/或减速外,本发明的多个方面用以使离子束中的离子聚焦以及偏转。这通过引导所述离子束通过电极而得以实现,所述电极具有穿过其形成的电位。由于所述射束内的电中性污染物不受电位影响且继续大体上沿所述离子束的初始路径行进,因此离子束还得以净化。电极还被布置以便使所述射束不得不行进的距离最小化,由此减小射束放大的可能。

    受控剂量离子注入
    10.
    发明授权

    公开(公告)号:CN100583377C

    公开(公告)日:2010-01-20

    申请号:CN200580038756.4

    申请日:2005-09-08

    CPC classification number: H01J37/304 H01J37/3171 H01J2237/30472

    Abstract: 一种离子注入机,用于产生扁带或带状束,其具有一种扫描装置,该扫描装置对由一源所发射的离子进行横向扫描,以提供移动至一注入室内的薄离子束。一工件支撑件将工件定位于注入室之内,且一驱动器使得该工件支撑件垂直于该扁带的平面而上下移动,以通过该薄的带状离子束,以实现对工件的受控束处理。一控制器包括:第一控制输出,其耦合至扫描装置,将对该离子束的横向扫描范围限制成小于一最大量,并由此将对该工件的离子处理限制到该工件的一指定区域;及第二控制输出,其耦合至该驱动器,同时将该工件的上下移动范围限制成小于一最大量,且使得离子束冲击工件的受控部分。

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