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公开(公告)号：CN117878009A
公开(公告)日：2024-04-12
申请号：CN202311776545.7
申请日：2017-03-28
Applicant: 艾马克科技公司
IPC: H01L21/67 , H01L21/60 , H01L23/488
Abstract: 雷射辅助接合系统及制造半导体装置的方法。一种制造一半导体装置的方法，该方法包括：将一半导体晶粒设置在一基板上；将雷射辐射透射穿过至少一射束过滤器，其中从至少该射束过滤器输出的雷射辐射同时：利用在一第一强度位准的一第一平顶的雷射射束来照射该半导体晶粒的一第一区域；以及利用在一不同于该第一强度位准的第二强度位准的一第二平顶的雷射射束来照射该半导体晶粒的一第二区域作为非限制性的例子，此揭露内容的各种特点提供例如在空间上及/或时间上强化或控制一半导体晶粒的雷射照射的系统及方法，以改善该半导体晶粒至一基板的接合。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117878011A
公开(公告)日：2024-04-12
申请号：CN202311781324.9
申请日：2017-03-28
Applicant: 艾马克科技公司
IPC: H01L21/67 , H01L21/60 , H01L23/488
Abstract: 雷射辅助接合系统及制造半导体装置的方法。一种制造一半导体装置的方法，该方法包括：将一半导体晶粒设置在一基板上；将雷射辐射透射穿过至少一射束过滤器，其中从至少该射束过滤器输出的雷射辐射同时：利用在一第一强度位准的一第一平顶的雷射射束来照射该半导体晶粒的一第一区域；以及利用在一不同于该第一强度位准的第二强度位准的一第二平顶的雷射射束来照射该半导体晶粒的一第二区域作为非限制性的例子，此揭露内容的各种特点提供例如在空间上及/或时间上强化或控制一半导体晶粒的雷射照射的系统及方法，以改善该半导体晶粒至一基板的接合。
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公开(公告)号：CN117878010A
公开(公告)日：2024-04-12
申请号：CN202311778384.5
申请日：2017-03-28
Applicant: 艾马克科技公司
IPC: H01L21/67 , H01L21/60 , H01L23/488
Abstract: 雷射辅助接合系统及制造半导体装置的方法。一种制造一半导体装置的方法，该方法包括：将一半导体晶粒设置在一基板上；将雷射辐射透射穿过至少一射束过滤器，其中从至少该射束过滤器输出的雷射辐射同时：利用在一第一强度位准的一第一平顶的雷射射束来照射该半导体晶粒的一第一区域；以及利用在一不同于该第一强度位准的第二强度位准的一第二平顶的雷射射束来照射该半导体晶粒的一第二区域作为非限制性的例子，此揭露内容的各种特点提供例如在空间上及/或时间上强化或控制一半导体晶粒的雷射照射的系统及方法，以改善该半导体晶粒至一基板的接合。
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公开(公告)号：CN107301965B
公开(公告)日：2023-12-22
申请号：CN201710193406.X
申请日：2017-03-28
Applicant: 艾马克科技公司
IPC: H01L21/67
Abstract: 雷射辅助接合系统及制造半导体装置的方法。一种制造一半导体装置的方法，该方法包括：将一半导体晶粒设置在一基板上；将雷射辐射透射穿过至少一射束过滤器，其中从至少该射束过滤器输出的雷射辐射同时：利用在一第一强度位准的一第一平顶的雷射射束来照射该半导体晶粒的一第一区域；以及利用在一不同于该第一强度位准的第二强度位准的一第二平顶的雷射射束来照射该半导体晶粒的一第二区域作为非限制性的例子，此揭露内容的各种特点提供例如在空间上及/或时间上强化或控制一半导体晶粒的雷射照射的系统及方法，以改善该半导体晶粒至一基板的接合。
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公开(公告)号：CN107301965A
公开(公告)日：2017-10-27
申请号：CN201710193406.X
申请日：2017-03-28
Applicant: 艾马克科技公司
IPC: H01L21/67
CPC classification number: H01L21/4853 , G02B27/0927 , H01L23/3128 , H01L24/75 , H01L24/81 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L2021/60112 , H01L2224/16145 , H01L2224/16227 , H01L2224/73204 , H01L2224/75263 , H01L2224/81002 , H01L2224/81007 , H01L2224/81191 , H01L2224/81224 , H01L2224/81815 , H01L2224/92125 , H01L2225/06513 , H01L2924/15311 , H01L2924/18161 , H01L2924/3511 , H01L21/67092 , H01L21/67115
Abstract: 雷射辅助接合系统及制造半导体装置的方法。一种制造一半导体装置的方法，该方法包括：将一半导体晶粒设置在一基板上；将雷射辐射透射穿过至少一射束过滤器，其中从至少该射束过滤器输出的雷射辐射同时：利用在一第一强度位准的一第一平顶的雷射射束来照射该半导体晶粒的一第一区域；以及利用在一不同于该第一强度位准的第二强度位准的一第二平顶的雷射射束来照射该半导体晶粒的一第二区域作为非限制性的例子，此揭露内容的各种特点提供例如在空间上及/或时间上强化或控制一半导体晶粒的雷射照射的系统及方法，以改善该半导体晶粒至一基板的接合。
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公开(公告)号：CN206657803U
公开(公告)日：2017-11-21
申请号：CN201720311496.3
申请日：2017-03-28
Applicant: 艾马克科技公司
IPC: H01L21/67
CPC classification number: H01L21/4853 , H01L23/3128 , H01L24/81 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L2021/60112 , H01L2224/16145 , H01L2224/16227 , H01L2224/73204 , H01L2224/81005 , H01L2224/81815 , H01L2224/92125 , H01L2225/06513 , H01L2924/15311 , H01L2924/18161 , H01L2924/3511
Abstract: 雷射辅助接合系统。一种雷射辅助接合系统，其包含:射束过滤器，其操作以接收输入雷射辐射以及输出雷射辐射，同时：以第一强度位准照射半导体晶粒的第一区域；以及以不同于该第一强度位准的第二强位准照射该半导体晶粒的第二区域。此揭露内容的各种特点提供例如在空间上及/或时间上强化或控制一半导体晶粒的雷射照射的系统，以改善该半导体晶粒至一基板的接合。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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