雷射辅助接合系统及制造半导体装置的方法

    公开(公告)号:CN117878009A

    公开(公告)日:2024-04-12

    申请号:CN202311776545.7

    申请日:2017-03-28

    Abstract: 雷射辅助接合系统及制造半导体装置的方法。一种制造一半导体装置的方法,该方法包括:将一半导体晶粒设置在一基板上;将雷射辐射透射穿过至少一射束过滤器,其中从至少该射束过滤器输出的雷射辐射同时:利用在一第一强度位准的一第一平顶的雷射射束来照射该半导体晶粒的一第一区域;以及利用在一不同于该第一强度位准的第二强度位准的一第二平顶的雷射射束来照射该半导体晶粒的一第二区域作为非限制性的例子,此揭露内容的各种特点提供例如在空间上及/或时间上强化或控制一半导体晶粒的雷射照射的系统及方法,以改善该半导体晶粒至一基板的接合。

    制造电子装置的方法
    2.
    发明公开

    公开(公告)号:CN117790461A

    公开(公告)日:2024-03-29

    申请号:CN202311731849.1

    申请日:2018-10-08

    Abstract: 本申请是申请号为:“201811169135.5”,申请日为:“2018年10月08日”,发明名称为:“制造电子装置的方法”的发明专利的分案申请。本发明提供一种制造电子装置的方法。尤其是关于一种用于制造电子装置的方法,方法包含:取得基板,基板包括多个焊垫;形成多个焊料构件,多个焊料构件中的每一个焊料构件被定位在多个焊垫中的各自的焊垫上;提供接脚模板,接脚模板包含多个孔洞;将接脚模板定位在基板上方,将多个孔洞中的每一个孔洞对准多个焊垫中的各自的焊垫;提供多个接脚,多个接脚中的每一个接脚被定位在多个孔洞中的各自的孔洞中;从接脚移除接脚模板;并且回焊焊料构件。

    半导体封装及其制造方法

    公开(公告)号:CN107275229B

    公开(公告)日:2023-07-14

    申请号:CN201710056209.3

    申请日:2017-01-25

    Abstract: 本发明提供一种半导体封装及其制造方法,制造所述半导体封装的所述方法包括:通过蚀刻金属板形成导电柱,其中在所述蚀刻之后,所述导电柱连接到所述金属板的剩余的平面部分;在所述导电柱之间用填充物进行填充;移除所述金属板的所述剩余的平面部分;并且将至少一个半导体裸片电连接到所述导电柱。本发明提供的所述半导体封装及所述方法是用于确保安装半导体装置的空间,方法是蚀刻临时金属板以形成多个导电柱。

    半导体装置
    5.
    发明授权

    公开(公告)号:CN107195596B

    公开(公告)日:2023-06-23

    申请号:CN201710149951.9

    申请日:2017-03-14

    Inventor: 班文贝 欧坤锡

    Abstract: 半导体装置。一种半导体装置,包括:基板,其包括:第一基板侧面、与所述第一基板侧面相反的第二基板侧面、以及多个延伸在所述第一基板侧面与所述第二基板侧面之间的周边基板侧面;中央图案,其在所述第一基板侧面被露出;多个导电贯孔,其连接至所述中央图案并且在所述第二基板侧面被露出;以及边缘图案,其在所述周边基板侧面被露出并且完全地环绕所述基板来延伸;以及半导体晶粒,其耦接至所述第一基板侧面。

    制造具有多层囊封的传导基板的半导体封装的方法及结构

    公开(公告)号:CN106328624B

    公开(公告)日:2022-09-30

    申请号:CN201610515932.9

    申请日:2016-07-01

    Abstract: 制造具有多层囊封的传导基板的半导体封装的方法及结构。在一个实施例中,半导体封装包括具有精细节距的多层囊封传导基板。该多层囊封传导基板包括:彼此间隔开的传导引线;第一囊封物,其安置在引线之间;第一传导层,其电连接到多个引线;传导柱,其安置在该第一传导层上;第二囊封物,其囊封第一传导层和传导柱;以及第二传导层,其电连接到传导柱并且在第二囊封物中暴露。半导体裸片电连接到该第二图案化传导层。第三囊封物至少覆盖该半导体裸片。

    制造电子装置的方法
    10.
    发明公开

    公开(公告)号:CN110310917A

    公开(公告)日:2019-10-08

    申请号:CN201810531343.9

    申请日:2018-05-29

    Abstract: 制造电子装置的方法。一种制造电子装置的方法包括:接收第一构件,所述第一构件包括:第一模制层;构件传导层,其在所述第一模制层的第一侧上;以及第二模制层,其在所述第一模制层的所述第一侧上和所述构件传导层上;将半导体晶粒的底侧安装至基板的顶侧;将所述第一构件安装至所述基板的所述顶侧,以使得所述第一模制层的所述第一侧面朝横向;以及形成包含模制化合物的模制封装层,其中所述模制化合物包括覆盖所述基板的所述顶侧的至少一部分的底侧,并且所述模制化合物覆盖所述半导体晶粒的横向侧的至少一部分以及所述第一构件的所述第一模制层和所述第二模制层的至少一部分。

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