-
公开(公告)号：CN104205632B
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：CN201280066944.8
申请日：2012-11-09
Applicant: 芬兰国家技术研究中心
CPC classification number: H03H9/54 , H03H9/02086 , H03H9/02228 , H03H9/175 , H03H9/564
Abstract: 本发明涉及一种横向耦合式体声波(LBAW)滤波器(70)，其包括：用于携带体声波的振动层层(73)的第一电极(71)，用以激发至振动层(73)的至少一个具有第一频带的纵波模式和一个具有第二频带的剪切波模式，和耦合于振动层的第二电极(72)，用以感应滤波通过信号，其中第一和第二电极(71,72)相对于彼此横向地设置；与振动层(73)声学连接的声学反射器结构(75)。根据本发明，反射器结构(75)适于在第一频带处、比在第二频带处更有效地将振动层(73)与其周围环境声学隔离，从而在第二频带处抑制剪切波模式对滤波通过信号的影响。本发明有助于改善LBAW滤波器通带的质量。(73)；电极装置(71,72,74)，其包括：耦合于振动
-
公开(公告)号：CN107005223B
公开(公告)日：2021-06-04
申请号：CN201580064515.0
申请日：2015-10-02
Applicant: 芬兰国家技术研究中心股份公司
Abstract: 本发明提供一种微机电谐振器装置，包括支撑结构和制造在(100)或(110)半导体晶片上的谐振器，其中谐振器悬挂在支撑结构上并包括至少一个梁，该梁用n型掺杂剂掺杂到1.1*1020cm‑3或更高的掺杂浓度，并且能够基于合适的驱动以长度‑延伸、弯曲或扭转谐振模式谐振。具体地，选择梁的掺杂浓度和角度来使所述谐振模式的谐振器的二阶TCF为零或接近零，甚至更优选地使一阶和二阶TCF同时为零或接近零，从而提供温度稳定的谐振器。
-
公开(公告)号：CN107408933A
公开(公告)日：2017-11-28
申请号：CN201580064158.8
申请日：2015-10-02
Applicant: 芬兰国家技术研究中心股份公司
IPC: H03H9/02
Abstract: 本发明涉及微机电谐振器。具体地，本发明提供了一种谐振器，包括支撑结构、通过至少一个锚固件悬挂到所述支撑结构掺杂半导体谐振器，以及用于将谐振激发到谐振器中的驱动器。根据本发明，谐振器包括基部和从所述基部延伸的至少一个突起，所述谐振器可由所述驱动器激发成具有频率温度系数(TCF)特性的复合谐振模式，所述复合谐振模式得益于所述基部和所述至少一个突起。本发明使简单的谐振器成为可能，这非常有利于在宽温度范围内的温度补偿。
-
公开(公告)号：CN103650343B
公开(公告)日：2016-06-22
申请号：CN201280023350.9
申请日：2012-05-11
Applicant: 芬兰国家技术研究中心
CPC classification number: B81B3/0072 , B81B2201/0235 , B81B2201/0242 , B81B2201/0271 , B81C2201/0164 , B81C2201/0167 , B81C2201/0177 , G06F17/5045 , H03H9/02448 , H03H9/2447 , H03H2009/2442
Abstract: 本发明涉及一种微机械装置，包括：半导体元件，所述半导体元件能够产生偏转或谐振，并且包括具有不同材料性质的至少两个区域；以及功能性连接到所述半导体元件的驱动或传感机构。根据本发明，所述区域中的至少一个包括一种或多种n型掺杂剂，并且所述区域的相对体积、掺杂浓度、掺杂剂和/或晶体定向构造成使得所述区域的广义刚度的温度敏感度至少在一个温度下符号相反，并且在100℃的温度范围内，所述半导体元件的广义刚度的总体温度漂移为50ppm或更少。所述装置可以为谐振器。还公开了一种设计所述装置的方法。
-
公开(公告)号：CN107408933B
公开(公告)日：2020-11-20
申请号：CN201580064158.8
申请日：2015-10-02
Applicant: 芬兰国家技术研究中心股份公司
IPC: H03H9/02
Abstract: 本发明涉及微机电谐振器。具体地，本发明提供了一种谐振器，包括支撑结构、通过至少一个锚固件悬挂到所述支撑结构掺杂半导体谐振器，以及用于将谐振激发到谐振器中的驱动器。根据本发明，谐振器包括基部和从所述基部延伸的至少一个突起，所述谐振器可由所述驱动器激发成具有频率温度系数(TCF)特性的复合谐振模式，所述复合谐振模式得益于所述基部和所述至少一个突起。本发明使简单的谐振器成为可能，这非常有利于在宽温度范围内的温度补偿。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107005224A
公开(公告)日：2017-08-01
申请号：CN201580064707.1
申请日：2015-10-02
Applicant: 芬兰国家技术研究中心股份公司
CPC classification number: H03H9/17 , H01L41/18 , H03H9/02448 , H03H9/2436 , H03H2009/02503 , H03H2009/02527 , H03H2009/2442
Abstract: 本发明涉及一种微机电谐振器装置，包括支撑结构，用n型掺杂剂掺杂到掺杂浓度并能够以宽度‑延伸谐振模式谐振的半导体谐振器板。此外，该装置还包括将谐振器板悬挂在支撑结构上的至少一个锚固件和将宽度‑延伸谐振模式激发到谐振器板中的驱动器。根据本发明，谐振器板被掺杂到1.2*1020cm‑3或更高的掺杂浓度，并且具有这样的形状：其与掺杂浓度结合，在宽度‑延伸谐振模式中，使得至少在一个温度下二阶频率温度系数(TCF2)为12ppb/C2或更低。本发明还提供了几个实际的实施方式。
-
公开(公告)号：CN103650343A
公开(公告)日：2014-03-19
申请号：CN201280023350.9
申请日：2012-05-11
Applicant: 芬兰国家技术研究中心
CPC classification number: B81B3/0072 , B81B2201/0235 , B81B2201/0242 , B81B2201/0271 , B81C2201/0164 , B81C2201/0167 , B81C2201/0177 , G06F17/5045 , H03H9/02448 , H03H9/2447 , H03H2009/2442
Abstract: 本发明涉及一种微机械装置，包括：半导体元件，所述半导体元件能够产生偏转或谐振，并且包括具有不同材料性质的至少两个区域；以及功能性连接到所述半导体元件的驱动或传感机构。根据本发明，所述区域中的至少一个包括一种或多种n型掺杂剂，并且所述区域的相对体积、掺杂浓度、掺杂剂和/或晶体定向构造成使得所述区域的广义刚度的温度敏感度至少在一个温度下符号相反，并且在100℃的温度范围内，所述半导体元件的广义刚度的总体温度漂移为50ppm或更少。所述装置可以为谐振器。还公开了一种设计所述装置的方法。
-
公开(公告)号：CN103222191A
公开(公告)日：2013-07-24
申请号：CN201180049857.7
申请日：2011-10-14
Applicant: 芬兰国家技术研究中心
Abstract: 本发明涉及声耦合薄膜BAW滤波器，包括：压电层(1)；位于压电层(1)上的输入端口(2)，用于将电信号转变成声波(SAW,BAW)；以及位于压电层(1)上的输出端口(3)，用于将声信号转变成电信号。根据本发明，端口(2,3)包括定位成彼此接近的电极(5,6)，并且所述滤波器设计成能够在一阶厚度伸缩的TE1模式中操作。
-
公开(公告)号：CN107005224B
公开(公告)日：2021-06-15
申请号：CN201580064707.1
申请日：2015-10-02
Applicant: 芬兰国家技术研究中心股份公司
Abstract: 本发明涉及一种微机电谐振器装置，包括支撑结构，用n型掺杂剂掺杂到掺杂浓度并能够以宽度‑延伸谐振模式谐振的半导体谐振器板。此外，该装置还包括将谐振器板悬挂在支撑结构上的至少一个锚固件和将宽度‑延伸谐振模式激发到谐振器板中的驱动器。根据本发明，谐振器板被掺杂到1.2*1020cm‑3或更高的掺杂浓度，并且具有这样的形状：其与掺杂浓度结合，在宽度‑延伸谐振模式中，使得至少在一个温度下二阶频率温度系数(TCF2)为12ppb/C2或更低。本发明还提供了几个实际的实施方式。
-
公开(公告)号：CN108988819A
公开(公告)日：2018-12-11
申请号：CN201810521377.X
申请日：2011-10-14
Applicant: 芬兰国家技术研究中心股份公司
Abstract: 本发明涉及声耦合薄膜BAW滤波器，包括：压电层(1)；位于压电层(1)上的输入端口(2)，用于将电信号转变成声波(SAW,BAW)；以及位于压电层(1)上的输出端口(3)，用于将声信号转变成电信号。根据本发明，端口(2,3)包括定位成彼此接近的电极(5,6)，并且所述滤波器设计成能够在一阶厚度伸缩的TE1模式中操作。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
12
records
(took 0.043 seconds)
