公开(公告)号：CN102656200B

公开(公告)日：2015-08-19

申请号：CN201080056508.3

申请日：2010-12-13

Applicant: 花王株式会社

Inventor： 北山博昭 ,  后藤伸也 ,  宗和利树

IPC: C08F20/60 ,  C09D4/00 ,  C09D5/24

CPC classification number: C08F20/60 ,  C09D4/00 ,  C09D7/63 ,  C08F220/60 ,  C08F222/1006 ,  C08F226/02 ,  C08F226/04

Abstract: 本发明的目的在于提供可获得防静电性等基本性能良好的涂膜的树脂改性剂。本发明的树脂改性剂是由R31-O-（AO）n-SO3-、R32-OSO3-或R33-SO3-所示的离子和具有聚合性不饱和基团的铵离子构成的树脂改性剂。

公开(公告)号：CN102656200A

公开(公告)日：2012-09-05

申请号：CN201080056508.3

申请日：2010-12-13

Applicant: 花王株式会社

Inventor： 北山博昭 ,  后藤伸也 ,  宗和利树

IPC: C08F20/60 ,  C09D4/00 ,  C09D5/24

CPC classification number: C08F20/60 ,  C09D4/00 ,  C09D7/63 ,  C08F220/60 ,  C08F222/1006 ,  C08F226/02 ,  C08F226/04

Abstract: 本发明的目的在于提供可获得防静电性等基本性能良好的涂膜的树脂改性剂。本发明的树脂改性剂是由R31-O-（AO）n-SO3-、R32-OSO3-或R33-SO3-所示的离子和具有聚合性不饱和基团的铵离子构成的树脂改性剂。

公开(公告)号：CN111356750A

公开(公告)日：2020-06-30

申请号：CN201880074538.3

申请日：2018-11-02

Applicant: 花王株式会社

Inventor： 后藤伸也 ,  鹰野哲男 ,  宗和利树 ,  小泽聪史 ,  境原由次

IPC: C09K3/00 ,  C09D133/14 ,  C09D143/02

Abstract: 本发明为一种亲水化处理剂，其是包含共聚物的亲水化处理剂，所述共聚物包含含有甜菜碱基的特定的结构单元(A1)和具有芳香族基团的结构单元(A2)。另外，本发明为一种亲水化处理剂组合物，其含有共聚物、阴离子性表面活性剂及水，所述共聚物包含含有甜菜碱基的特定的结构单元(A1)和具有芳香族基团的结构单元(A2)。

公开(公告)号：CN102372485B

公开(公告)日：2013-09-11

申请号：CN201110198535.0

申请日：2011-07-15

Applicant: 花王株式会社

Inventor： 石桥洋一 ,  后藤伸也

IPC: C08G65/34 ,  C04B35/632

Abstract: 本发明提供能够抑制静电发生的陶瓷生片用抗静电剂组合物、陶瓷浆料组合物、陶瓷生片以及陶瓷生片用抗静电剂组合物的制造方法。本发明的陶瓷生片用抗静电剂组合物含有下述通式(I)所示的化合物和有机溶剂，相对于所述通式(I)所示的化合物100重量份，铁离子的含量为0.010重量份以下。通式(I)中，R表示碳数为8～22的烷基；A表示碳数为2～4的亚烷基；n表示氧化烯基的平均加成摩尔数，其为1～30的数；R1、R2和R3分别独立地表示氢原子、碳数为1～18的烷基或碳数为1～3的羟基烷基，并且R1、R2和R3中的至少一个是碳数为1～3的羟基烷基。

公开(公告)号：CN102372485A

公开(公告)日：2012-03-14

申请号：CN201110198535.0

申请日：2011-07-15

Applicant: 花王株式会社

Inventor： 石桥洋一 ,  后藤伸也

IPC: C04B35/632

Abstract: 本发明提供能够抑制静电发生的陶瓷生片用抗静电剂组合物、陶瓷浆料组合物、陶瓷生片以及陶瓷生片用抗静电剂组合物的制造方法。本发明的陶瓷生片用抗静电剂组合物含有下述通式(I)所示的化合物和有机溶剂，相对于所述通式(I)所示的化合物100重量份，铁离子的含量为0.010重量份以下。通式(I)中，R表示碳数为8～22的烷基；A表示碳数为2～4的亚烷基；n表示氧化烯基的平均加成摩尔数，其为1～30的数；R1、R2和R3分别独立地表示氢原子、碳数为1～18的烷基或碳数为1～3的羟基烷基，并且R1、R2和R3中的至少一个是碳数为1～3的羟基烷基。