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公开(公告)号：CN118265216A
公开(公告)日：2024-06-28
申请号：CN202211675928.0
申请日：2022-12-26
Applicant: 苏州华太电子技术股份有限公司
Abstract: 本申请涉及一种射频功率放大器组件。射频功率放大器组件包括放大器本体和耦合电路板组件。放大器本体包括第一表面，设置于第一表面的输入端、容置区、功能芯片及输出端。输入端与功能芯片通过一个容置区间隔设置，输入端与功能芯片通过另一个容置区间隔设置。耦合电路板组件设置于第一表面。耦合电路板组件包括两个以上耦合电路板，耦合电路板设置于容置区。其中，耦合电路板设置有巴伦耦合电路，巴伦耦合电路至少设置于耦合电路板沿自身厚度方向上的一侧，且至少部分巴伦耦合电路与第一表面相背设置，输入端和输出端均通过对应的巴伦耦合电路与功能芯片相连接。本申请能够有效降低散热件的加工难度，提高散热件的通用性。
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公开(公告)号：CN118104130A
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202280003926.9
申请日：2022-11-01
Applicant: 苏州华太电子技术股份有限公司
Abstract: 本申请实施例提供了一种用于多赫蒂放大器的输出网络，该输出网络包括组合节点、主输出网络、辅输出网络、以及合路匹配网络，其中主输出网络包括串联连接的第一子网络和第二子网络，辅输出网络包括串联连接的第三子网络、第四子网络和第五子网络，第一子网络和第三子网络具有相同的电路拓扑并且均至少包括电感和电容，第四子网络连接在第三子网络和第五子网络之间，第二子网络、第四子网络和第五子网络具有相同的电路拓扑并且均至少包括电感、电容和传输线中的至少一种，其中合路匹配网络被配置成使得组合节点处的节点阻抗为复数阻抗，主输出网络和辅输出网络被配置成使得节点阻抗匹配至主放大器和辅放大器的目标负载阻抗。
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公开(公告)号：CN117013972A
公开(公告)日：2023-11-07
申请号：CN202210459695.4
申请日：2022-04-28
Applicant: 苏州华太电子技术股份有限公司
Abstract: 本申请的实施例提供了一种控制功率放大装置的方法，功率放大装置包括:第一放大路径，所述第一放大路径包括第一晶体管和第二晶体管，所述第一晶体管的输出端电连接至所述第二晶体管的控制端；和第二放大路径，所述第二放大路径包括第三晶体管和第四晶体管，所述第三晶体管的输出端电连接至所述第四晶体管的控制端。所述方法包括：向所述第一放大路径和所述第二放大路径传送输入信号；向所述第三晶体管的控制端和所述第四晶体管的控制端分别提供第一直流偏置电压和第二直流偏置电压。第三晶体管和第四晶体管的电流导通沟道包括相同的材料，所述第一直流偏置电压高于所述第二直流偏置电压。
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公开(公告)号：CN115567011B
公开(公告)日：2023-10-31
申请号：CN202110747332.6
申请日：2021-07-02
Applicant: 苏州华太电子技术股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种基于二项式变换器的合路器、Doherty功率放大器及其设计方法，所述设计方法包括：基于二项式变换器确定两段四分之一波长传输线的特征阻抗，并根据该两段四分之一波长传输线的特征阻抗设计所述合路器，再根据所述合路器的器件参数确定三路Doherty功率放大器中的各个放大器的器件尺寸。本发明的设计方法能够有效的改善合路器的宽带匹配性能，拓宽三路Doherty功率放大器的带宽。
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公开(公告)号：CN116418297A
公开(公告)日：2023-07-11
申请号：CN202111676781.2
申请日：2021-12-31
Applicant: 苏州华太电子技术股份有限公司
Abstract: 本申请提供了一种多路多赫蒂功率放大芯片，包括功率放大模块，包括主放大器和偶数个峰值放大器，各所述峰值放大器包括两个完全相同的子峰值放大器，两个所述子峰值放大器对称分布在所述主放大器的两侧。本申请中多路多赫蒂功率放大芯片中的功率放大模块中的峰值放大器关于主放大器对称，从而平衡现有技术中三路多赫蒂功率放大器布版中容易带来的分布效应或寄生效应，另外所有通路采用同样的电路匹配，采用模块化设计，大大缩减电路设计工程师的工作量，有利于产品的快速发布和迭代。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116054762A
公开(公告)日：2023-05-02
申请号：CN202211649498.5
申请日：2022-12-21
Applicant: 苏州华太电子技术股份有限公司
Abstract: 本申请提供了一种功率放大器以及电子器件，该功率放大器满足：主放大器与第一峰值放大器的负载阻抗的差值小于预定阈值，且主放大器的负载阻抗与第一峰值放大器的负载阻抗均大于第二峰值放大器的负载阻抗；主放大器的输出端与第一峰值放大器的输出端之间的传输线为第一传输线，第一峰值放大器的输出端与第二峰值放大器的输出端之间的传输线为第二传输线，第一传输线的特征阻抗大于第二传输线的特征阻抗。主放大器在不同状态下的，主放大器的实际负载阻抗保持不变，避免了现有技术中由于有源负载牵引改变了主放大器的实际负载阻抗，而不同的负载阻抗会使得放大器呈现不同的相位，进而引起额外的相位失真的问题，保证了放大器的性能较好。
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公开(公告)号：CN116014401A
公开(公告)日：2023-04-25
申请号：CN202211670402.3
申请日：2022-12-21
Applicant: 苏州华太电子技术股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种改进型的威尔金森功分器及Doherty放大器，功分器包括至少四个端口、功分结构、隔离结构和移相结构，功分结构包括第一～第三传输线，移相结构包括第四～第六传输线，功分结构和移相结构采用集成电路等效实现时，第一～第三传输线采用呈高通特性的等效网络实现，第四～第六传输线采用呈低通特性的等效网络实现，且功分结构的特征频率向中心频率的下边带偏离，移相结构的特征频率向中心频率的上边带偏离。本发明改善了集成三路Wilkinson功分器的插损问题，优化了带宽问题，提高了集成度，及统一了功分器中第二输出端口和第三输出端口的端口阻抗，提高了功分器的易用性。
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公开(公告)号：CN118281524A
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN202211733108.2
申请日：2022-12-30
Applicant: 苏州华太电子技术股份有限公司
Inventor： 林良
IPC: H01P5/08
Abstract: 本申请公开射频基板，包括沿厚度方向依次排列的接地层、介质层和信号层，信号层上设有第一连接部、微带线和过渡连接部，过渡连接部连接第一连接部和微带线，第一连接部与同轴连接器连接，沿第一连接部至微带线的方向，过渡连接部的宽度逐渐减小。本申请还公开同轴微带转换结构，包括同轴连接器和如上所述的射频基板，同轴连接器包括内导体和套设在内导体外的外导体，内导体与第一连接部连接，外导体与接地层连接。本申请公开的射频基板通过使过渡连接部在沿第一连接部至微带线的方向宽度逐渐减小，使得从第一连接部至微带线之间的阻抗过渡顺滑，减低信号在微带同轴转换过程中形成的驻波，进而减小微带同轴转换过程中的驻波比。
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公开(公告)号：CN115548118B
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202110730679.X
申请日：2021-06-29
Applicant: 苏州华太电子技术股份有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L21/336
Abstract: 本发明公开了一种高集成度射频前端模块的隔离结构及隔离方法，所述隔离结构包括设置在衬底内部的第一隔离结构、第二隔离结构和设置在衬底外部的外部隔离结构，第一隔离结构与第二隔离结构电气隔离；其中，第一隔离结构围绕射频前端模块内的高噪声模块设置，第二隔离结构围绕射频前端模块内的低噪声模块设置，外部隔离结构对应设置在高噪声模块与低噪声模块之间。本发明能够有效隔离射频前端模块内部器件之间的互相干扰，实现射频前端模块的高密度单片集成。
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公开(公告)号：CN116388699B
公开(公告)日：2024-04-30
申请号：CN202111605308.5
申请日：2021-12-24
Applicant: 苏州华太电子技术股份有限公司
Abstract: 本申请提供了一种Doherty功放装置以及功率放大系统，该Doherty功放装置包括采用LGA封装技术得到的封装件，封装件包括MMIC芯片、第一阻抗匹配电路、至少一个第一晶体管以及至少一个第二晶体管，MMIC芯片为采用LDMOS工艺得到的，第一阻抗匹配电路为采用表面贴装技术制作得到的，第一晶体管以及第二晶体管为分别采用GaN工艺得到的。本申请较好地解决现有技术中无法在保证Doherty功放系统的性能的前提下，提高集成度以及降低成本的问题。
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