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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106086933A
公开(公告)日：2016-11-09
申请号：CN201610599052.4
申请日：2016-07-27
Applicant: 苏州大学
CPC classification number: Y02E60/366 , C25B11/0421 , C25B1/003 , C25B1/04 , C25B11/0447 , C25B11/0473
Abstract: 本发明提供了一种硅光阴极及其制备方法，该制备方法包括：S1)在硅电极与光阳极相对的表面上进行析氢催化剂修饰，得到修饰后的硅电极；S2)在步骤S1)得到的修饰后的硅电极不含析氢催化剂层的表面上制备钝化保护层，得到硅光阴极。与现有技术相比，本发明使析氢催化剂直接与硅表面接触，能形成较好的欧姆接触，可以减少电极的串联电阻，使其具有较好的电化学性能，提高了光阴极的填充因子以及光解水效率。
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公开(公告)号：CN104883806B
公开(公告)日：2018-09-25
申请号：CN201510100653.1
申请日：2015-03-06
Applicant: 苏州大学
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种等离子射流装置和组件以及一种晶硅电池表面氧化和除污的方法，其包括接地的空心杆状金属外管体(2)，其特征在于，还包括：绝缘管(3)、金属阴极体(4)、金属阳极体(6)、进气通道(8)。本发明能够阻挡封装玻璃中的钠离子进入硅片表面，从而防止钠离子在晶硅表面的堆积造成了晶硅表面微米级的缺陷位造成电池组件中载流子的大量复合，导致电池组件的功率输出降低，同时，也为了消除电池片表面的指纹等污染物。
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公开(公告)号：CN106086933B
公开(公告)日：2018-03-02
申请号：CN201610599052.4
申请日：2016-07-27
Applicant: 苏州大学
CPC classification number: Y02E60/366
Abstract: 本发明提供了一种硅光阴极及其制备方法，该制备方法包括：S1)在硅电极与光阳极相对的表面上进行析氢催化剂修饰，得到修饰后的硅电极；S2)在步骤S1)得到的修饰后的硅电极不含析氢催化剂层的表面上制备钝化保护层，得到硅光阴极。与现有技术相比，本发明使析氢催化剂直接与硅表面接触，能形成较好的欧姆接触，可以减少电极的串联电阻，使其具有较好的电化学性能，提高了光阴极的填充因子以及光解水效率。
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公开(公告)号：CN104883806A
公开(公告)日：2015-09-02
申请号：CN201510100653.1
申请日：2015-03-06
Applicant: 苏州大学
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种等离子射流装置和组件以及一种晶硅电池表面氧化和除污的方法，其包括接地的空心杆状金属外管体(2)，其特征在于，还包括：绝缘管(3)、金属阴极体(4)、金属阳极体(6)、进气通道(8)。本发明能够阻挡封装玻璃中的钠离子进入硅片表面，从而防止钠离子在晶硅表面的堆积造成了晶硅表面微米级的缺陷位造成电池组件中载流子的大量复合，导致电池组件的功率输出降低，同时，也为了消除电池片表面的指纹等污染物。
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公开(公告)号：CN205017675U
公开(公告)日：2016-02-03
申请号：CN201520131434.5
申请日：2015-03-06
Applicant: 苏州大学
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本实用新型公开了一种等离子射流装置和组件，其包括接地的空心杆状金属外管体(2)，其特征在于，还包括：绝缘管(3)、金属阴极体(4)、金属阳极体(6)、进气通道(8)。本实用新型能够阻挡封装玻璃中的钠离子进入硅片表面，从而防止钠离子在晶硅表面的堆积造成了晶硅表面微米级的缺陷位造成电池组件中载流子的大量复合，导致电池组件的功率输出降低，同时，也为了消除电池片表面的指纹等污染物。
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