公开(公告)号：CN115458012A

公开(公告)日：2022-12-09

申请号：CN202210316579.7

申请日：2022-03-29

Applicant: 英特尔公司

Inventor： 河昌完 ,  迪帕克·蒂姆戈达 ,  高焄 ,  理查德·M·古拉特 ,  刘浏 ,  大卫·梅亚德 ,  阿萨努尔·拉赫曼

IPC: G11C16/02 ,  G11C16/06

Abstract: 本申请涉及3D NAND存储器的分割块阵列。存储器设备的一个实施例可以包括3D NAND串存储器单元的下部瓦片的整块存储器阵列、3DNAND串存储器单元的上部瓦片的整块存储器阵列、耦合到下部瓦片的整块存储器阵列的串驱动器电路的第一部分、耦合到上部瓦片的整块存储器阵列的串驱动器电路的第二部分、耦合到所述串驱动器电路的第一部分的下部瓦片的第一分割块存储器阵列、以及耦合到串驱动器电路的第二部分的上部瓦片的第二分割块存储器阵列。公开和要求保护了其他实施例。

公开(公告)号：CN114600243A

公开(公告)日：2022-06-07

申请号：CN201980101769.3

申请日：2019-12-12

Applicant: 英特尔公司

Inventor： 刘浏 ,  孙川 ,  马洪

IPC: H01L27/11582

Abstract: 具有三维(3D)阶梯存储器堆叠的存储器设备包括邻近半隔离连接器的虚设连接器。存储器设备包括堆叠在3D阶梯堆叠中的多条字线，包括在阶梯的区域的边缘处的字线。存储器设备包括垂直连接器，这些垂直连接器穿过3D阶梯堆叠上的隔离层来将字线与访问层中的导电线相连接。阶梯的区域的边缘处的字线具有垂直连接器，该垂直连接器在一侧将与一连接器相邻，在另一侧则不会。存储器设备包括在边缘上的字线的垂直连接器的边缘侧的至少一个虚设垂直连接器，其中虚设垂直连接器不将3D阶梯堆叠的字线电连接到访问层中的导电线。