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公开(公告)号:CN113434330A
公开(公告)日:2021-09-24
申请号:CN202011515997.6
申请日:2020-12-21
Applicant: 英特尔公司
Abstract: 本发明公开了行可寻址且列可寻址的存储器中的动态数据的错误纠正。用于存储器设备的错误纠正值包括用于同一存储器阵列的行错误纠正值和列错误纠正值。该存储器设备包括在两个空间维度:行维度和列维度上可寻址的存储器阵列。存储器阵列被作为数据行而写入,并且可以在行维度上作为行读取,或者在列维度上作为列读取。数据写入触发对行错误纠正值和列错误纠正值的更新。