公开(公告)号：CN116344489A

公开(公告)日：2023-06-27

申请号：CN202211468140.2

申请日：2022-11-22

Applicant: 英特尔公司

Inventor： T·卡姆嘎因 ,  A·阿列克索夫 ,  V·斯特朗 ,  N·普拉布高纳卡尔 ,  B·罗林斯 ,  G·C·多吉阿米斯

IPC: H01L23/498 ,  H10N97/00 ,  H01L23/64

Abstract: 本文公开了具有集成的磁性体的电感器。本文公开的实施例包括电子封装。在实施例中，电子封装包括基板，其中基板包括玻璃。在实施例中，磁性环被嵌入在基板中。在实施例中，环路围绕磁性环。在实施例中，该环路是导电的并且包括穿过基板的第一过孔、穿过基板的第二过孔以及位于基板的表面之上的迹线，其中迹线将第一过孔电耦合到第二过孔。

公开(公告)号：CN116332117A

公开(公告)日：2023-06-27

申请号：CN202211484648.1

申请日：2022-11-24

Applicant: 英特尔公司

Inventor： G·C·多吉阿米斯 ,  T·卡姆嘎因 ,  B·罗林斯 ,  N·普拉布高纳卡尔 ,  V·斯特朗 ,  A·阿列克索夫

IPC: B81B7/00 ,  B81C1/00

Abstract: 本文公开的实施例包括电子封装和形成此类封装的方法。在实施例中，一种电子封装包括芯，其中，所述芯包括玻璃。在实施例中，形成穿过所述芯的过孔开口。在实施例中，所述过孔开口的深宽比(深度：宽度)大约为5：1或更大。在实施例中，所述电子封装还包括所述过孔开口中的过孔，其中，所述过孔开口被完全填充。

公开(公告)号：CN116345125A

公开(公告)日：2023-06-27

申请号：CN202211483747.8

申请日：2022-11-24

Applicant: 英特尔公司

Inventor： G·C·多吉阿米斯 ,  A·阿列克索夫 ,  V·斯特朗 ,  T·卡姆嘎因 ,  N·普拉布高纳卡尔 ,  B·罗林斯

IPC: H01Q1/36 ,  H01Q1/42 ,  H01Q1/50 ,  H01Q1/48

Abstract: 公开了3D阵列的基于玻璃的毫米波和太赫兹结构。本文公开的实施例包括电子封装。在实施例中，一种电子封装包括核心，其中，所述核心包括玻璃。在实施例中，电磁波发射器嵌入于所述核心中。在实施例中，所述电磁波发射器包括鳍状物，其中，所述鳍状物是导电材料，并且其中，所述鳍状物包括阶梯轮廓。

公开(公告)号：CN116314122A

公开(公告)日：2023-06-23

申请号：CN202211456049.9

申请日：2022-11-21

Applicant: 英特尔公司

Inventor： A·阿列克索夫 ,  T·康明 ,  G·C·多吉亚米斯 ,  N·普拉布冈卡 ,  V·斯特朗 ,  B·罗林斯 ,  A·P·柯林斯 ,  A·赛恩 ,  S·潘迪

IPC: H01L23/538

Abstract: 本公开涉及具有用于在玻璃芯上‎的高速信号传输的盲沟槽通孔的低损耗微带和带状线布线。在本文中公开的实施例包括电子封装。在实施例中，电子封装包括：衬底，具有第一表面和与第一表面相对的第二表面，其中，衬底包括玻璃。在实施例中，电子封装还包括嵌入在衬底中的迹线，其中，迹线的宽度小于迹线的高度。在实施例中，电子封装还包括：在衬底的第一表面上的第一层，其中，第一层是电介质堆积膜；以及在衬底的第二表面上的第二层，其中，第二层是电介质堆积膜。

公开(公告)号：CN116266569A

公开(公告)日：2023-06-20

申请号：CN202211431655.5

申请日：2022-11-15

Applicant: 英特尔公司

Inventor： T·卡姆嘎因 ,  B·罗林斯 ,  A·阿列克索夫 ,  A·P·柯林斯 ,  G·C·多吉阿米斯 ,  V·斯特朗 ,  N·普拉布高纳卡尔

IPC: H01L23/498 ,  H01L21/48

Abstract: 本文公开了用于具有高密度信号过孔的玻璃基板的电力输送技术。本文公开的实施例包括电子封装。在实施例中，电子封装包括具有第一表面和第二表面的核心，其中，该核心包括玻璃。在实施例中，第一构建层位于核心的第一表面之上，并且第二构建层位于核心的第二表面之下。在实施例中，电子封装还包括在核心的第一表面和核心的第二表面之间穿过核心的过孔以及进入核心的第一表面的平面，其中，该平面的宽度大于过孔的宽度。

公开(公告)号：CN116435283A

公开(公告)日：2023-07-14

申请号：CN202211473360.4

申请日：2022-11-21

Applicant: 英特尔公司

Inventor： V·斯特朗 ,  T·卡姆嘎因 ,  A·阿列克索夫 ,  G·C·多吉阿米斯 ,  B·罗林斯 ,  N·普拉布高纳卡尔

IPC: H01L23/498 ,  H01L21/48

Abstract: 本文公开的实施例包括电子封装，电子封装包括具有第一表面和与第一表面相反的第二表面的衬底。在实施例中，衬底包括玻璃。在实施例中，电子封装还包括从第一表面到第二表面穿过衬底的开口，其中，开口包括：靠近衬底的第一表面的第一端，靠近衬底的第二表面的第二端，以及在第一端与第二端之间的中间区域。在实施例中，中间区域在与第一端和第二端的接合处具有不连续斜面。

公开(公告)号：CN116332116A

公开(公告)日：2023-06-27

申请号：CN202211483765.6

申请日：2022-11-24

Applicant: 英特尔公司

Inventor： G·C·多吉阿米斯 ,  A·阿列克索夫 ,  T·卡姆嘎因 ,  N·普拉布高纳卡尔 ,  B·罗林斯 ,  V·斯特朗

IPC: B81B7/00 ,  B81C1/00

Abstract: 公开了使用改进的玻璃图案化工艺的玻璃中的悬置结构。本文中公开的实施例包括电子封装和形成这样的封装的方法。在实施例中，电子封装包括核心。在实施例中，核心包括玻璃。在实施例中，盲孔型过孔被提供到核心中。在实施例中，板跨越盲孔型过孔。

公开(公告)号：CN116314047A

公开(公告)日：2023-06-23

申请号：CN202211443132.2

申请日：2022-11-17

Applicant: 英特尔公司

Inventor： V·斯特朗 ,  A·阿列克索夫 ,  G·多吉阿米斯 ,  T·卡姆嘎因 ,  N·普拉布高纳卡尔 ,  B·罗林斯

IPC: H01L23/15 ,  H01L23/13 ,  H01L23/538 ,  H01L21/768

Abstract: 本文公开了用于具有高深宽比的贯穿玻璃过孔的集成电路封装基板的方法、系统、设备和制造品。示例性微电子封装包括玻璃基板，玻璃基板包括过孔，过孔包括高深宽比。示例性微电子封装还包括沿着过孔的内壁基本上均匀地延伸的晶种层。