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公开(公告)号：CN116332117A
公开(公告)日：2023-06-27
申请号：CN202211484648.1
申请日：2022-11-24
Applicant: 英特尔公司
Abstract: 本文公开的实施例包括电子封装和形成此类封装的方法。在实施例中，一种电子封装包括芯，其中，所述芯包括玻璃。在实施例中，形成穿过所述芯的过孔开口。在实施例中，所述过孔开口的深宽比(深度：宽度)大约为5：1或更大。在实施例中，所述电子封装还包括所述过孔开口中的过孔，其中，所述过孔开口被完全填充。
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公开(公告)号：CN115513164A
公开(公告)日：2022-12-23
申请号：CN202210564201.9
申请日：2022-05-23
Applicant: 英特尔公司
IPC: H01L23/498 , H01L23/15
Abstract: 本文所述的实施例可以涉及与在玻璃芯中定位信号和接地过孔或接地平面以控制封装内的阻抗相关的装置、工艺和技术。激光辅助蚀刻工艺可以用于产生垂直受控阻抗线，以增强封装上的高速信号的带宽和带宽密度。可以描述和/或要求保护其他实施例。
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公开(公告)号：CN115483186A
公开(公告)日：2022-12-16
申请号：CN202210529100.8
申请日：2022-05-16
Applicant: 英特尔公司
IPC: H01L23/498 , H01L21/48
Abstract: 本文公开的实施例包括封装衬底和制作此类衬底的方法。在实施例中，一种封装衬底包括具有第一表面和与第一表面相对的第二表面的核心。封装衬底还包括穿过该核心的过孔孔洞。在实施例中，过孔孔洞包括第一部分、第二部分以及位于第一部分和第二部分之间的穿孔壁架。在实施例中，封装衬底还包括填充该过孔孔洞的过孔。
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公开(公告)号：CN110062956A
公开(公告)日：2019-07-26
申请号：CN201680091254.6
申请日：2016-12-30
Applicant: 英特尔公司
IPC: H01L25/10 , H01L23/00 , H01L23/31 , H01L23/66 , H01L25/065 , H01L23/498
Abstract: 本发明的实施例包括微电子器件，其包括：第一超薄衬底，由有机电介质材料和导电层形成；第一模制材料，用于将第一射频(RF)组件与第一衬底集成；以及第二超薄衬底，耦合到第一超薄衬底。第二超薄衬底由有机电介质材料和导电层形成。第二模制材料将第二射频(RF)组件与第二衬底集成。
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公开(公告)号：CN109997324A
公开(公告)日：2019-07-09
申请号：CN201780071680.8
申请日：2017-11-22
Applicant: 英特尔公司
IPC: H04B10/2575 , H04B10/2507 , H04B3/52
Abstract: 本公开内容的实施例可以涉及用于经由电介质波导并发地发送和接收射频(RF)信号的收发器。在实施例中，收发器可以包括发射器，其用于经由电介质波导向配对的收发器发送信道化的射频(RF)发射信号。接收器可以经由电介质波导从配对的收发器接收信道化的RF接收信号。在实施例中，信道化的RF接收信号可以包括信道化的RF发射信号的回声。收发器还可以包括回声抑制电路，其用于从信道化的RF接收信号中抑制信道化的RF发射信号的回声。在一些实施例中，信道化的RF发射信号和信道化的RF接收信号可以在大约30千兆赫兹(GHz)到大约1太赫兹(THz)的频率范围内，并且收发器可以提供全双工毫米波通信。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107925161A
公开(公告)日：2018-04-17
申请号：CN201580082629.8
申请日：2015-09-24
Applicant: 英特尔公司
Inventor： A·A·埃尔谢尔比尼 , T·卡姆嘎因 , S·N·奥斯特 , G·C·多吉阿米斯
CPC classification number: H01Q1/521 , H01Q1/2266 , H01Q1/2283 , H01Q1/38 , H01Q1/525 , H01Q21/28
Abstract: 本发明的实施例可以包括可以用于减少相邻天线之间的串扰的封装器件。在实施例中，封装器件可以包括安装到印刷电路板(PCB)的第一封装基底。多个第一天线也可以形成于第一封装上。各实施例还可以包括安装到PCB的第二封装基底，并且第二封装基底可以包括第二多个天线。根据实施例，通过在第一和第二封装之间形成引导结构来减小第一和第二多个天线之间的串扰。在实施例中，引导结构包括多个鳍状物，所述多个鳍状物在所述第一天线和第二天线之间限定多个通路。
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公开(公告)号：CN119231151A
公开(公告)日：2024-12-31
申请号：CN202311838771.3
申请日：2023-12-28
Applicant: 英特尔公司
Abstract: 本文公开的实施例包括用于毫米波和/或亚太赫兹波长通信的通信管芯。在实施例中，通信管芯包括具有第一面和第二面的衬底。在实施例中，边缘表面将第一面连接到第二面。在实施例中，电路元件在第一面上，并且天线在边缘表面中的至少一个边缘表面上。
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公开(公告)号：CN119170576A
公开(公告)日：2024-12-20
申请号：CN202311838832.6
申请日：2023-12-28
Applicant: 英特尔公司
IPC: H01L23/31 , H01L23/538 , H01L21/56 , H01L21/768
Abstract: 本文的实施涉及用于通过将管芯至少部分地包围在具有不同介电常数的模制化合物和电介质材料中，来减小包括管芯的封装的电容的系统、设备、技术或工艺。可以描述和/或要求保护其他实施例。
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公开(公告)号：CN110062956B
公开(公告)日：2023-10-10
申请号：CN201680091254.6
申请日：2016-12-30
Applicant: 英特尔公司
IPC: H01L25/10 , H01L23/00 , H01L23/31 , H01L23/66 , H01L25/065 , H01L23/498 , H10B80/00
Abstract: 本发明的实施例包括微电子器件，其包括：第一超薄衬底，由有机电介质材料和导电层形成；第一模制材料，用于将第一射频(RF)组件与第一衬底集成；以及第二超薄衬底，耦合到第一超薄衬底。第二超薄衬底由有机电介质材料和导电层形成。第二模制材料将第二射频(RF)组件与第二衬底集成。
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公开(公告)号：CN109983717B
公开(公告)日：2023-04-04
申请号：CN201780072242.3
申请日：2017-11-22
Applicant: 英特尔公司
IPC: H04B10/2507 , H04B10/2575 , H04B3/52
Abstract: 本公开的实施例可以涉及发送器，该发送器包括基带色散补偿器以对输入信号执行基带色散补偿。实施例还可以包括接收器，该接收器包括射频(RF)色散补偿器以执行RF色散补偿。实施例还可以包括与发送器和接收器耦合的电介质波导，电介质波导用于将RF信号从发送器传送到接收器。可以描述和/或要求保护其他实施例。
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