公开(公告)号：CN103261999A

公开(公告)日：2013-08-21

申请号：CN201180061433.2

申请日：2011-12-12

Applicant: 英特尔公司

Inventor： B·苏尔 ,  E·迪斯泰法诺 ,  J·G·赫尔默丁二世 ,  E·P·马特 ,  J·P·华莱士 ,  G·M·塞里恩

IPC: G06F1/26 ,  G06F1/32 ,  G06F15/80

CPC classification number: G06F1/206 ,  G06F1/26 ,  G06F1/3206 ,  G06F1/324 ,  G06F1/3296 ,  Y02D10/126 ,  Y02D10/16 ,  Y02D10/172 ,  Y02D50/20

Abstract: 一种装置可以包括功率管理系统。描述并要求保护了其它实施例。

公开(公告)号：CN1258815C

公开(公告)日：2006-06-07

申请号：CN01814753.4

申请日：2001-08-29

Applicant: 英特尔公司

Inventor： T·沃尔克曼 ,  B·苏尔 ,  N·沃德拉哈利

IPC: H01L23/433 ,  H01L23/42

CPC classification number: H01L24/31 ,  H01L23/42 ,  H01L23/433 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01039 ,  H01L2924/0104 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01087 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1433 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/16152 ,  H01L2924/16251 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/0401

Abstract: 为了适应与高性能集成电路相关的高功率密度，热通过可焊热界面从芯片的表面散发到盖或集成的散热器。在一个实施例中，芯片通过C4和焊盘栅格阵列结构安装到有机基板上。当进行加热时，由于芯片和有机基板之间的热膨胀系数差异而使封装翘曲最小的同时，为了使从芯片散发的热最大，使用除了具有相当高的导热率之外还具有相当低熔点的热界面。还描述了制造方法以及封装在电子组件、电子系统和数据处理系统中的应用。

公开(公告)号：CN103261999B

公开(公告)日：2016-06-29

申请号：CN201180061433.2

申请日：2011-12-12

Applicant: 英特尔公司

Inventor： B·苏尔 ,  E·迪斯泰法诺 ,  J·G·赫尔默丁二世 ,  E·P·马特 ,  J·P·华莱士 ,  G·M·塞里恩

IPC: G06F1/26 ,  G06F1/32 ,  G06F15/80

CPC classification number: G06F1/206 ,  G06F1/26 ,  G06F1/3206 ,  G06F1/324 ,  G06F1/3296 ,  Y02D10/126 ,  Y02D10/16 ,  Y02D10/172 ,  Y02D50/20

Abstract: 一种装置可以包括功率管理系统。描述并要求保护了其它实施例。

公开(公告)号：CN1449582A

公开(公告)日：2003-10-15

申请号：CN01814753.4

申请日：2001-08-29

Applicant: 英特尔公司

Inventor： T·沃尔克曼 ,  B·苏尔 ,  N·沃德拉哈利

IPC: H01L23/433 ,  H01L23/42

CPC classification number: H01L24/31 ,  H01L23/42 ,  H01L23/433 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01039 ,  H01L2924/0104 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01087 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1433 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/16152 ,  H01L2924/16251 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/0401

Abstract: 为了适应与高性能集成电路相关的高功率密度，热通过可焊热界面从芯片的表面散发到盖或集成的散热器。在一个实施例中，芯片通过C4和焊盘栅格阵列结构安装到有机基板上。当进行加热时，由于芯片和有机基板之间的热膨胀系数差异而使封装翘曲最小的同时，为了使从芯片散发的热最大，使用除了具有相当高的导热率之外还具有相当低熔点的热界面。还描述了制造方法以及封装在电子组件、电子系统和数据处理系统中的应用。