公开(公告)号：CN106544533B

公开(公告)日：2018-09-04

申请号：CN201610997787.2

申请日：2014-11-11

Applicant: 芜湖市民泰铜业有限责任公司

Inventor： 颜承龙

IPC: C22C1/02 ,  C22C9/00 ,  C22F1/08

CPC classification number: H01L2224/45147 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01026 ,  H01L2924/0104 ,  H01L2924/01082

Abstract: 本发明公开了一种高强高导导线用铜合金的制备方法，属于铜合金制备技术领域。该导线用铜合金材料含有重量百分比为含有重量百分比为0.05%铅、0.7%铁、0.04%镁、0.4～0.5%铬和0.55～0.70%锆，其余为铜。制备方法是将上述重量比的各组分，混合熔炼、铸锭、热轧、固溶、冷轧和酸洗处理即成。能够较好地满足电子工业领域导线用对铜合金材料的性能要求，也可用于要求高导高延伸率的铜合金材料领域。并具有工艺简单，成本低廉的优点。

公开(公告)号：CN106498227B

公开(公告)日：2018-01-30

申请号：CN201610997786.8

申请日：2014-11-11

Applicant: 葛洲坝展慈(宁波)金属工业有限公司

Inventor： 潘利锋 ,  孙乐平 ,  刘剑平 ,  余建华 ,  戴启涛 ,  鲁涵 ,  陈益峰 ,  李林

IPC: C22C9/00 ,  C22F1/08 ,  H01B1/02

CPC classification number: H01L2224/45147 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01026 ,  H01L2924/0104 ,  H01L2924/01082

Abstract: 本发明公开了一种铜合金的制备方法，属于铜合金制备技术领域。该铜合金含有重量百分比为含有重量百分比为0.05%铅、0.7%铁、0.04%镁、0.4～0.5%铬和0.55～0.70%锆，其余为铜。制备方法是将上述重量比的各组分，混合熔炼、铸锭、热轧、固溶、冷轧和酸洗处理即成。其导电率为为91～95%IACS，延伸率为12～20%，抗拉强度为620～655MPa。能够较好地满足电子工业领域导线用对铜合金材料的性能要求，也可用于要求高导高延伸率的铜合金材料领域。并具有工艺简单，成本低廉的优点。

公开(公告)号：CN106373940A

公开(公告)日：2017-02-01

申请号：CN201610512057.9

申请日：2016-07-01

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 蔡喻丞 ,  庄俊杰 ,  王俊智 ,  杨敦年 ,  洪丰基 ,  黄志辉 ,  卢彦池 ,  陈如曦

IPC: H01L23/522 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L25/0657 ,  H01L21/0214 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/3212 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/7684 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76871 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/76883 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/528 ,  H01L23/53238 ,  H01L24/80 ,  H01L24/89 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/05025 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/08145 ,  H01L2224/215 ,  H01L2224/80895 ,  H01L2224/80896 ,  H01L2224/94 ,  H01L2225/06524 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01025 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/0104 ,  H01L2924/01072 ,  H01L2224/80 ,  H01L23/522 ,  H01L21/76838

Abstract: 提供了使用基于铜合金的混合接合件的集成电路(IC)。该IC包括彼此垂直堆叠的一对半导体结构。该对半导体结构包括相应的介电层和布置在介电层中的相应的金属部件。金属部件包括具有铜和再生金属的铜合金。IC进一步包括布置在半导体结构之间的界面处的混合接合件。混合接合件包括将介电层接合在一起的第一接合件和将金属部件接合在一起的第二接合件。第二接合件包括布置在金属部件的铜晶粒之间且由再生金属填充的空隙。还提供了使用基于铜合金的混合接合件用于将一对半导体结构接合在一起的方法。本发明实施例涉及用于使产率改进的使用铜合金的混合接合件。

公开(公告)号：CN102893388B

公开(公告)日：2016-06-29

申请号：CN201180023628.8

申请日：2011-05-09

Applicant: TDK株式会社 ,  株式会社则武

Inventor： 佐藤稔 ,  山下刚广 ,  长井淳 ,  安达康夫

IPC: H01L23/12 ,  H01B1/22 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L23/49883 ,  H01B1/16 ,  H01L23/15 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L2224/05553 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48599 ,  H01L2224/48699 ,  H01L2224/85399 ,  H01L2224/859 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01025 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01038 ,  H01L2924/0104 ,  H01L2924/01041 ,  H01L2924/01045 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01072 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供在基板表面具备引线键合性优异的非湿式镀金的导体膜的电子部件。该电子部件（10）具备无机基材（20）、形成在该基材表面的导体膜（30）、以及被键合在该导体膜的一部分的键合线（50,55），在至少一部分形成有引线键合部（40,45）。导体膜中的至少形成引线键合部的部分包含由Ag或Ag主体的合金构成的Ag系金属、以及覆盖该Ag系金属的以选自Al,Zr,Ti,Y,Ca,Mg和Zn的任一种元素作为构成要素的金属氧化物。金属氧化物的覆盖量为相对于上述Ag系金属100质量份相当于0.02~0.1质量份的量。

公开(公告)号：CN102473485B

公开(公告)日：2016-06-29

申请号：CN201080026623.6

申请日：2010-07-21

Applicant: 日亚化学工业株式会社

Inventor： 藏本雅史 ,  小川悟 ,  丹羽实辉 ,  菅沼克昭 ,  金槿铢

IPC: H01B13/00 ,  H01L33/62 ,  B22F1/00 ,  H01B1/22

CPC classification number: H01B1/22 ,  H01L24/29 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/29 ,  H01L2224/29101 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45139 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48097 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48997 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83439 ,  H01L2224/8384 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2224/85951 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01025 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01038 ,  H01L2924/0104 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/01045 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01056 ,  H01L2924/01058 ,  H01L2924/01063 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/07802 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/12035 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/15747 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19107 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/29099 ,  H01L2224/29199 ,  H01L2224/29299 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/48455

Abstract: 本发明的目的在于提供制造导电性材料的方法，所述导电性材料是产生低电阻值的导电性材料，其是使用廉价并且稳定的导电性材料用组合物而得到的。在本发明中通过一种导电性材料的制造方法，能够得到产生低电阻值的导电性材料，该制造方法具有对包含固化或半固化的热固性树脂和热塑性树脂中的至少任意一种以及银粒子的导电性材料用组合物进行加热的工序。这样的导电性材料是在熔融粘合的银粒子中分散有平均粒径为0.1μm以上且10μm以下的热固性树脂粉体的导电性材料而成的导电性材料。另外，这样的导电性材料是在熔融粘合的银粒子中熔敷热塑性树脂的导电性材料而成的导电性材料。

公开(公告)号：CN102569263B

公开(公告)日：2016-01-20

申请号：CN201110370054.3

申请日：2011-11-18

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 宇圆田大介 ,  松村健 ,  井上刚一 ,  盛田美希

IPC: H01L23/552

CPC classification number: H01L25/0657 ,  C09J7/28 ,  C09J2203/326 ,  H01L21/6836 ,  H01L23/552 ,  H01L24/16 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/27436 ,  H01L2224/29 ,  H01L2224/29101 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/29324 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/29344 ,  H01L2224/29347 ,  H01L2224/29355 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83862 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06537 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01037 ,  H01L2924/01038 ,  H01L2924/0104 ,  H01L2924/01041 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/01044 ,  H01L2924/01045 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01055 ,  H01L2924/01056 ,  H01L2924/01057 ,  H01L2924/01058 ,  H01L2924/01059 ,  H01L2924/01063 ,  H01L2924/01072 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01076 ,  H01L2924/01077 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01088 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/0133 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/15747 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/3025 ,  Y10T428/28 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01026 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/29099 ,  H01L2224/29199 ,  H01L2224/29299

Abstract: 本发明涉及半导体装置用胶粘薄膜以及半导体装置。本发明的课题在于减少从一个半导体芯片释放的电磁波对同一封装内的另一个半导体芯片、安装的衬底、相邻的器件、封装等产生的影响。一种半导体装置用胶粘薄膜，具有胶粘剂层和电磁波屏蔽层，其特征在于，透过所述半导体装置用胶粘薄膜的电磁波的衰减量，对于50MHz～20GHz范围的频域的至少一部分而言，为3dB以上。

公开(公告)号：CN105132735A

公开(公告)日：2015-12-09

申请号：CN201510519246.4

申请日：2015-08-22

Applicant: 汕头市骏码凯撒有限公司

Inventor： 周振基 ,  周博轩 ,  田首夫

IPC: C22C9/00 ,  C22C1/03

CPC classification number: H01L2224/4321 ,  H01L2224/45 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/45565 ,  H01L2224/45664 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00015 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01003 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01008 ,  H01L2924/01016 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01026 ,  H01L2924/01039 ,  H01L2924/0104 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01063 ,  H01L2924/01066

Abstract: 一种微电子封装用超细铜合金键合丝，其特征在于其各成分及含量为：Ti 10－50wt.ppm，Li 10－50wt.ppm，Zr 10－50wt.ppm，Fe 10－50wt.ppm，Ag 10－50wt.ppm，B 10－50wt.ppm，稀土元素10－50wt.ppm，余量为铜及不可避免的杂质，且杂质中的O和S在整个铜合金键合丝中的含量≤5wt.ppm；所述稀土元素是Eu、Y和Dy中的一种或其中多种的组合。本发明还提供上述微电子封装用超细铜合金键合丝的一种制备方法。本发明的铜合金键合丝具有良好的抗氧化性能、良好的导电导热性、可焊性、较高的单丝长度等优良性能，其制备方法操作简便。

公开(公告)号：CN101689412B

公开(公告)日：2015-10-14

申请号：CN200880023571.X

申请日：2008-05-15

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 小林靖志 ,  中田义弘 ,  尾崎史朗

IPC: C08L83/16 ,  H01B3/46 ,  H05K3/46 ,  H01L23/12 ,  H01L21/312

CPC classification number: H01L21/3121 ,  C08G77/60 ,  C09D183/16 ,  H01B3/46 ,  H01L21/02123 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/4857 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76829 ,  H01L24/02 ,  H01L24/03 ,  H01L24/11 ,  H01L2224/02319 ,  H01L2224/02333 ,  H01L2224/02381 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01025 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01038 ,  H01L2924/0104 ,  H01L2924/01041 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01052 ,  H01L2924/01072 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01076 ,  H01L2924/01077 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15787 ,  H05K3/4676 ,  H01L2224/11 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的目的在于提供一种能够适合用于形成低介电常数且高强度的绝缘膜材料、能降低布线间的寄生电容的多层布线基板及其制造方法，和高速且可靠性高的半导体装置及其制造方法。本发明的绝缘膜材料的特征在于，至少含有具有由下述结构式(1)表示的结构的聚碳硅烷化合物，其中，在前述结构式(1)中，R1在n个重复单元中相互相同或者不同，表示碳原子数为1～4的烃和芳香族烃中的任一种；R2在n个重复单元中相互相同或者不同，表示碳原子数为1～4的烃和芳香族烃中的任一种；n表示5～5000的整数，结构式(1)。

公开(公告)号：CN102270610B

公开(公告)日：2015-02-18

申请号：CN201010546170.1

申请日：2010-11-10

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 黄见翎 ,  蔡惠榕 ,  吴逸文 ,  刘重希

IPC: H01L23/00 ,  H01L23/488 ,  H01L23/498

CPC classification number: H01L21/7688 ,  C23C14/34 ,  C25D5/022 ,  C25D7/00 ,  H01L21/76879 ,  H01L21/76883 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L25/0657 ,  H01L2224/0361 ,  H01L2224/03826 ,  H01L2224/03831 ,  H01L2224/03912 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05181 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/10126 ,  H01L2224/1145 ,  H01L2224/11452 ,  H01L2224/11462 ,  H01L2224/11464 ,  H01L2224/11622 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/1354 ,  H01L2224/13565 ,  H01L2224/16148 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/81024 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/81447 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/81911 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01025 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01038 ,  H01L2924/0104 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05552

Abstract: 本发明提供一种集成电路装置及封装组件，该集成电路装置包括：一半导体基材；一凸块下金属层，形成于该半导体基材上；一导电柱体，形成于该凸块下金属层上，且具有一顶面及一侧壁表面，其中该侧壁表面具有一邻近该顶面的第一部分及一邻近该凸块下金属层的第二部分；一非金属保护结构，形成于该导电柱体的该侧壁表面的第二部分上；以及一金属盖层，形成于该顶面上并延伸至该导电柱体的该侧壁表面的第一部分上。本发明中，一非金属侧壁间隔物于铜柱侧壁的下部部分上，及一金属顶盖于铜柱的顶面及侧壁的上部部分上。金属顶盖为在非金属侧壁间隔物形成后，由无电电镀或浸镀技术形成。本发明可减少凸块崩塌的机率并增加封装体的可靠度表现。

公开(公告)号：CN104328304A

公开(公告)日：2015-02-04

申请号：CN201410629939.4

申请日：2014-11-11

Applicant: 芜湖市民泰铜业有限责任公司

Inventor： 颜承龙

IPC: C22C9/00 ,  C22F1/08

CPC classification number: H01L2224/45147 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01026 ,  H01L2924/0104 ,  H01L2924/01082 ,  C22C9/00 ,  C22F1/08

Abstract: 本发明公开了一种高强高导导线用铜合金及其制备方法，属于铜合金制备技术领域。该导线用铜合金材料含有重量百分比为含有重量百分比为0.05%铅、0.7%铁、0.04%镁、0.4～0.5%铬和0.55～0.70%锆，其余为铜。制备方法是将上述重量比的各组分，混合熔炼、铸锭、热轧、固溶、冷轧和酸洗处理即成。其导电率为为91～95%IACS，延伸率为12～20%，抗拉强度为620～655MPa。能够较好地满足电子工业领域导线用对铜合金材料的性能要求，也可用于要求高导高延伸率的铜合金材料领域。并具有工艺简单，成本低廉的优点。