-
公开(公告)号：CN104541348B
公开(公告)日：2018-01-02
申请号：CN201380044088.0
申请日：2013-06-28
Applicant: 英特尔公司
IPC: H01G4/005
CPC classification number: H01G11/26 , H01G9/0029 , H01G11/04 , H01G11/30 , H01G11/86 , H01L28/82 , Y02E60/13 , Y10T29/417
Abstract: 能量储存装置包括：第一电极(110，510)，其包括包含第一电解质(150，514)的第一多个通道(111，512)；以及第二电极(120，520)，其中包括包含第二电解质(524)的第二多个通道(121，522)。第一电极具有第一表面(115，511)，以及第二电极具有第二表面(125，521)。第一和第二电极中的至少一个是多孔硅电极，以及第一和第二表面中的至少一个包括钝化层(535)。
-
公开(公告)号：CN107103993B
公开(公告)日：2020-02-21
申请号：CN201611244647.4
申请日：2012-04-25
Applicant: 英特尔公司
IPC: H01G2/02 , H01G9/048 , H01G11/24 , H01G11/26 , H01G11/36 , H01G11/52 , H01G11/54 , H01G11/86 , H01L49/02
Abstract: 一种能量存储设备包括：第一多孔半导体结构（510），其包括第一多个沟道（511），所述第一多个沟道包含第一电解质（514）；以及第二多孔半导体结构（520），其包括第二多个沟道（521），所述第二多个沟道包含第二电解质（524）。在一个实施例中，所述能量存储设备还包括所述第一多孔半导体结构和所述第二多孔半导体结构至少之一上的膜（535），所述膜包括能够展示可逆电子转移反应的材料。在另一实施例中，所述第一电解质和所述第二电解质至少之一包含多个金属离子。在另一实施例中，所述第一电解质和所述第二电解质合在一起包括氧化还原系统。
-
公开(公告)号：CN104170037B
公开(公告)日：2018-12-11
申请号：CN201280071862.2
申请日：2012-04-25
Applicant: 英特尔公司
IPC: H01G4/005
CPC classification number: H01G11/02 , G06F1/1635 , H01G9/04 , H01G11/26 , H01G11/30 , H01G11/46 , H01G11/52 , H01G11/54 , H01G11/84 , H04M1/0262 , H04M2001/0204 , Y02E60/13 , Y10T29/49115
Abstract: 一种能量存储设备包括：第一多孔半导体结构（510），其包括第一多个沟道（511），所述第一多个沟道包含第一电解质（514）；以及第二多孔半导体结构（520），其包括第二多个沟道（521），所述第二多个沟道包含第二电解质（524）。在一个实施例中，所述能量存储设备还包括所述第一多孔半导体结构和所述第二多孔半导体结构至少之一上的膜（535），所述膜包括能够展示可逆电子转移反应的材料。在另一实施例中，所述第一电解质和所述第二电解质至少之一包含多个金属离子。在另一实施例中，所述第一电解质和所述第二电解质合在一起包括氧化还原系统。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107103993A
公开(公告)日：2017-08-29
申请号：CN201611244647.4
申请日：2012-04-25
Applicant: 英特尔公司
IPC: H01G2/02 , H01G9/048 , H01G11/24 , H01G11/26 , H01G11/36 , H01G11/52 , H01G11/54 , H01G11/86 , H01L49/02
Abstract: 一种能量存储设备包括：第一多孔半导体结构（510），其包括第一多个沟道（511），所述第一多个沟道包含第一电解质（514）；以及第二多孔半导体结构（520），其包括第二多个沟道（521），所述第二多个沟道包含第二电解质（524）。在一个实施例中，所述能量存储设备还包括所述第一多孔半导体结构和所述第二多孔半导体结构至少之一上的膜（535），所述膜包括能够展示可逆电子转移反应的材料。在另一实施例中，所述第一电解质和所述第二电解质至少之一包含多个金属离子。在另一实施例中，所述第一电解质和所述第二电解质合在一起包括氧化还原系统。
-
公开(公告)号：CN104170037A
公开(公告)日：2014-11-26
申请号：CN201280071862.2
申请日：2012-04-25
Applicant: 英特尔公司
IPC: H01G4/005
CPC classification number: H01G11/02 , G06F1/1635 , H01G9/04 , H01G11/26 , H01G11/30 , H01G11/46 , H01G11/52 , H01G11/54 , H01G11/84 , H04M1/0262 , H04M2001/0204 , Y02E60/13 , Y10T29/49115
Abstract: 一种能量存储设备包括：第一多孔半导体结构（510），其包括第一多个沟道（511），所述第一多个沟道包含第一电解质（514）；以及第二多孔半导体结构（520），其包括第二多个沟道（521），所述第二多个沟道包含第二电解质（524）。在一个实施例中，所述能量存储设备还包括所述第一多孔半导体结构和所述第二多孔半导体结构至少之一上的膜（535），所述膜包括能够展示可逆电子转移反应的材料。在另一实施例中，所述第一电解质和所述第二电解质至少之一包含多个金属离子。在另一实施例中，所述第一电解质和所述第二电解质合在一起包括氧化还原系统。
-
公开(公告)号：CN104115246B
公开(公告)日：2018-01-02
申请号：CN201280070312.9
申请日：2012-02-21
Applicant: 英特尔公司
Abstract: 能量储存装置包括：中间段(610)，包括多个双面多孔结构(500)，其中每个包含其两个相对表面(515，525)中的多个通道(511)；上段(620)，包括单面多孔结构(621)，其中包含其表面(625)中的多个通道(622)；以及下段(630)，包括单面多孔结构(631)，其中包含其表面(635)中的多个通道(632)。
-
公开(公告)号：CN104541348A
公开(公告)日：2015-04-22
申请号：CN201380044088.0
申请日：2013-06-28
Applicant: 英特尔公司
IPC: H01G4/005
CPC classification number: H01G11/26 , H01G9/0029 , H01G11/04 , H01G11/30 , H01G11/86 , H01L28/82 , Y02E60/13 , Y10T29/417
Abstract: 能量储存装置包括：第一电极(110，510)，其包括包含第一电解质(150，514)的第一多个通道(111，512)；以及第二电极(120，520)，其中包括包含第二电解质(524)的第二多个通道(121，522)。第一电极具有第一表面(115，511)，以及第二电极具有第二表面(125，521)。第一和第二电极中的至少一个是多孔硅电极，以及第一和第二表面中的至少一个包括钝化层(535)。
-
公开(公告)号：CN104115246A
公开(公告)日：2014-10-22
申请号：CN201280070312.9
申请日：2012-02-21
Applicant: 英特尔公司
Abstract: 能量储存装置包括：中间段(610)，包括多个双面多孔结构(500)，其中每个包含其两个相对表面(515，525)中的多个通道(511)；上段(620)，包括单面多孔结构(621)，其中包含其表面(625)中的多个通道(622)；以及下段(630)，包括单面多孔结构(631)，其中包含其表面(635)中的多个通道(632)。
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
8
records
(took 0.038 seconds)
