Patent search ap:("英特尔公司") AND inv:"K·奥古兹" Page 1

1.

发明公开
高阻挡温度自旋轨道转矩电极审中-公开

公开(公告)号：CN110323330A

公开(公告)日：2019-10-11

申请号：CN201910150494.4

申请日：2019-02-28

Applicant: 英特尔公司

Inventor： T·戈萨维 , S·马尼帕特鲁尼 , K·奥古兹 , I·扬 , K·奥布莱恩 , G·艾伦 , N·佐都

IPC: H01L43/08 , H01L43/02 , H01L43/10 , H01L43/12 , G11C11/16

Abstract: 本发明提供了一种具有高阻挡温度的设备，其包括：具有带有第一磁化的磁体的磁性结；与所述磁性结相邻的互连，其中，所述互连包括利用掺杂材料(Pt、Ni、Co或Cr)掺杂的反铁磁(AMF)材料；以及与所述互连相邻的结构，所述结构与所述互连相邻使得所述磁性结和所述结构处于所述互连的相对表面上，其中，所述结构包括具有第二磁化的磁体，所述第二磁化显著不同于所述第一磁化。

Patent Agency Ranking