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公开(公告)号：CN113809168A
公开(公告)日：2021-12-17
申请号：CN202011522427.X
申请日：2020-12-21
Applicant: 英特尔公司
IPC: H01L29/778 , H01L21/34
Abstract: 实施例包括二维(2D)半导体片晶体管以及形成这种器件的方法。在实施例中，一种半导体器件包括2D半导体片的堆叠体，其中，所述2D半导体片中的个体2D半导体片具有第一端和与第一端相对的第二端。在实施例中，第一间隔体在所述2D半导体片的第一端之上，并且第二间隔体在所述2D半导体片的第二端之上。实施例还包括在第一间隔体与第二间隔体之间的栅电极、与所述2D半导体片的第一端相邻的源极接触部和与所述2D半导体片的第二端相邻的漏极接触部。
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公开(公告)号：CN110349990A
公开(公告)日：2019-10-18
申请号：CN201910155149.X
申请日：2019-03-01
Applicant: 英特尔公司
Abstract: 提供了一种装置，包括：具有带有磁化(例如，相对于装置的x-y平面的垂直磁化)的磁体的磁性结；以及与磁性结相邻的互连，其中，所述互连包括手性反铁磁(AFM)材料(例如，Mn3X，其中'X'包括Ge、Sn、Ga、Ir、Rh或Pt中的一种；1类kagomi反铁磁材料、2类超kagomi反铁磁材料，或金属有机物)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110323330A
公开(公告)日：2019-10-11
申请号：CN201910150494.4
申请日：2019-02-28
Applicant: 英特尔公司
Abstract: 本发明提供了一种具有高阻挡温度的设备，其包括：具有带有第一磁化的磁体的磁性结；与所述磁性结相邻的互连，其中，所述互连包括利用掺杂材料(Pt、Ni、Co或Cr)掺杂的反铁磁(AMF)材料；以及与所述互连相邻的结构，所述结构与所述互连相邻使得所述磁性结和所述结构处于所述互连的相对表面上，其中，所述结构包括具有第二磁化的磁体，所述第二磁化显著不同于所述第一磁化。
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公开(公告)号：CN113451261A
公开(公告)日：2021-09-28
申请号：CN202011477095.8
申请日：2020-12-15
Applicant: 英特尔公司
IPC: H01L23/522 , H01L49/02
Abstract: 电容器器件包括：具有第一金属合金或金属氧化物的第一电极；与第一电极相邻的弛豫铁电层，其中铁电层包括铅、钡、锰、锆、钛、铁、铋、锶、钕、钾或铌中的两种或更多种、以及氧；以及与弛豫铁电层耦合的第二电极，其中第二电极包括第二金属合金或第二金属氧化物。
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公开(公告)号：CN110660901A
公开(公告)日：2020-01-07
申请号：CN201910451081.X
申请日：2019-05-28
Applicant: 英特尔公司
Abstract: 讨论了用于SOT电极和自由磁性层之间的垂直自旋轨道矩(SOT)存储器件的插入层，采用这种插入层的存储器件和计算平台，以及形成它们的方法。插入层主要是钨，并改善了自由磁性层中的热稳定性和垂直磁各向异性。
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公开(公告)号：CN115863415A
公开(公告)日：2023-03-28
申请号：CN202211017907.X
申请日：2022-08-24
Applicant: 英特尔公司
Abstract: 相对于包括2D材料沟道和2D材料沟道上的异质2D材料并且被耦合到源极和漏极金属的晶体管、及其制造，讨论了晶体管、设备、系统和方法。晶体管的2D材料沟道允许栅极长度缩放、改进的开关性能和其它优点，并且异质2D材料改善了晶体管设备的接触电阻。
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公开(公告)号：CN110660821A
公开(公告)日：2020-01-07
申请号：CN201910451068.4
申请日：2019-05-28
Applicant: 英特尔公司
Abstract: 本发明公开了一种存储器件，其包括具有正侧和背侧的衬底，其中，第一导线在所述背侧上，并且第二导线位于所述正侧上。晶体管在所述正侧上处于所述第二导线与衬底之间。磁性隧道结(MTJ)在背侧上处于第一导线和衬底之间，其中，所述MTJ的一端通过所述衬底耦合至所述晶体管，并且所述MTJ的相对端连接至所述第一导线，并且其中，所述晶体管进一步连接至所述正侧上的第二导线。
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