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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112151550A
公开(公告)日：2020-12-29
申请号：CN202010230752.2
申请日：2020-03-27
Applicant: 英特尔公司
IPC: H01L27/11524 , H01L27/11556 , H01L27/1157 , H01L27/11582
Abstract: 描述了存储节点配置。存储节点(例如，三维(3D)NAND闪存设备的浮栅或电荷捕获层)包括具有曲率半径的面向沟道的表面。例如，存储节点的面向沟道的表面可以是凹形的。存储节点的面向控制栅的表面可以替代地或附加地还包括曲率半径。存储节点的面向沟道的表面和/或面向控制栅的表面的曲率半径小于或等于沟道层的半径。
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公开(公告)号：CN102087972B
公开(公告)日：2014-04-30
申请号：CN201010507045.X
申请日：2010-09-26
Applicant: 英特尔公司 , 微米技术股份有限公司
IPC: H01L21/28 , H01L27/115 , H01L29/423 , H01L21/8247
Abstract: 可以在构造闪存的浮动栅时使下表面面向衬底平坦而弯曲上表面面向控制栅。在部分实施例中，这样的器件改善了对控制栅的电容耦合，并降低了对其相邻者的电容耦合。
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公开(公告)号：CN103180908A
公开(公告)日：2013-06-26
申请号：CN201180051326.1
申请日：2011-11-15
Applicant: 英特尔公司
CPC classification number: G11C16/3495 , G11C16/02 , G11C16/3404
Abstract: 一种用于提高闪存耐久性的方法和装置。在本发明的一个实施例中，将高电场提供给闪存模块的控制栅极。施加到闪存模块的高电场去除了闪存模块的控制栅极和有源区之间的陷获电荷。在本发明的一个实施例中，在闪存模块的擦除操作之前将高电场施加至闪存模块的控制栅极。通过将高电场施加到闪存模块的控制栅极，本发明的实施例改进闪存模块的单级或多级单元的编程/擦除循环降级。
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公开(公告)号：CN103180908B
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：CN201180051326.1
申请日：2011-11-15
Applicant: 英特尔公司
CPC classification number: G11C16/3495 , G11C16/02 , G11C16/3404
Abstract: 一种用于提高闪存耐久性的方法和装置。在本发明的一个实施例中，将高电场提供给闪存模块的控制栅极。施加到闪存模块的高电场去除了闪存模块的控制栅极和有源区之间的陷获电荷。在本发明的一个实施例中，在闪存模块的擦除操作之前将高电场施加至闪存模块的控制栅极。通过将高电场施加到闪存模块的控制栅极，本发明的实施例改进闪存模块的单级或多级单元的编程/擦除循环降级。
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公开(公告)号：CN102087972A
公开(公告)日：2011-06-08
申请号：CN201010507045.X
申请日：2010-09-26
Applicant: 英特尔公司 , 微米技术股份有限公司
IPC: H01L21/28 , H01L27/115 , H01L29/423 , H01L21/8247
Abstract: 可以在构造闪存的浮动栅时使下表面面向衬底平坦而弯曲上表面面向控制栅。在部分实施例中，这样的器件改善了对控制栅的电容耦合，并降低了对其相邻者的电容耦合。
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