公开(公告)号：CN119210494A

公开(公告)日：2024-12-27

申请号：CN202311795788.5

申请日：2023-12-25

Applicant: 英特尔公司

Inventor： G·帕纳格波罗斯 ,  S·卡伦德 ,  R·盖格尔 ,  G·C·多吉阿米斯 ,  M·杜塔 ,  S·佩莱拉诺

IPC: H04B1/40 ,  H04B10/90

Abstract: 本文的实施例涉及针对用于宽带亚太赫兹通信的封装的系统、设备或过程，其中，该封装包括被实施在III‑V族材料层内的混频器和放大器，例如功率放大器或低噪声放大器。可以描述和/或要求保护其他实施例。

公开(公告)号：CN116266574A

公开(公告)日：2023-06-20

申请号：CN202211435843.5

申请日：2022-11-16

Applicant: 英特尔公司

Inventor： R·盖格尔 ,  G·帕纳格波罗斯 ,  J·X·劳 ,  H·加斯纳

IPC: H01L23/528 ,  H01L27/02 ,  H01L29/47

Abstract: 公开了包括BPR的IC器件，所述BPR与其中所述BPR被部分掩埋的半导体部分形成金属‑半导体结。示例IC器件包括第一层，所述第一层包括半导体结构，例如鳍状物、纳米线或纳米带。IC器件还包括包含导电材料并耦合到半导体结构的层。IC器件还包括支撑结构，所述支撑结构包括BPR和半导体部分。BPR与半导体部分接触并形成金属‑半导体结。金属‑半导体结构成电子的肖特基势垒。IC器件可以包括SCR，所述SCR包括p阱、n阱、p阱和n阱的序列，其中在第一p阱和第二n阱中具有肖特基势垒。肖特基势垒还可以用作保护环以提取注入的电荷载流子。

公开(公告)号：CN119231151A

公开(公告)日：2024-12-31

申请号：CN202311838771.3

申请日：2023-12-28

Applicant: 英特尔公司

Inventor： P·鲍姆加特纳 ,  R·盖格尔 ,  G·C·多吉阿米斯 ,  S·卡伦德 ,  T·卡姆嘎因 ,  J·C·詹森 ,  H·格斯纳

IPC: H01Q1/22 ,  H01Q21/00 ,  H01L23/66

Abstract: 本文公开的实施例包括用于毫米波和/或亚太赫兹波长通信的通信管芯。在实施例中，通信管芯包括具有第一面和第二面的衬底。在实施例中，边缘表面将第一面连接到第二面。在实施例中，电路元件在第一面上，并且天线在边缘表面中的至少一个边缘表面上。

公开(公告)号：CN116264197A

公开(公告)日：2023-06-16

申请号：CN202211404740.2

申请日：2022-11-10

Applicant: 英特尔公司

Inventor： R·盖格尔 ,  G·帕纳格波罗斯 ,  J·X·劳 ,  H·格斯纳

IPC: H01L23/367 ,  H01L23/48 ,  H01L27/088

Abstract: 公开了包括用于背侧散热的BHR和TSV的IC器件。示例IC器件包括半导体结构。IC器件还包括耦合到半导体结构的导电层。IC器件还包括耦合到导电层的一个或多个BHR。每个BHR通过掩埋在支撑结构中的TSV连接到散热板。散热板在支撑结构的背侧处。BHR、TSV和散热板可以将半导体结构产生的热量传导到支撑结构的背侧。BHR也可以用作向半导体结构输送电力的电力轨线。可以将TSV扩大为具有比BHR大的横截面面积以增强散热。此外，散热板可以超出单元边界以更有效地散发热量。