公开(公告)号：CN105474359B

公开(公告)日：2019-04-12

申请号：CN201380077030.6

申请日：2013-06-27

Applicant: 英特尔公司

Inventor： R·L·布里斯托 ,  R·胡拉尼 ,  E·汉 ,  J·M·布莱克威尔

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/28

Abstract: 一个方面的方法包括在具有第一图案化区域和第二图案化区域的衬底的表面上方形成定向自组装对准促进层。在不使用光刻图案化的情况下在第一图案化区域上方选择性地形成第一定向自组装对准促进材料。该方法还包括通过定向自组装在定向自组装对准促进层上方形成组装层。形成了多个组装结构，每个组装结构主要包括在第一定向自组装对准促进材料上方的第一类型的聚合物。多个组装结构各自主要被第二图案化区域上方的不同的第二类型的聚合物邻近包围。第一定向自组装对准促进材料对第一类型的聚合物的化学亲和势比对不同的第二类型的聚合物的化学亲和势高。

公开(公告)号：CN105474359A

公开(公告)日：2016-04-06

申请号：CN201380077030.6

申请日：2013-06-27

Applicant: 英特尔公司

Inventor： R·L·布里斯托 ,  R·胡拉尼 ,  E·汉 ,  J·M·布莱克威尔

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L21/76897 ,  B81C1/00031 ,  B81C2201/0149 ,  H01L21/02118 ,  H01L21/0271 ,  H01L21/31051 ,  H01L21/31127 ,  H01L21/76822 ,  H01L21/76834 ,  H01L23/528 ,  H01L23/5328 ,  H01L23/5329 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一个方面的方法包括在具有第一图案化区域和第二图案化区域的衬底的表面上方形成定向自组装对准促进层。在不使用光刻图案化的情况下在第一图案化区域上方选择性地形成第一定向自组装对准促进材料。该方法还包括通过定向自组装在定向自组装对准促进层上方形成组装层。形成了多个组装结构，每个组装结构主要包括在第一定向自组装对准促进材料上方的第一类型的聚合物。多个组装结构各自主要被第二图案化区域上方的不同的第二类型的聚合物邻近包围。第一定向自组装对准促进材料对第一类型的聚合物的化学亲和势比对不同的第二类型的聚合物的化学亲和势高。