公开(公告)号：CN114664824A

公开(公告)日：2022-06-24

申请号：CN202111401562.3

申请日：2021-11-22

Applicant: 英特尔公司

Inventor： A·V·佩努马季哈 ,  S·H·宋 ,  J·卡瓦列罗斯 ,  U·阿维奇 ,  T·特罗尼克 ,  S·希瓦拉曼 ,  D·梅里尔 ,  T·布朗-赫夫特 ,  K·马克西 ,  M·梅茨 ,  I·扬

IPC: H01L27/092 ,  H01L21/8238 ,  H01L29/51 ,  H01L27/22 ,  H01L27/24

Abstract: 一种互补金属氧化物半导体(CMOS)晶体管包括第一晶体管，该第一晶体管具有在第一沟道之上的第一栅极电介质层，其中第一栅极电介质层包括Hf1‑xZxO2，其中0.33＜x＜0.5。第一晶体管还包括在第一栅极电介质层上的第一栅极电极以及在第一栅极电极的相对侧上的第一源极区域和第一漏极区域。CMOS晶体管还包括与第一晶体管相邻的第二晶体管。第二晶体管包括在第二沟道之上的第二栅极电介质层、在第二栅极电介质层上的第二栅极电极以及在第二栅极电极的相对侧上的第二源极区域和第二漏极区域，其中第二栅极电介质层包括Hf1‑xZxO2，其中0.5＜x＜0.99。