公开(公告)号：CN116259626A

公开(公告)日：2023-06-13

申请号：CN202211411277.4

申请日：2022-11-11

Applicant: 英特尔公司

Inventor： M·奥斯特迈尔 ,  G·塞德曼 ,  W·卢茨 ,  J·阿森马赫尔

IPC: H01L27/06 ,  H01L23/64

Abstract: 公开了基于纳米带堆叠体的电容器以及相关联的器件和系统。具体而言，至少两个纳米带的堆叠体可以用于提供本文中称为“基于纳米带的电容器”的二端子器件，其中，一个纳米带充当第一电容器电极，另一纳米带充当第二电容器电极。使用纳米带堆叠体的部分来实现基于纳米带的电容器可以提供对于常规电容器实施方式而言有吸引力的替代方案，因为它与制造基于纳米带的FET相比仅需要最适中的工艺改变，并且因为可以将基于纳米带的电容器放置得接近有源器件。此外，利用几个额外工艺步骤，可以有利地将基于纳米带的电容器扩展以实现其他电路块，例如具有两个阳极之间的公共连接和通往阴极的独立连接的基于纳米带的BJT或三纳米带布置。

公开(公告)号：CN115863319A

公开(公告)日：2023-03-28

申请号：CN202211017868.3

申请日：2022-08-24

Applicant: 英特尔公司

Inventor： P·鲍姆加特纳 ,  J·阿森马赫尔 ,  W·卢茨 ,  M·奥斯特迈尔 ,  G·塞德曼

IPC: H01L23/64 ,  H10N97/00 ,  H01L27/06 ,  H01L21/822

Abstract: 公开了一种半导体管芯，包括：在半导体衬底的正面处的多个晶体管；在半导体衬底的背面处的背面电感器；以及在半导体衬底的正面处的正面电感器。正面电感器和背面电感器电感耦合。

公开(公告)号：CN117546284A

公开(公告)日：2024-02-09

申请号：CN202280044113.4

申请日：2022-09-16

Applicant: 英特尔公司

Inventor： G·塞德曼 ,  M·奥斯特迈尔 ,  W·卢茨 ,  J·阿森马赫尔

IPC: H01L23/48

Abstract: 提供了一种半导体器件。半导体器件包括半导体管芯，所述半导体管芯包括半导体衬底和布置在所述半导体衬底的正面的多个晶体管。此外，所述半导体管芯包括从所述半导体衬底的正面延伸到所述半导体衬底的背面的第一导电结构、以及从所述半导体衬底的正面延伸到所述半导体衬底的背面的第二导电结构。半导体器件还包括直接附接到所述半导体衬底的背面的中介层。中介层包括电连接到所述半导体管芯的所述第一导电结构的第一迹线。此外，中介层包括电连接到所述半导体管芯的所述第二导电结构的所述第一迹线或第二迹线。

公开(公告)号：CN115863318A

公开(公告)日：2023-03-28

申请号：CN202211017340.6

申请日：2022-08-23

Applicant: 英特尔公司

Inventor： M·奥斯特迈尔 ,  W·卢茨 ,  J·阿森马赫尔 ,  G·塞德曼

IPC: H01L23/64 ,  H01L27/06 ,  H10N97/00 ,  H01L21/822

Abstract: 公开了一种半导体管芯，包括：电路，包括在半导体衬底的正面处的晶体管；以及背面电感器，在半导体衬底的背面处。背面电感器电连接到电路的晶体管。