公开(公告)号：CN117712067A

公开(公告)日：2024-03-15

申请号：CN202311726120.5

申请日：2021-10-26

Applicant: 英特尔公司

Inventor： B·魏达斯 ,  A·沃尔特 ,  G·塞德曼 ,  T·瓦格纳

IPC: H01L23/488 ,  H01L23/52 ,  H01L23/31 ,  H01L25/18

Abstract: 本文公开的实施例包括电子封装和形成这种封装的方法。在实施例中，电子封装包括模制层和嵌入在模制层中的第一管芯。在实施例中，第一管芯包括具有第一间距的第一焊盘和具有第二间距的第二焊盘。在实施例中，电子封装还包括嵌入在模制层中的第二管芯，其中第二管芯包括具有第一间距的第三焊盘和具有第二间距的第四焊盘。在实施例中，桥接器管芯嵌入在模制层中，并且桥接器管芯将第二焊盘电耦合到第四焊盘。

公开(公告)号：CN116864500A

公开(公告)日：2023-10-10

申请号：CN202310848759.4

申请日：2019-03-04

Applicant: 英特尔公司

Inventor： D·奥沙利文 ,  G·塞德曼 ,  R·帕滕 ,  B·魏达斯

IPC: H01L25/18 ,  H01L23/488 ,  H01L23/31 ,  H01L21/98

Abstract: 实施例包括半导体封装以及形成半导体封装的方法。一种半导体封装包括位于第一管芯和第一通孔之上及其周围的模制物。半导体封装具有设置在第一管芯的顶表面和/或模制物的顶表面上的第一再分布层的导电焊盘。半导体封装包括第二管芯，其具有耦合到第二管芯的底表面上的管芯焊盘的焊球，其中第二管芯的焊球耦合到第一再分布层。第一再分布层将第二管芯耦合到第一管芯，其中第二管芯具有第一边缘和第二边缘，并且其中第一边缘定位在第一管芯的占用区域内，第二边缘定位在第一管芯的占用区域外。

公开(公告)号：CN119208293A

公开(公告)日：2024-12-27

申请号：CN202311854128.X

申请日：2023-12-28

Applicant: 英特尔公司

Inventor： C·莫兰贵赞 ,  P·鲍姆加特纳 ,  T·瓦格纳 ,  G·塞德曼 ,  M·朗根布赫 ,  M·雅克贡迪纬鲁帕克沙帕 ,  J·詹森 ,  R·沙驰塔南丹 ,  P·莱斯

IPC: H01L23/538 ,  H01L25/16 ,  H10N97/00

Abstract: 本公开内容涉及直接接合层中的布线和无源部件。本文中描述了包括通过不同部件的直接接合(例如，两个管芯的直接接合或管芯到晶圆的直接接合)而形成的导电结构的集成电路器件。导电结构由部件中的每一个的顶部金属化层形成。例如，顶部金属化层处的细长导电结构可以被图案化和接合以形成用于高频和/或高功率信号的大互连。在另一示例中，接合导电结构可形成射频无源器件，例如电感器或变压器。

公开(公告)号：CN119170576A

公开(公告)日：2024-12-20

申请号：CN202311838832.6

申请日：2023-12-28

Applicant: 英特尔公司

Inventor： H·达卡德 ,  G·C·多吉阿米斯 ,  G·塞德曼 ,  B·魏达斯 ,  T·瓦格纳 ,  M·杜塔 ,  M·朗根布赫

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/538 ,  H01L21/56 ,  H01L21/768

Abstract: 本文的实施涉及用于通过将管芯至少部分地包围在具有不同介电常数的模制化合物和电介质材料中，来减小包括管芯的封装的电容的系统、设备、技术或工艺。可以描述和/或要求保护其他实施例。

公开(公告)号：CN119070008A

公开(公告)日：2024-12-03

申请号：CN202311813680.4

申请日：2023-12-26

Applicant: 英特尔公司

Inventor： T·卡姆嘎因 ,  G·塞德曼 ,  H·加斯纳 ,  T·瓦格纳 ,  B·魏达斯 ,  T·Y·杨

IPC: H01Q1/38 ,  H01Q1/36 ,  H01Q1/52 ,  H01Q1/22

Abstract: 本文所公开的是天线模块、电子组件和通信装置。一种示例性天线模块包括IC部件、所述IC部件的面上方的天线贴片支撑件、以及至少部分彼此垂直堆叠布置的天线贴片的堆叠体，其中，所述堆叠体的第一天线贴片是最接近所述IC部件的天线贴片，并且所述堆叠体的第二天线贴片是最接近所述第一天线贴片的天线贴片。所述第一天线贴片位于所述IC部件的面上，而所述堆叠体的所述第二天线贴片和其他天线贴片在所述天线贴片支撑件上或在所述天线贴片支撑件中，并且与所述天线贴片支撑件和所述IC部件中的所有导电材料通路电隔离。

公开(公告)号：CN108630655B

公开(公告)日：2024-01-02

申请号：CN201810153109.7

申请日：2018-02-13

Applicant: 英特尔公司

Inventor： B·魏达斯 ,  G·塞德曼 ,  A·沃尔特 ,  T·瓦格纳 ,  S·施特克尔 ,  L·米楼

IPC: H01L23/498 ,  H01L21/48

Abstract: 嵌入式桥衬底连接器装置包括图案化参考层，第一模块和随后的模块与图案化参考层对准，且这两个模块在图案化参考层处配对。至少一个模块包括通过图案化参考层桥接到两个设备、到配对的模块的硅桥连接器。

公开(公告)号：CN116259626A

公开(公告)日：2023-06-13

申请号：CN202211411277.4

申请日：2022-11-11

Applicant: 英特尔公司

Inventor： M·奥斯特迈尔 ,  G·塞德曼 ,  W·卢茨 ,  J·阿森马赫尔

IPC: H01L27/06 ,  H01L23/64

Abstract: 公开了基于纳米带堆叠体的电容器以及相关联的器件和系统。具体而言，至少两个纳米带的堆叠体可以用于提供本文中称为“基于纳米带的电容器”的二端子器件，其中，一个纳米带充当第一电容器电极，另一纳米带充当第二电容器电极。使用纳米带堆叠体的部分来实现基于纳米带的电容器可以提供对于常规电容器实施方式而言有吸引力的替代方案，因为它与制造基于纳米带的FET相比仅需要最适中的工艺改变，并且因为可以将基于纳米带的电容器放置得接近有源器件。此外，利用几个额外工艺步骤，可以有利地将基于纳米带的电容器扩展以实现其他电路块，例如具有两个阳极之间的公共连接和通往阴极的独立连接的基于纳米带的BJT或三纳米带布置。

公开(公告)号：CN105981159B

公开(公告)日：2020-10-16

申请号：CN201480075442.0

申请日：2014-03-12

Applicant: 英特尔公司

Inventor： T·迈尔 ,  G·奥夫纳 ,  A·沃尔特 ,  G·塞德曼 ,  S·阿尔贝斯 ,  C·盖斯勒

IPC: H01L23/12

Abstract: 一种微电子封装件，包括设置在封装体内的无源微电子器件，其中，封装体是微电子封装件的部分，封装体为微电子封装件提供支撑和/或刚性。在倒装芯片类型的微电子封装件中，封装体可以包括微电子基板，有源微电子器件电附接至微电子基板。在嵌入式器件类型的微电子封装件中，封装体可以包括其中嵌入有源微电子器件的材料。

公开(公告)号：CN118841731A

公开(公告)日：2024-10-25

申请号：CN202311803624.2

申请日：2023-12-26

Applicant: 英特尔公司

Inventor： H·加斯纳 ,  T·瓦格纳 ,  B·魏达斯 ,  G·塞德曼 ,  T·Y·杨 ,  T·卡姆嘎因

IPC: H01Q1/22 ,  H01L23/60 ,  H01Q1/48

Abstract: 公开了使用集成聚合物纳米复合物装置的毫米波天线ESD保护。一种天线装置包括将位于衬底上的天线耦合到接地端子和信号端子两者的集成聚合物纳米复合物(PNC)装置。PNC装置可以包括位于两个电极之间的PNC材料。PNC装置可以与包括PNC装置中的每一个PNC装置的至少一个电极的衬底集成到天线装置中。一个PNC装置可以例如在天线与信号端子之间向天线或从天线传送信号。另一PNC装置可以将静电放电(ESD)脉冲传送到接地端子。天线装置可以包括集成电路(IC)管芯或耦合到集成电路(IC)管芯。IC管芯可以例如从天线与衬底相对地耦合到信号端子和接地端子。

公开(公告)号：CN115863319A

公开(公告)日：2023-03-28

申请号：CN202211017868.3

申请日：2022-08-24

Applicant: 英特尔公司

Inventor： P·鲍姆加特纳 ,  J·阿森马赫尔 ,  W·卢茨 ,  M·奥斯特迈尔 ,  G·塞德曼

IPC: H01L23/64 ,  H10N97/00 ,  H01L27/06 ,  H01L21/822

Abstract: 公开了一种半导体管芯，包括：在半导体衬底的正面处的多个晶体管；在半导体衬底的背面处的背面电感器；以及在半导体衬底的正面处的正面电感器。正面电感器和背面电感器电感耦合。