公开(公告)号：CN105895501A

公开(公告)日：2016-08-24

申请号：CN201510222369.1

申请日：2015-05-04

Applicant: 英飞凌技术德累斯顿有限责任公司

Inventor： T·考茨施 ,  A·塞瑞 ,  S·比塞尔特 ,  U·鲁道夫 ,  M·米勒 ,  B·宾德

IPC: H01L21/02

CPC classification number: H01L21/02002 ,  H01L21/02005 ,  H01L21/304 ,  H01L21/306 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/3083 ,  H01L21/764 ,  H01L21/7806 ,  Y10T156/1057 ,  Y10T156/11 ,  Y10T428/13 ,  H01L21/02035

Abstract: 本发明的各个实施例涉及晶片、用于处理晶片的方法、以及用于处理载体的方法。根据各个实施例，用于处理晶片的方法可以包括：在晶片内形成至少一个中空腔室和支撑结构，该至少一个中空腔室限定了载体的位于该至少一个中空腔室之上的帽区域、载体的位于该至少一个中空腔室之下的底部区域、以及围绕了载体的帽区域的边缘区域，其中帽区域的表面面积大于边缘区域的表面面积，并且其中帽区域由支撑结构连接至底部区域；从底部区域和边缘区域成一整块地移除帽区域。