公开(公告)号：CN112074952B

公开(公告)日：2025-03-14

申请号：CN201980011054.9

申请日：2019-01-23

Applicant: 英飞凌科技两极有限两合公司

Inventor： U·克尔纳-韦德豪森 ,  M·施特尔特 ,  M·德罗尔德纳 ,  D·皮科尔日 ,  P·魏德纳 ,  R·巴特尔梅斯 ,  M·申克 ,  J·普日比拉

IPC: H01L23/62 ,  H10D18/00

Abstract: 一种短路半导体器件(15、22、29、34、40、45、49、52、56、59、62、66、70、72)包括半导体本体(16)，其中，布置有第一导电类型的背面基极区域(6)、与所述第一导电类型互补的第二导电类型的内部区域(7)和第一导电类型的正面基极区域(8)。所述背面基极区域(6)与背面电极(11)导电地相连接，所述背面电极具有背面电极宽度(WER)，并且所述正面基极区域(8)与正面电极(10)导电地相连接，所述正面电极具有正面电极宽度(WEV)，其中，至少一个正面接通结构(17)被嵌入到所述正面基极区域中并且至少部分地被所述正面电极(10)覆盖，所述正面接通结构具有正面接通结构宽度(WSV)，和/或者至少一个背面接通结构(31)被嵌入到所述背面基极区域中并且至少部分地被所述背面电极覆盖，所述背面接通结构具有背面接通结构宽度(WSR)。所述接通结构被设计成依赖于输入的接通信号而接通并且一次性地在两个电极之间建立不可逆的、低电阻的连接。所述正面接通结构宽度与所述正面电极宽度的比率以及所述背面接通结构宽度与所述背面电极宽度的比率分别小于1。本发明还涉及一种用于运作这样的短路半导体器件(15、22、29、34、40、45、49、52、56、59、62、66、70、72)的方法。

公开(公告)号：CN112310192B

公开(公告)日：2025-03-11

申请号：CN202010749269.5

申请日：2020-07-30

Applicant: 英飞凌科技两极有限两合公司

Inventor： M·申克 ,  R·巴特尔梅斯 ,  P·魏德纳 ,  D·皮科尔日 ,  M·德罗尔德纳 ,  M·施特尔特 ,  H·尼贝尔 ,  U·克尔纳-韦德豪森 ,  C·德里林 ,  J·普日比拉

IPC: H10D62/10 ,  H10D62/13 ,  H10D18/00

Abstract: 短路半导体器件具有半导体本体，其中设置第一导电类型的背面基极区和正面基极区、与第一导电类型互补的第二导电类型的内部区域。背面和正面基极区与背面和正面电极导电连接。至少一个正面和/或背面导通结构嵌入到正面和/或基极区中并且至少部分地由正面和/或背面电极覆盖。导通结构是第二导电类型的发射极结构，其分别与相应的电极导电接触，可以借助于至少一个触发结构导通，该触发结构又借助于电导通信号激活。在激活状态下，触发结构将浪涌电流注入到半导体本体中，该浪涌电流不可逆地破坏在导通结构与其嵌入的基极区之间形成的第一半导体结和/或在该基极区与内部区域之间形成的第二半导体结。还涉及用于操作这种短路半导体器件的方法。