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公开(公告)号:CN117246971A
公开(公告)日:2023-12-19
申请号:CN202310718610.4
申请日:2023-06-16
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
IPC: B81B7/02
Abstract: 本公开的实施例涉及MEMS器件和具有这样的MEMS器件的装置。MEMS器件包括具有腔的衬底,并且包括膜结构,该膜结构被机械地连接到衬底,并且被配置为相对于衬底平面、并且以在超声频率范围内的频率偏转出平面,以引起流体在腔中的流体运动。MEMS器件包括阀结构,该阀结构与膜结构一起夹持腔,其中阀结构包括平面穿孔结构和闸结构,该闸结构与穿孔结构相对,并且以超声频率范围内的频率、并且相对于衬底平面、并且在第一位置与第二位置之间可移动地布置在平面内。闸结构被布置为在第一位置为流体提供第一流体阻力,并且在第二位置为流体提供更高的第二流体阻力。
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公开(公告)号:CN116946963A
公开(公告)日:2023-10-27
申请号:CN202310391403.2
申请日:2023-04-13
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
IPC: B81B7/02
Abstract: 本公开的实施例涉及MEMS器件。MEMS器件包括以竖直间隔配置的第一可偏转膜结构、刚性电极结构和第二可偏转膜结构,其中刚性电极结构被布置在第一和第二可偏转膜结构之间,并且其中第一和第二可偏转膜结构各自包括可偏转部分,并且其中第一和第二可偏转膜结构的可偏转部分借助机械连接元件彼此机械耦合,并且与刚性电极结构机械解耦;以及其中机械连接元件的至少一个子集是细长机械连接元件,其中细长机械连接元件具有横向截面区域,横向截面区域沿着如下方向具有横向伸长尺寸:该方向与第一和第二可偏转膜结构在相应细长机械连接元件的横向位置处的局部膜偏转梯度在+/‑20°公差范围内垂直。
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公开(公告)号:CN117412235A
公开(公告)日:2024-01-16
申请号:CN202310864740.9
申请日:2023-07-14
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
IPC: H04R31/00
Abstract: 本公开的实施例涉及一种鲁棒的MEMS器件和用于制造MEMS器件的方法。MEMS器件包括第一膜结构,第一膜结构具有由单件的第一膜结构成形的强化区域,其中强化区域具有大于第一膜结构的邻接区域的层厚度。MEMS器件包括电极结构,其中电极结构与第一膜结构竖直地间隔开。
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