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公开(公告)号：CN107046095B
公开(公告)日：2019-06-21
申请号：CN201611152072.3
申请日：2016-12-14
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
CPC classification number: G11B5/398 , G01R33/0023 , G01R33/09 , G11B2005/3996 , H01F10/324 , H01F10/3268
Abstract: 实施例涉及一种磁性传感器设备（700），其包括磁电阻结构（710）。该磁电阻结构（710）包括磁性自由层（770），其被配置成在该自由层（770）中自发地生成闭合通量磁化模式（775）。该磁电阻结构（710）还包括具有非闭合通量参考磁化模式（755）的磁性参考层（750）。该磁性传感器设备（700）还包括被配置成在磁性自由层（770）中生成偏置场的磁性偏置结构（780），该偏置场具有垂直于参考磁化模式（755）的非零磁性偏置场分量。
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公开(公告)号：CN107046095A
公开(公告)日：2017-08-15
申请号：CN201611152072.3
申请日：2016-12-14
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
CPC classification number: G11B5/398 , G01R33/0023 , G01R33/09 , G11B2005/3996 , H01F10/324 , H01F10/3268 , H01L43/08 , H01L43/12
Abstract: 实施例涉及一种磁性传感器设备（700），其包括磁电阻结构（710）。该磁电阻结构（710）包括磁性自由层（770），其被配置成在该自由层（770）中自发地生成闭合通量磁化模式（775）。该磁电阻结构（710）还包括具有非闭合通量参考磁化模式（755）的磁性参考层（750）。该磁性传感器设备（700）还包括被配置成在磁性自由层（770）中生成偏置场的磁性偏置结构（780），该偏置场具有垂直于参考磁化模式（755）的非零磁性偏置场分量。
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公开(公告)号：CN107064828B
公开(公告)日：2020-10-23
申请号：CN201710070976.X
申请日：2017-02-09
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
IPC: G01R33/09
Abstract: 本发明涉及磁性传感器设备和用于具有磁阻结构的磁性传感器设备的方法。实施例涉及包括磁阻结构（501）的磁性传感器设备（500）。磁阻结构（501）包括磁性自由层（502），该磁性自由层（502）配置成自发地生成自由层（502）中的闭合通量磁化模式。磁阻结构（500）还包括具有非闭合通量参考磁化模式的磁性参考层（506）。磁性传感器设备（500）还包括电流发生器（580），该电流发生器（580）配置成生成磁阻结构（501）的一个或多个层中的电流。所述电流具有垂直于参考磁化模式的非零定向分量。
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公开(公告)号：CN107064828A
公开(公告)日：2017-08-18
申请号：CN201710070976.X
申请日：2017-02-09
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
IPC: G01R33/09
Abstract: 本发明涉及磁性传感器设备和用于具有磁阻结构的磁性传感器设备的方法。实施例涉及包括磁阻结构（501）的磁性传感器设备（500）。磁阻结构（501）包括磁性自由层（502），该磁性自由层（502）配置成自发地生成自由层（502）中的闭合通量磁化模式。磁阻结构（500）还包括具有非闭合通量参考磁化模式的磁性参考层（506）。磁性传感器设备（500）还包括电流发生器（580），该电流发生器（580）配置成生成磁阻结构（501）的一个或多个层中的电流。所述电流具有垂直于参考磁化模式的非零定向分量。
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