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公开(公告)号：CN105527451B
公开(公告)日：2020-10-30
申请号：CN201510663825.6
申请日：2015-10-15
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
IPC: G01P3/44
Abstract: 本发明涉及磁阻器件。一种磁阻器件包括多个磁阻感测元件。多个磁阻感测元件中的每个包括自由层和参考层。自由层具有带有长宽比为2或更大的圆形凸面轮廓。
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公开(公告)号：CN106169533B
公开(公告)日：2020-02-14
申请号：CN201610336431.4
申请日：2016-05-20
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
Abstract: 本发明涉及磁阻设备和用于制造磁阻设备的方法。一种磁阻设备可以包括磁阻堆叠和设置在所述磁阻堆叠上的蚀刻停止层（ESL）。一种制造磁阻设备的方法可以包括：在基底上沉积磁阻堆叠、ESL和掩模层；执行第一蚀刻过程以蚀刻掩模层的部分来暴露ESL的部分；以及执行第二蚀刻过程以蚀刻ESL的暴露的部分和磁阻堆叠的部分。所述方法可以进一步包括：在所述第一蚀刻过程之前，在所述硬掩模上沉积光致抗蚀剂层；以及在所述第一蚀刻过程之后，从所述硬掩模去除所述光致抗蚀剂层。第一和第二蚀刻过程可以是不同的。例如，所述第一蚀刻过程可以是反应蚀刻过程，并且所述第二蚀刻过程可以是非反应蚀刻过程。
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公开(公告)号：CN107046095B
公开(公告)日：2019-06-21
申请号：CN201611152072.3
申请日：2016-12-14
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
CPC classification number: G11B5/398 , G01R33/0023 , G01R33/09 , G11B2005/3996 , H01F10/324 , H01F10/3268
Abstract: 实施例涉及一种磁性传感器设备（700），其包括磁电阻结构（710）。该磁电阻结构（710）包括磁性自由层（770），其被配置成在该自由层（770）中自发地生成闭合通量磁化模式（775）。该磁电阻结构（710）还包括具有非闭合通量参考磁化模式（755）的磁性参考层（750）。该磁性传感器设备（700）还包括被配置成在磁性自由层（770）中生成偏置场的磁性偏置结构（780），该偏置场具有垂直于参考磁化模式（755）的非零磁性偏置场分量。
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公开(公告)号：CN107046095A
公开(公告)日：2017-08-15
申请号：CN201611152072.3
申请日：2016-12-14
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
CPC classification number: G11B5/398 , G01R33/0023 , G01R33/09 , G11B2005/3996 , H01F10/324 , H01F10/3268 , H01L43/08 , H01L43/12
Abstract: 实施例涉及一种磁性传感器设备（700），其包括磁电阻结构（710）。该磁电阻结构（710）包括磁性自由层（770），其被配置成在该自由层（770）中自发地生成闭合通量磁化模式（775）。该磁电阻结构（710）还包括具有非闭合通量参考磁化模式（755）的磁性参考层（750）。该磁性传感器设备（700）还包括被配置成在磁性自由层（770）中生成偏置场的磁性偏置结构（780），该偏置场具有垂直于参考磁化模式（755）的非零磁性偏置场分量。
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公开(公告)号：CN103376426B
公开(公告)日：2016-12-28
申请号：CN201310137649.3
申请日：2013-04-19
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
Inventor： W.拉贝格
IPC: G01R33/09
CPC classification number: G01R33/093 , G01R33/09 , G01R33/098
Abstract: 本发明涉及磁场传感器。本发明的实施例提供一种磁场传感器。所述磁场传感器包括至少四个XMR元件，所述XMR元件被连接在包括并联分支的全桥电路中。所述至少四个XMR元件是GMR或TMR元件（GMR=巨磁阻；TMR=隧道磁阻）。所述全桥电路的两个对角线XMR元件包括相同形状各向异性，其中所述全桥电路的同一分支中的XMR元件包括不同形状各向异性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107561460B
公开(公告)日：2020-04-03
申请号：CN201710523414.6
申请日：2017-06-30
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
Abstract: 本公开涉及一种磁传感器装置(300)，所述磁传感器装置(300)包括至少一个磁阻结构(310)。所述磁阻结构包括：磁自由层(316)，被配置为在自由层中产生闭合通量磁化样式，和磁参考层(314)，具有非闭合通量参考磁化样式；和磁通量集中器(320)，被配置为增加磁自由层(316)中的外部磁场(330)的通量密度。
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公开(公告)号：CN107561460A
公开(公告)日：2018-01-09
申请号：CN201710523414.6
申请日：2017-06-30
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
Abstract: 本公开涉及一种磁传感器装置(300)，所述磁传感器装置(300)包括至少一个磁阻结构(310)。所述磁阻结构包括：磁自由层(316)，被配置为在自由层中产生闭合通量磁化样式，和磁参考层(314)，具有非闭合通量参考磁化样式；和磁通量集中器(320)，被配置为增加磁自由层(316)中的外部磁场(330)的通量密度。
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公开(公告)号：CN106169533A
公开(公告)日：2016-11-30
申请号：CN201610336431.4
申请日：2016-05-20
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
Abstract: 本发明涉及磁阻设备和用于制造磁阻设备的方法。一种磁阻设备可以包括磁阻堆叠和设置在所述磁阻堆叠上的蚀刻停止层（ESL）。一种制造磁阻设备的方法可以包括：在基底上沉积磁阻堆叠、ESL和掩模层；执行第一蚀刻过程以蚀刻掩模层的部分来暴露ESL的部分；以及执行第二蚀刻过程以蚀刻ESL的暴露的部分和磁阻堆叠的部分。所述方法可以进一步包括：在所述第一蚀刻过程之前，在所述硬掩模上沉积光致抗蚀剂层；以及在所述第一蚀刻过程之后，从所述硬掩模去除所述光致抗蚀剂层。第一和第二蚀刻过程可以是不同的。例如，所述第一蚀刻过程可以是反应蚀刻过程，并且所述第二蚀刻过程可以是非反应蚀刻过程。
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公开(公告)号：CN105785290A
公开(公告)日：2016-07-20
申请号：CN201610167299.9
申请日：2013-04-19
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
Inventor： W.拉贝格
IPC: G01R33/09
CPC classification number: G01R33/093 , G01R33/09 , G01R33/098
Abstract: 本发明涉及磁场传感器。本发明的实施例提供一种磁场传感器。所述磁场传感器包括至少四个XMR元件，所述XMR元件被连接在包括并联分支的全桥电路中。所述至少四个XMR元件是GMR或TMR元件（GMR=巨磁阻；TMR=隧道磁阻）。所述全桥电路的两个对角线XMR元件包括相同形状各向异性，其中所述全桥电路的同一分支中的XMR元件包括不同形状各向异性。
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公开(公告)号：CN107064828B
公开(公告)日：2020-10-23
申请号：CN201710070976.X
申请日：2017-02-09
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
IPC: G01R33/09
Abstract: 本发明涉及磁性传感器设备和用于具有磁阻结构的磁性传感器设备的方法。实施例涉及包括磁阻结构（501）的磁性传感器设备（500）。磁阻结构（501）包括磁性自由层（502），该磁性自由层（502）配置成自发地生成自由层（502）中的闭合通量磁化模式。磁阻结构（500）还包括具有非闭合通量参考磁化模式的磁性参考层（506）。磁性传感器设备（500）还包括电流发生器（580），该电流发生器（580）配置成生成磁阻结构（501）的一个或多个层中的电流。所述电流具有垂直于参考磁化模式的非零定向分量。
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