公开(公告)号：CN110190182B

公开(公告)日：2023-07-25

申请号：CN201910453140.7

申请日：2019-05-28

Applicant: 衢州学院

Inventor： 杨建辉 ,  梁兴 ,  赵怀远 ,  王安萍 ,  张绍政

IPC: H10N50/20 ,  H10N50/85 ,  H10N50/01

Abstract: 本发明公开了一种超薄自旋阀器件的设计方法，它涉及电子器件技术领域。包括自由层、钉扎层和反铁磁层，自由层与钉扎层相邻，钉扎层和反铁磁层相邻，所述的自由层、钉扎层均采用二维稀土半金属磁性材料。反铁磁层采用FeMn、IrMn、NiMn和PtMn等传统材料。本发明应用二维稀土半金属磁性材料制作超薄自旋阀，提高自旋阀的灵敏度，将自旋阀厚度降低到2nm以下，是现在普遍使用的自旋阀厚度的1/3。取消了绝缘层，进而简化自旋制备的工艺流程。

公开(公告)号：CN110190182A

公开(公告)日：2019-08-30

申请号：CN201910453140.7

申请日：2019-05-28

Applicant: 衢州学院

Inventor： 杨建辉 ,  梁兴 ,  赵怀远 ,  王安萍 ,  张绍政

IPC: H01L43/08 ,  H01L43/10 ,  H01L43/12

Abstract: 本发明公开了一种超薄自旋阀器件的设计方法，它涉及电子器件技术领域。包括自由层、钉扎层和反铁磁层，自由层与钉扎层相邻，钉扎层和反铁磁层相邻，所述的自由层、钉扎层均采用二维稀土半金属磁性材料。反铁磁层采用FeMn、IrMn、NiMn和PtMn等传统材料。本发明应用二维稀土半金属磁性材料制作超薄自旋阀，提高自旋阀的灵敏度，将自旋阀厚度降低到2nm以下，是现在普遍使用的自旋阀厚度的1/3。取消了绝缘层，进而简化自旋制备的工艺流程。