公开(公告)号：CN117275862A

公开(公告)日：2023-12-22

申请号：CN202311126935.X

申请日：2023-09-04

Applicant: 衢州学院

Inventor： 杨建辉 ,  赵怀远 ,  吕伟琦 ,  石霏

IPC: H01F1/00 ,  C23C14/18 ,  C23C14/35 ,  C23C14/02 ,  H01F41/00

Abstract: 本发明公开了一种基于Cr2TiC2Tx的长程有序反铁磁材料及其制备方法，其中长程有序反铁磁材料包括Cr2TiC2Tx材料层，在所述Cr2TiC2Tx材料层的下表面结合有基底层，在所述Cr2TiC2Tx材料层的上表面形成有调控层，所述基底层由元素周期表内第五周期第Ⅷ族或第六周期第Ⅷ族中的任一元素形成，所述调控层由元素周期表内第五周期第Ⅷ族或第六周期第Ⅷ族中的任一元素形成。其显著效果是：通过金属覆盖调控形成长程有序的二维反铁磁磁性材料，进而使其能够应用于超薄自旋阀(厚度仅为1纳米)、太赫兹振动频率的器件领域。

公开(公告)号：CN110190182B

公开(公告)日：2023-07-25

申请号：CN201910453140.7

申请日：2019-05-28

Applicant: 衢州学院

Inventor： 杨建辉 ,  梁兴 ,  赵怀远 ,  王安萍 ,  张绍政

IPC: H10N50/20 ,  H10N50/85 ,  H10N50/01

Abstract: 本发明公开了一种超薄自旋阀器件的设计方法，它涉及电子器件技术领域。包括自由层、钉扎层和反铁磁层，自由层与钉扎层相邻，钉扎层和反铁磁层相邻，所述的自由层、钉扎层均采用二维稀土半金属磁性材料。反铁磁层采用FeMn、IrMn、NiMn和PtMn等传统材料。本发明应用二维稀土半金属磁性材料制作超薄自旋阀，提高自旋阀的灵敏度，将自旋阀厚度降低到2nm以下，是现在普遍使用的自旋阀厚度的1/3。取消了绝缘层，进而简化自旋制备的工艺流程。

公开(公告)号：CN110190182A

公开(公告)日：2019-08-30

申请号：CN201910453140.7

申请日：2019-05-28

Applicant: 衢州学院

Inventor： 杨建辉 ,  梁兴 ,  赵怀远 ,  王安萍 ,  张绍政

IPC: H01L43/08 ,  H01L43/10 ,  H01L43/12

Abstract: 本发明公开了一种超薄自旋阀器件的设计方法，它涉及电子器件技术领域。包括自由层、钉扎层和反铁磁层，自由层与钉扎层相邻，钉扎层和反铁磁层相邻，所述的自由层、钉扎层均采用二维稀土半金属磁性材料。反铁磁层采用FeMn、IrMn、NiMn和PtMn等传统材料。本发明应用二维稀土半金属磁性材料制作超薄自旋阀，提高自旋阀的灵敏度，将自旋阀厚度降低到2nm以下，是现在普遍使用的自旋阀厚度的1/3。取消了绝缘层，进而简化自旋制备的工艺流程。