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公开(公告)号:CN113862547A
公开(公告)日:2021-12-31
申请号:CN202111170377.8
申请日:2021-10-08
Applicant: 衢州学院
Abstract: 本发明公开了一种可实现低熔点元素偏析调控的高压凝固制备方法,所述方法是将含低熔点元素(Cu元素)的高熵合金在不同压力下进行凝固,以CoCrFeNiAlCu合金为研究对象,在4GPa和7GPa高压下制备,与常压下制备的合金材料进行扫描电镜(SEM)下的微观组织和元素分布图进行比对,研究低熔点元素偏析调控的结果。本发明在GPa级条件下研究合金的低熔点元素偏析调控方法,对于探索并建立高压凝固的偏析调控过程中一些基本理论,扩展高压凝固制备耐腐蚀新材料的可能性具有极大的意义。
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公开(公告)号:CN113897527A
公开(公告)日:2022-01-07
申请号:CN202111170363.6
申请日:2021-10-08
Applicant: 衢州学院
Abstract: 本发明公开了一种可提高CoCrFeNiAl高熵合金腐蚀性能的方法,所述方法是将不同压力下制备的高熵合金进行电化学腐蚀,并观察结果。本次实验主要CoCrFeNiAl高熵合金分别在0Gpa、4Gpa、7Gpa的压力处理后腐蚀性能的变化,这对于探索并建立高压凝固的CoCrFeNiAl高熵合金腐蚀理论,扩展高压凝固抗腐蚀新材料制备方法的可能性具有极大的意义。
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