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公开(公告)号：CN112450939A
公开(公告)日：2021-03-09
申请号：CN202011289651.9
申请日：2020-11-18
Applicant: 西北工业大学
Abstract: 本发明公开了一种植入式可延展多模式记录与光刺激脑机接口器件，包括深层刺入电极部分和表层平面电极部分。深层刺入电极部分包括深层记录电极点和封装在弹性透明硅胶内的微型LED芯片，表层平面电极部分包含皮层记录电极点。微型LED芯片发光工作，激活神经元进行电位发放，通过皮层记录电极点采集大脑皮层电信号，同时深层记录电极点采集单个神经元脉冲信号；大脑皮层电信号和单个神经元脉冲信号同时传输到接口端。该器件具有深脑光刺激和同步多空间尺度神经信号监测能力，拥有多空间尺度神经信号监测能力，同时使用统一接口端，有效提高了系统集成度和长期埋植可靠性。
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公开(公告)号：CN112450939B
公开(公告)日：2024-04-19
申请号：CN202011289651.9
申请日：2020-11-18
Applicant: 西北工业大学
Abstract: 本发明公开了一种植入式可延展多模式记录与光刺激脑机接口器件，包括深层刺入电极部分和表层平面电极部分。深层刺入电极部分包括深层记录电极点和封装在弹性透明硅胶内的微型LED芯片，表层平面电极部分包含皮层记录电极点。微型LED芯片发光工作，激活神经元进行电位发放，通过皮层记录电极点采集大脑皮层电信号，同时深层记录电极点采集单个神经元脉冲信号；大脑皮层电信号和单个神经元脉冲信号同时传输到接口端。该器件具有深脑光刺激和同步多空间尺度神经信号监测能力，拥有多空间尺度神经信号监测能力，同时使用统一接口端，有效提高了系统集成度和长期埋植可靠性。
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公开(公告)号：CN112472096B
公开(公告)日：2024-03-19
申请号：CN202011457788.0
申请日：2020-12-11
Applicant: 西北工业大学
IPC: A61B5/25 , A61B5/268 , A61B5/294 , A61N1/05 , C23C14/04 , C23C14/20 , C23C16/02 , C23C16/04 , C23C16/44 , C23C16/56
Abstract: 本发明公开了一种应力诱发的自卷曲网状卡夫神经电极，将金属导电层夹在聚对二甲苯网孔衬底层和聚对二甲苯网孔封装层中间，在聚对二甲苯网孔衬底层和聚对二甲苯网孔封装层上分别设置相同的网孔阵列；聚对二甲苯网孔衬底层进行加热退火处理，聚对二甲苯网孔封装层不作热处理，两层之间的应力差驱动整个电极释放后自卷曲成为自卷曲网状卡夫神经电极。本发明的卷曲网状卡夫神经电极具有轻薄柔软、组织损伤小、可有效适配弯曲神经束和利于组织液流动等特点。
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公开(公告)号：CN112472096A
公开(公告)日：2021-03-12
申请号：CN202011457788.0
申请日：2020-12-11
Applicant: 西北工业大学
IPC: A61B5/25 , A61B5/268 , A61B5/294 , A61N1/05 , C23C14/04 , C23C14/20 , C23C16/02 , C23C16/04 , C23C16/44 , C23C16/56
Abstract: 本发明公开了一种应力诱发的自卷曲网状卡夫神经电极，将金属导电层夹在聚对二甲苯网孔衬底层和聚对二甲苯网孔封装层中间，在聚对二甲苯网孔衬底层和聚对二甲苯网孔封装层上分别设置相同的网孔阵列；聚对二甲苯网孔衬底层进行加热退火处理，聚对二甲苯网孔封装层不作热处理，两层之间的应力差驱动整个电极释放后自卷曲成为自卷曲网状卡夫神经电极。本发明的卷曲网状卡夫神经电极具有轻薄柔软、组织损伤小、可有效适配弯曲神经束和利于组织液流动等特点。
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