一种C/SiC泡沫骨架增强SiC气凝胶复合材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN118206383A

    公开(公告)日:2024-06-18

    申请号:CN202410316005.9

    申请日:2024-03-20

    Abstract: 本发明涉及气凝胶复合材料技术领域,更具体而言,涉及C/SiC泡沫骨架增强SiC气凝胶复合材料及其制备方法。本发明采用了轻质高强的C泡沫作为气凝胶复合材料的骨架材料,并通过SiC涂层对C泡沫骨架实现了力学改性增强,且SiC气凝胶通过溶胶凝胶工艺结合碳热还原工艺在C/SiC泡沫骨架表面原位成型得到,实现了气凝胶复合材料的整体成型,并通过梯度结构设计,使得前驱体有机溶胶液更能进入到C泡沫骨架孔隙内部,同时通过孔隙率可以调节SiC气凝胶的占比,优化了阻抗匹配特性,利于表面电磁波入射,且内部的C泡沫骨架也呈梯度分布,优化了介电损耗衰减,利于入射电磁波吸收,协同实现了气凝胶复合材料的吸波性能。

    可突破衍射极限的片上波导、光子集成芯片及制备方法

    公开(公告)号:CN118688898A

    公开(公告)日:2024-09-24

    申请号:CN202410926175.9

    申请日:2024-07-11

    Abstract: 本发明属于光子集成芯片技术领域,具体涉及可突破衍射极限的片上波导、光子集成芯片及制备方法。本发明波导结构横截面从下到上依次为基底层、二维石墨烯‑氮化硼层、高折射率的圆柱波导和低折射率上覆盖层。圆柱波导沉积在二维石墨烯‑氮化硼层表面上,二维石墨烯‑氮化硼层沉积在基底上。通过二维石墨烯‑氮化硼和圆柱波导模式的有效耦合,所设计的波导将模式能量限制性能突破到深亚波长尺度。通过调整几何参数,即使波导之间的中心距离达到纳米级,相邻波导间的能量串扰仍可实现完全抑制。本发明方法简单成本低,可显著提高基于波导的片上信息系统的集成度。

    一种提升p型AgBiSe2基热电材料性能的方法

    公开(公告)号:CN116354317A

    公开(公告)日:2023-06-30

    申请号:CN202310406572.9

    申请日:2023-04-13

    Inventor: 李善 叶信立

    Abstract: 本发明属于热电材料技术领域,具体涉及一种提升p型AgBiSe2基热电材料性能的化合物及制备方法。本发明提供一种提升p型AgBiSe2基热电材料性能的化合物,其化学组成为AgBi1‑xCaxSe2,通过掺杂Ca获得了p型AgBiSe2基热电材料,能够降低热电材料在室温附近的热导率,同时,相比于n型热电材料具有较大的有效质量,有利于获得更高的塞贝克系数,另外,通过Ca的掺杂能够显著提高功率因子,从而明显提升该热电材料的zT值。

    一种耐高温隐身气凝胶复合材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN114736653A

    公开(公告)日:2022-07-12

    申请号:CN202210536132.0

    申请日:2022-05-17

    Abstract: 本发明公开了一种耐高温隐身气凝胶复合材料及其制备方法,涉及复合材料技术领域。包括以下原料:碳泡沫、碳化硅涂层、碳化硅气凝胶、正硅酸乙酯、γ‑氨丙基三乙氧基硅烷、间苯二酚‑甲醛树脂以及异丙醇溶剂。该耐高温隐身气凝胶复合材料及其制备方法,本发明采用快速碳热还原技术制备碳化硅气凝胶,间苯二酚‑甲醛树脂/二氧化硅气凝胶前驱体在热解过程中进一步包覆强化表面沉积碳化硅涂层的碳泡沫,提升整体力学强度;通过“气凝胶‑碳化硅涂层‑碳泡沫”多级结构设计,可实现表面电磁波的大幅入射,并通过特有的分级结构促进入射电磁波的反射、吸收和衰减,同时,气凝胶的孔隙结构有利于抑制气相和固相传热,协同提高耐高温气凝胶复合材料的高温隐身性能。

    一种轻质耐高温自清洁雷达罩

    公开(公告)号:CN222168704U

    公开(公告)日:2024-12-13

    申请号:CN202420536406.0

    申请日:2024-03-20

    Abstract: 本申请公开了一种轻质耐高温自清洁雷达罩,包括碳化硅陶瓷基复合层制成的雷达罩本体,所述雷达罩本体的外壁设置有吸波层,所述吸波层的外壁设置有透波层,所述透波层的外壁设置有外蒙皮,所述外蒙皮的外壁设置自清洁层,所述的吸波层包括多孔结构的碳泡沫骨架,所述碳泡沫骨架的表面附着碳化硅颗粒层,所述碳化硅颗粒层之间形成网状结构,并与碳泡沫骨架之间形成双网嵌套结构,获得优异的隔热性能,电磁波在吸波层内部被来回反射、吸收和耗散,但在透波层,有用的电磁波能够直接透过,实现信号的正常传输。

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